5SHY3545L0014 Блок управления электрокремнием

5SHY3545L0014 Блок управления электрокремнием

Появление полупроводников стало одним из самых больших прорывов в современной физике xx века, ознаменовавших рождение электронных технологий. В то время как практические потребности в различных областях способствуют быстрому развитию полупроводниковых приборов в двух ветках с этого момента, одна из которых представляет собой микроэлектронику, представляемую в виде интегрированной схемы, которая характеризуется малой мощностью, интеграцией в качестве инструмента выявления, передачи и обработки информации; В то время как другая категория электронных приборов характеризуется мощностью, быстрой скоростью. В 1955 году general electric опубликовала первый в мире кремниевый выпрямитель (SR) с силиконовым монокристаллическим полупроводниковым выпрямителем, а в 1957 году — первый в мире электротехнический выпрямитель (SCR) для преобразования и контроля мощности. Поскольку они обладают меньшими объемами, лёгкими весами, эффективными и долговечными преимуществами, в частности SCR может управлять большей мощностью с помощью крошечного тока, что позволяет полупроводниковым электронным приборам успешно перейти из зоны электронного контроля в область сильного и сильного управления энергией. В применении выпрямителя кристаллический шлюз быстро заменил ртутный выпрямитель (предохранитель), который сделал выпрямитель твердеющим, неподвижным и бесконтактным, а также значительно экономил энергию. Начиная с 1960 — х годов, обычные кристаллические затворы вытекающие друг от друга из быстродействующих, фотоуправляемых, асимметричных и двухсторонних кристаллических шлюзов образуют большую семью.
5SHY3545L0014 Блок управления электрокремнием

Но сам кристаллический шлюз обладает двумя важными факторами, которые препятствуют его дальнейшему развитию. Во-первых, имеется неполадка в функции управления, в которой обычный транзисторный затвор является полууправляемым устройством, с помощью которого он может управляться только с помощью шлюзового полюса (управляемого полюса), но не с помощью которого он может быть открыт, а не отключен, и для того, чтобы он был отключен, он должен быть отключен, чтобы прямой ток, проходящий через кристаллический затвор, был меньше, чем поддерживается. В связи с неуправляемой свойствами выключения кристаллических шлюзов необходимо было бы дополнить цепь вынужденного переключения потоков, состоящую из индуктивных, конденсаторных и вспомогательных переключателей, что позволило бы увеличить объем устройства, увеличить стоимость и снизить надежность системы. Во-вторых, такие устройства опираются на структуру отдельных приборов, открываются с большим количеством потерь, работают на частоте, которая ограничивает их применение. В конце 1970 — х годов, по мере того, как созрел разъем (GTO), успех в преодолении дефект обычных электронных шлюзов ознаменовал переход электронных электроприборов от полууправляемых к полностью управляемым.

5SHY3545L0014 Блок управления электрокремнием

The emergence of semiconductors became one of the most significant breakthroughs in modern physics in the 20th century, marking the birth of electronic technology. Due to the actual needs of different fields, the semiconductor devices have since developed rapidly to two branches, one of which is the microelectronics device represented by the integrated circuit, characterized by low power and integration, as a tool for information detection, transmission and processing; The other is power electronic devices, characterized by high power and fast speed. In 1955, the United States General Electric Company published the world’s first silicon rectifier (SR) with silicon single crystal as semiconductor rectifier material, and in 1957 published the world’s first thyristor rectifier (SCR) for power conversion and control. Because they have the advantages of small size, light weight, high efficiency and long life, especially SCR can control large power with small current, so that semiconductor power electronic devices have successfully entered the field of strong current control from the field of weak current control. In the application of rectifiers, the thyristor quickly replaced the mercury rectifier (ignition tube), making the rectifier solid, static and contactless, and significantly saving energy. From the 1960s, the common thyristors have successively derived from the fast thyristors, photocontrolled thyristors, asymmetrical thyristors and bidirectional thyristors, forming a huge thyristor family.

5SHY3545L0014 Блок управления электрокремнием

However, there are two important factors that restrict the development of thyristors. One is the lack of control function, the ordinary thyristor is a semi-controlled device, through the gate (control pole) can only control its opening and can not control its off, the control pole is no longer effective after the turn-on, to turn off must cut off the power supply, even if the positive current flowing through the thyristor is less than the maintenance current. Due to the uncontrollable switching characteristics of thyristor, a forced commutator circuit composed of inductors, capacitors and auxiliary switching devices must be added, which increases the volume of the device, increases the cost, and makes the system more complex and reduces the reliability. Second, because such devices are based on the discrete device structure, the opening loss is large, the operating frequency is difficult to improve, and its application range is limited. In the late 1970s, with the maturity of the turn-off thyristor (GTO), the defects of ordinary thyristors were successfully overcome, marking the development of power electronic devices from semi-controlled devices to fully controlled devices.