На днях энсин полупроводник под эгидом tetetechnology объявил о планах инвестировать 200 миллионов долларов в разработку следующего поколения широко запрещенных полупроводников, включая SiC и GaN. В то же время в июне 2024 года были запущены первые транзисторы D-Mode GaN и SiC-диоды под давлением на полупроводниках ансер, следующая цель которых — 8 — дюймовый SiC MOSFET и низковольтная линия производства GaN HEMT на гамбургском заводе в германии в течение следующих двух лет. Несмотря на то, что доля производственных мощностей 8 дюймов SiC в настоящее время не очень высока на рынке, в последнее время в качестве важного технологического пути снижения стоимости SiC появилось несколько новых улучшений. Начиная с 2022 года после того, как Wolfspeed объявил о своем открытии на 8 — дюймовом заводе по производству кристаллических микросхем SiC в штате нью-Йорк, только Wolfspeed в течение двух лет производил 8 — дюймовые кристаллические круги SiC. В связи с увеличением размера кристаллической окружности необходимо тесное сотрудничество в цепочках вверх и вниз по цепочке промышленности, в Том числе в подкладке, эпиэпиляции, изготовлении кружков, а также в новых производственных линиями, применимой к 8 — дюймовой окружности. В то время как часть производственной цепочки начинает двигаться вверх и вниз по течению, не успевая за ней, это оказывает влияние на прогресс в производстве продукции в целом. Однако с этого года скорость падения мощностью 8 дюймов SiC увеличивается. В Том числе с точки зрения нижней подкладки, на ежегодной встрече 2023 года, проведенной в апреле, было объявлено, что 8 — дюймовая продукция SiC была продана в количественном масштабе; Кроме того, согласно информации, полученной в настоящее время, кристаллы, кристаллы, электроснабжение, тенко-синда, фотоакции и т.д. С точки зрения 8 — дюймовых экспансивных пластин, небесные полупроводники, бесконечные ежедневные блоки, 100 — значные электроны уже имеют возможность поставлять 8 — дюймовые SiC-экспансеры. Кристаллическая окружность создает линию производства, которая должна согласовываться с массовым узлом производства на верхней подкладке. В то время как в настоящее время 8 — дюймовая подкладка SiC и эпипластины уже начали загружаться, производственная мощность естественных кристаллических полей начинает постепенно ускоряться. Недавно было объявлено о Том, что 8 — дюймовая партия SiC инженерных работ успешно вышла из строя и стала первым в стране заводом по производству кристаллов, открывающим 8 — дюймовый SiC. На недавнем форуме в саньан полупроводник также заявил, что в настоящее время несколько основных поставщиков субдольных и эпитаксиальных материалов в настоящее время завершили разработку и испытательное производство 8 — дюймового SiC, и что саньон имеет в чансе линию производства SiC, которая, по прогнозам пыльцы, должна была быть измерена по длительной кристаллизации-субдольной-эпитаксической-чипе-цепе, которая должна была быть проведена в этом году. В марте этого года южный песок заявил, что активно расширяет производство и планирует создать 8 — дюймовый сиc-базовый производственный комплекс в стране, который, как ожидается, будет полностью реализован к 2025 году. Всего 18 июня стартовала работа над 8 — дюймовым проектом SiC productions по производству микропроцессоров SiC, который должен был стать основным продуктом SiC MOSFET, который должен был инвестировать 12 миллиардов долларов в производство, которое должно было достигнуть 60 000 единиц/месяц, а предварительная линия должна была быть завершена к концу третьего квартала 2025 года. В июне генеральный менеджер биади по брендам и рекламе ли юн фэй также сообщил, что во второй половине года в биади будет произведена новая фабрика по производству карбида кремния, которая будет производить в десять раз больше, чем во второй половине этого года. В то время как Wolfspeed — это самая ранняя модель с 8 — дюймовой подложкой SiC и кристаллическими кольцами — недавно опубликовала свои новые достижения. Wolfspeed официально заявил по официальным каналам, что завод по производству карбида кремния в долине мохок достиг 20% — го уровня использования