Category: Корпоративные новости 

Realme 13 Pro series — искусственный телефон, разработанный для переопределения границы фотографирования мобильного телефона. Во время релиза realme совершил значительный прорыв не только в технологии видеосъемки, но и в области смартфонов. Одна из главных особенностей этого телефона заключается в Том, что он впервые сотрудничал с sony, международной производителем известных сенсорных датчиков, с новыми датчиками LYT-701. Введение сенсоров LYT-701 обеспечило беспрецедентное качество изображения и опыт фотографии для серии realme 13 Pro.

LYT-701 — новейший датчик sony, разработанный специально для высококлассных смартфонов. Он использует новейшие технологии обработки изображений и аппаратного дизайна sony, которые не только повышают разрешение изображения и степень восстановления цвета, но и значительно усиливают способность фотографирования в условиях низкого освещения. Благодаря датчикам LYT-701, серия realme 13 Pro может обеспечить превосходную качество изображений в различных режимах съемки, будь то в светлый день или в сумеречную ночь, когда пользователи могут сделать четкие, тонкие фотографии.

Одной из основных технологий сенсоров LYT-701 является новый способ расположения пикселей. В отличие от традиционных датчиков, LYT-701 использует новый пиксельный ряд, который позволяет более эффективно улавливать свет и цветную информацию, тем самым значительно увеличивая детали и цветовую производительность изображения. Кроме того, LYT-701 оснащена более широкой светочувствительной площадью и более динамическими диапазонами, что позволяет сериям realme 13 Pro сохранять больше светлых и тёмных деталей при съёмках сцен с высокой контрастностью и представлять более слоистые эффекты изображения.

В практическом использовании серия realme 13 Pro продемонстрировала себя в различных фотографических миссиях с мощными характеристиками сенсоров LYT-701. Например, во время стрельбы, сенсоры LYT-701 могут точно улавливать детали лица и цвет кожи, создавая естественные, красивые эффекты. В то время как в съёмках пейзажа сенсоры LYT-701 в полной мере восстанавливают цвет и текстру природных ландшафтов, вызывая у пользователей ощущение того, что они на самом деле там. Кроме того, сенсоры LYT-701 поддерживают сверхскоростную съёмку и съёмку видео в замедленном режиме, что позволяет пользователям свободно создавать более разнообразные изображения.

Чтобы полностью реализовать потенциал сенсоров LYT-701, серия realme 13 Pro также оснащена новейшим двигателем обработки изображений AI. Двигатель оснащен продвинутыми алгоритмами машинного обучения, которые позволяют автоматически настраивать параметры и оптимизировать качество изображения в соответствии с фотографией. Независимо от того, фотографируют они статически или записывают видео, процессор обработки изображения в реальном времени анализирует изображение и оптимизирует его интеллектуально, делая каждое фото и каждое видео наиболее эффективными. Кроме того, процессор обработки изображений AI поддерживает многие функции, такие как распознавание интеллектуальных сцен, суперночное видение, усиление СПЗ, чтобы дать пользователям более удобный и интеллектуальный опыт съемок.

В дополнение к прорывам в области видеотехники, серия realme 13 Pro также была полностью обновлена в плане размещения оборудования и оптимизации программного обеспечения. Сер телефон приня последн FFPF08H60STU qualcomm Xiao флагманск процессор Дракон, совпаден больш объем памят и высокоскоростн хранен, обеспеч мощн производительн и плавн использован переживан. С другой стороны, серия realme 13 Pro оснащена большим количеством обновлений, обеспечивая более тонкий и гибкий визуальный эффект. Скорость перезарядки и перезарядки также значительно возросла, позволив пользователям наслаждаться съёмками и развлечениями в течение длительного времени.

Что касается программного обеспечения, серия realme 13 Pro содержит новейшую операционную систему realme UI, которая предоставляет богатый персональный набор настроек и легкий опыт работы. Пользователи могут самостоятельно определять расположение интерфейса и функциональные настройки, создавая индивидуальные мобильные телефоны, эксклюзивные для себя. Кроме того, realme UI включает в себя множество практических инструментов и приложений, таких как управление фотографиями, редактирование фотографий, облачное хранение и т.д.

Серия realme 13 Pro также была тщательно продумана в отношении безопасности и защиты частной жизни. Серия телефонов использует несколько методов шифрования и механизмы защиты частной жизни, чтобы гарантировать безопасность данных пользователей и неприкосновенность частной жизни. Как идентификация отпечатков пальцев, так и рассекречивание лица, серия realme 13 Pro обеспечивает быстрый и безопасный опыт разблокировки, обеспечивая личную безопасность пользователей.

