Технические характеристики IC660EBA100
Бренд «GE fanacco»
Серия гениев I-O
Серийный номер IC660EBA100
Электронная сборка типа
Основной блок моделирования ввода/вывода оборудования
Напряжение тока 98-132V переменного тока
Максимальная мощность — 10 вольт
Частота 47-63 герц
Точност 0,2% жив показан ar 25 A °
Разрешение 12 — значный плюс
Обновить частоту на 4 миллисекунды
Диагноз? Да.
Охлаждение 6 ватт
Блок электронного элемента GE IC660EBA100 () — Один из компонентов электронного элемента, функционирующий вместе с конкретными блоками моделирования ввода-вывода с помощью GE. Оба устройства разработаны и распространяются компанией GE Fanuc Automation. Этот конкретный электронный компонент работает на номинальной мощности блока 115 вольт переменного тока с диапазоном от 98 до 132 вольт. Максимальная мощность модуля 10 вт. Стоит отметить, что компоненты электроники GE Fanuc Automation IC660EBA100 обеспечивают все электронные компоненты, необходимые для запуска блока I/O в любом совместимом приложении. При использовании этого электронного компонента потребуется конечный набор компонентов, содержащий все соединения и порты, необходимые для выполнения.
Компоненты GE Fanuc Automation IC660EBA100 поддерживают модуль с четырьмя входными и двумя выходными схемами. Модуль оснащён двумя светодиодами, которые используются для обновления статуса устройства и для соединения ввода/вывода. Весь блок имеет 1500 вольт от блоков к блокам, изолирующих номинальные и 6 ватт от экзотера. Установление электронных компонентов GE Fanuc Automation IC660EBA100 в чистых зонах, где нет опасных материалов и не существует опасных материалов, очень важно. Температура окружающей среды не должна превышать от 0 до 60 градусов по цельсию, относительный уровень влажности должен составлять от 5 до 95%. Тепловой дрейф модуля смещается до 10 PPM на градус цельсия (типичное значение). Максимальное тепловое дрейф — 40 PPM на градус цельсия. Разрешение модуля — 12 бит плюс, а частота обновления — 4 миллисекунды. Выходная нагрузка модуля составляет 2000 омов или выше.
Leave a comment
Your email address will not be published. Required fields are marked *