Интегральная схема (IC) является центральным элементом современных электронных технологий, которая образует сложные электронные схемы посредством большого количества электронных компонентов, таких как транзистор EP2S130F1020C5, сопротивление, емкость и т.д. Путь развития интегральных схем — это процесс, который постоянно реализует более высокую интегральную степень, меньший размер, более высокую производительность и более низкий расход энергии. За этим стоят четыре основных технологии, которые способствуют прогрессу в технологии интегральной цепи.

Технология фотогравирования

Фотогравировка является ключевым шагом в создании интегральной схемы, которая использует фоторадиацию, чтобы переместить рисунок схемы из маски в слой фотосопротивления на силиконовой пластине. По мере того, как технологии развиваются, технология ультрафиолетовой гравировки эволюционировала с ранних лет в технологию ультрафиолетовой гравировки, значительно увеличив разрешение фотогравировки и уменьшая размеры производимых приборов. Современные технологии фотогравюры позволяют достигать ширины электрических линий на уровне 10 нанометров и даже меньше, обеспечивая техническое обеспечение непрерывного внедрения законов мура.

Технология гравировки (Etching)

Технология гравировки используется для удаления материалов, которые не нужны на силиконовых пластинах, для формирования структуры, необходимой для цепи. Абляция делится на влажную и сухую абляцию в двух категориях. Влажная абляция использует химическую жидкость для эрозии материала, в то время как сухой метод абляции использует плазму. Сухая абляция делится на несколько типов, включая ионную (RIE), индукционную плазменную абляцию (ICP) и т.д. Сухая абляция может обеспечить более высокую точность и более низкий наклон боковой стенки, что является основным выбором в современной интегрированной технике.

Технология добавления

Смешивание является неотъемлемой частью процесса производства интегральной схемы, которая изменяет свою электрохимическую природу, вводя примеси атомов в кремний. Традиционная термическая диффузионная смесь постепенно была заменена ионной технологией ввода (Ion Implantation). Ионные инъекции могут более точно контролировать концентрацию и распределение примесей, которые могут оказать решающее влияние на эффективность приборов с помощью корректировки энергии и дозировки на различные глубины и концентрации.

4. Химические газовые отложения (CVD) и отложения атомного слоя (ALD)

Химическое газовое отложение — технология, используемая для изготовления тонких мембран на силиконовых пластинах, широко используемая для производства изоляторов, электропроводящих слоев и масок. Он генерирует твёрдую мембрану через газообразный реактор на поверхности силикона. Осаждение атомного слоя является вариацией CVD, которая использует самоограничивающиеся поверхностные реакции для накопления очень однообразных мембран на силиконовой пластине, которые применяются для создания сверхтонких, высококачественных изоляционных и металлических мембран, которые имеют решающее значение для создания продвинутых микроэлектронных устройств.

Помимо этих четырех ключевых технологий, технология интегральной схемы включает в себя различные сложные шаги, такие как ионные инжекции, термообработка, металлическая взаимосвязь. Каждый шаг требует очень высокой точности и контроля, чтобы обеспечить качество и производительность конечного продукта.

По мере развития технологий, технология интегральных схем также итерационно обновляется. Например, технология 3D-компоновки (например, перфорированные кремниевые отверстия, TSV) используется для повышения вертикальной интегрированности чипа; Применение новых материалов (таких как карбоновые нанотрубки, графеновые трубы и т.

Прогресс в технологии интегральной схемы является краеугольным камнем развития электронной промышленности, и каждый шаг прорыва от нескольких нанотехнологических узлов до нескольких наноузлов в настоящее время состоит из бесчисленных усилий инженеров и ученых. Фотогравировка, абляция, легирование, а также непрерывная инновация и оптимизация тонкопленовых методов отложения, обеспечивая сильную техническую поддержку миниатюризации интегральных схем, высокой сексуальной энергии и низкой себестоимости. Технология интегральных схем также будет продолжать прорывать границы в будущем, поскольку новые материалы, новые структуры и новые принципы будут использоваться в ходе раскопок.