Samsung electronics, ведущая в мире компания по производству полупроводников, недавно объявила о Том, что в этом году будет введена инновационная технология 3D HBM (память с высокой частотой) для инкорполяции чипа, названная samsung Advanced Interposer и Through Silicon Via. Эта революционная технология направлена на удовлетворение растущего спроса на высокопроизводительные вычисления и использование искусственного интеллекта, еще больше укрепив лидерство samsung в полупроводниковой области.

Основой технологии SAINT является ее продвинутая 3D-инкапсуляция, в которой несколько чипов HBM накапливаются вертикально, используя кремниевые посреднические слои и прокладывая их через кремниевые проходы (TSV). Этот вертикальный способ складывания не только значительно увеличил плотность хранения, но и значительно увеличил скорость передачи данных и эффективность энергии. Технология 3D-упаковки может достичь более высоких производительности и менее энергозатрат в ограниченном физическом пространстве, чем это необходимо в таких областях, как высокопроизводительные вычислительные и информационные центры.

Samsung утверждает, что разработка SAINT technology принесла пользу многолетнему накоплению компаний в области материаловедения, технологического дизайна и производства. Используя более современный слой силиконового промежуточного слоя и оптимизированный TSV, samsstar успешно преодолел проблемы теплоизоляции и целостности сигнала, с которыми сталкивается технология 3D-упаковки. Эти инновации не только улучшили общую производительность чипа AD9643BCPZ-250, но и увеличили его продолжительность жизни и надежность.

После того, как микросхемы samsung 3D HBM будут внедрены в SAINT, они смогут обеспечить более высокую пропускную способность и более низкие задержки. Это привело бы к значительному повышению производительности приложений, которые требуют быстрой обработки большого количества данных, таких как обучение искусственному интеллекту, графическая рендеринга и научные вычисления. В частности, 3 — d HBM чипы имеют пропущенную способность достигать уровня нескольких терабайт в секунду, в то время как задержки значительно сокращаются, что позволяет гарантировать, что данные передаются и обрабатываются быстрее.

Кроме того, технология SAINT обладает высокой гибкостью, которую можно настроить на различные потребности в применении. Это означает, что как серверы для высокопроизводительных вычислений, так и GPU для графической обработки, 3D HBM чипы samsung могут обеспечить наилучшую производительность. Программа samsung по-прежнему углублять сотрудничество с крупнейшими технологическими компаниями в мире в будущем, продвигая широкое применение технологии SAINT во всех областях.

С точки зрения рыночной перспективы спрос на высокопроизводительные решения также растет по мере быстрого развития таких областей, как искусственный интеллект, большие данные и облачные вычисления. Согласно прогнозам исследователей рынка, рынок HBM будет оставаться высоким в течение следующих нескольких лет, и ожидается, что к 2027 году его размер превысит 10 миллиардов долларов. Как лидер в этой области, samsung будет занимать большую долю рынка при поддержке технологии SAINT.

Технология SAINT samsung не только обладает значительными преимуществами в производительности и энергетических эффектах, но и вносит важный вклад в защиту окружающей среды. Усиливая энергоэффективность и сокращая энергопотребление, чипы samsstar 3D HBM могут эффективно сократить потребление энергии в центрах обработки данных, тем самым сократив выбросы углерода. Это согласуется с тенденциями, которые все больше придают значение окружающей среде и устойчивому развитию в мировой отрасли науки и техники.

Чтобы обеспечить успешное распространение технологии SAINT, samsung создал несколько исследовательских центров по всему миру и сотрудничает с несколькими ведущими университетами и исследовательскими учреждениями. Это сотрудничество не только способствовало устойчивым технологическим инновациям, но и оказало существенную поддержку развитию новых полупроводниковых талантов нового поколения. Samsung также планирует расширить свои производственные линии в течение следующих нескольких лет, чтобы удовлетворить спрос рынка на 3D HBM чипы.

В целом, предстоящая разработка samsung SAINT отмечает важный этап в технологиях инжинирования 3D HBM чипов. С его выдающимися свойствами, энергетическими эффектами и гибкостью, технология SAINT обещает играть важную роль в таких областях, как высокопроизводительные вычисления, искусственный интеллект и центры данных. По мере постепенной зрелости и широкого применения этой технологии, samsung будет продолжать лидировать в инновациях и развитии полупроводниковой промышленности и вносить больший вклад в глобальный технологический прогресс.

330100-50-00