кристаллов, в то время как завод по производству материалов Building 10SiC компании достиг своей 200мм-мм субстанции, В конце 2024 года завод mohawk valley будет иметь возможность обеспечить около 25% — ного уровня использования кристаллических окружностей. Это также означает, что в настоящее время ограниченность производственной мощностью на предприятии SiC cryple в Wolfspeed частично происходит из-за поставок с нижней базы, и что Wolfspeed планирует обновить рынок для следующего этапа использования завода в могавк вейл в августе, когда он опубликует результаты четвёртого квартала финансового года 2024 года. Основным рынком приложений SiC, который продолжает расширяться при приземлении, являются электромобили, которые, без сомнения, развиваются с 400V до 800V для более быстрой перезарядки, более мощной двигателя и более низкой энергоемкостью. Кроме того, в дополнение к автомобилям, SiC-устройства непрерывно расширяются и расширяются с использованием новых приложений. Например, в системе хранения света, где напряжение постоянно повышается, от 600V до 1000V, а также к современным 1500V системам хранения света удалось в основном перейти от 1000V к 1500V. Эти изменения привели к снижению общих системных издержок, которые могут снизить первоначальные затраты на инвестирование в систему хранения энергии более чем на 10%. В начале 2024 года британская технология анонсировала новую серию 2000V-карбида кремния MOSFET, которая была названа IMYH200R. Эт элемент внедрен передов TO — 247PLUS — 4 — HCC инкапсуляц, облада различн спецификац, включ 12m Ω, 24m Ω, 50m Ω, 75m Ω, 100m Ω подожда. В строгих условиях высокого давления и частого применения переключателей они демонстрируют превосходную плотность мощности, одновременно обеспечивая устойчивость системы. Эти устройства идеально приспособлены к первичным системам с постоянным напряжением до 1500V, таким как компаундные инверторы, фотоэлектрические устройства и зарядные столбы, которые эффективно усиливают совокупные энергетические эффекты. Brighish fashen заявил, что это первый в индустрии независимый SiC MOSFET, способный выдержать напряжение в 2000V. 2000V SiC MOSFET обеспечивает большую безопасность в случае перегрузки системы постоянного тока в 1500V, чем аналогичный продукт 1700V. Чтоб возьм, к пример, IMYH200R012M1H модел мог с — 55 ℃ по 178 ℃ диапазон температур стабильн работ, в 25 в, когд ℃ до 123A ток, максимальн всегд мощност потер 552W, — сопротивлен составля всег лиш 12m formula_7, и очен низк выключател потер. Что касается отечественных производителей, то на шанхайской электронной выставке в мюнхене в прошлом году компания teko tunrun представила на выставке SiC MOSFET одноствольный продукт серии 2000V, применяемый к системе фотовольт в 1500V, но без подробных параметров. Основн полупроводников в октябр прошл год опубликова втор поколен SiC усилител платформ, и выраз представ 2000V 24m Ω спецификац SiC усилител коллекц продукт, и разработа 2000V 40A спецификац в план SiC СБД использова, но не подробн информац опубликова соответств устройств. Появление этих инновационных продуктов предвещает новую эру, в которой промышленность фотоэлектрических и электронных запасов движется к более высоким напряжениям и более эффективной работе. Запуск 2000V SiC MOSFET не только поможет сократить системные потери и увеличить плотность мощности, но и существенно сократить расходы на инфраструктуру, транспорт и транспортные и транспортные измерения. По мере роста технологического прогресса и рыночного спроса ожидается, что в будущем на рынок поступит более 2000V продукции SiC MOSFET, что будет способствовать дальнейшему развитию системы фотоэлектрических и электрических накопителей высокого давления. Узлы: в SiC также существует большое количество прикладных сцен, которые необходимо разработать, например, в больших горячих центрах обработки данных AI в последние годы, уже появилось несколько программ, которые используют SiC MOSFET. В то время как потенциал производства в 8 дюймов SiC постепенно снижается, это будет способствовать дальнейшему ускорению темпов деградации SiC, а также расширению рынка SiC.

VMIVME-1160A