Появление сенсоров LYT-701, не только скачок на техническом уровне, оказало глубокое влияние на всю культуру фотографирования сотовых телефонов. Это позволяет мобильным телефонам быть не просто средством связи, а важным средством для самовыражения и записи жизни людей. В будущем, когда технологии сенсоров будут продолжать развиваться, у нас есть основания полагать, что мобильная фотография сможет конкурировать даже с традиционными камерами и играть более важную роль в искусстве, журналистике, научных исследованиях и т.д.

Сенсоры LYT-701, с их превосходными производительности и перспективными проектами, предвещают быстрое развитие мобильной фотографии в направлении более чистого, разумного развития. Телефон достиг флагманского уровня не только в конфигурации оборудования, но и в полной модернизации программного обеспечения и опыта пользователя. Как для любителей фотографии, так и для обычных пользователей, серия realme 13 Pro удовлетворяет их высокие требования к фотографированию на мобильных телефонах с беспрецедентным удовольствием и чувством завершённости в съёмках. По мере того как технологии повторяются, у будущей фотографии мобильных телефонов будет неограниченное количество возможностей, давайте вместе надеяться на нечто большее в этой области.

Кристаллический вибратор (Crystal Oscillator) — электронный элемент, способный обеспечить стабильный сигнал часов, широко применяемый в различных электронных системах, таких как компьютеры, средства связи, приборы и т.д. Кристаллический вибратор состоит в основном из кристаллов CD4011BCM и осцилляторных схем, которые работают по принципу создания стабильных резонансных частот, используя пьезоэлектрический эффект и ортогональные свойства кристаллов. Кристаллическая вибрация широко распространена, потому что она имеет несколько важных особенностей:

1. Стабильность: кристаллические вибрации могут обеспечить очень устойчивый сигнал часов с высокой частотой и малым температурным дрейфующим дрейфующим потоком для различных случаев, когда требуется более высокий порядок времени.

2. точност: дзинг! С стабильн частот, част может достига Один на миллион даж одн десятимиллион частот точност, гарантир систем точност.

3. Надежность: кристаллические вибрации имеют такие сильные стороны, как длительная жизнь, устойчивость к помещению, стабильная и надежная работа для рабочих мест в различных суровых условиях.

4. Рентабельность: технологическая зрелость производства кристаллических стимулов, низкая стоимость и более конкурентоспособность при крупном производстве, что позволит удовлетворить большинство потребностей в применении.

Принципы кристаллического колебания реализуются при помощи пьезоэлектрических эффектов и резонансных эффектов кристаллов. Кристалл обладает пьезоэлектрическим свойством, и при воздействии внешней силы или электрического поля образуется изменение распределения заряда, вызывающее механические колебания кристалла. При применении частоты напряжения равна резонансной частоте кристалла, кристаллы резонируют и амплитуды колебания достигают максимума. Помещая кристалл в цепь обратной связи, он позволяет механическим вибрациям, возникающим в результате изменения заряда, продолжать происходить в кристалле и экспортировать стабильные частотные сигналы высокой точности.

Принципы работы кристаллических вибраций можно просто описать как следующие шаги:

1. Нажатие напряжения: во-первых, внешнее напряжение в электроцепи кристаллического вибратора. Это может быть достигнуто путем подключения кристаллов к соответствующим схемам, таким как последовательная или параллельная резонансная схема.

2. Механические колебания: после введения напряжения электрическое поле вызывает механические колебания кристаллов. Это достигается при помощи пьезоэлектрический эффект кристаллов.

3. Обратная цепь: механические колебания кристаллов могут вызвать изменения в распределении заряда, создавая электрическое поле. Это электрическое поле будет обращено к кристаллу, усиливая механические колебания кристалла.

4. Выходной сигнал: схема усиления в кристаллических вибрациях усиливает сигнал напряжения, генерируемый вибрацией кристалла, и выводится в сигнал часов. Этот часовой сигнал имеет высокую стабильность и точную частоту.

Стабильность частоты кристаллических вибраций является одной из самых важных особенностей этого явления. Благодаря физическим свойствам кристаллов и точности процесса производства, кристаллический импульс может обеспечить очень точный выход частоты. Как правило, стабильность частоты кристаллических вибраций может достигать очень высоких уровней, обычно в пределах одного на миллион или меньше. Это делает кристаллический импульс идеальным выбором для различных приложений, которые требуют точного сигнала часов.

Кристаллические вибрации — очень важный электронный элемент, который обеспечивает стабильный сигнал часов. Он работает на основе пьезоэлектрических эффектов и резонансных эффектов кристаллов, способных генерировать высокоточный и стабильный выход частоты. В современных электронных устройствах кристаллические вибрации широко применяются в различных областях, предоставляя точные отсчета для нормальной работы оборудования.

0-57210-31

Развитие полупроводниковой промышленности всегда было ключевым фактором в развитии производства технологии. Каждая технологическая модернизация, начиная с самых ранних микротехнологических уровней и заканчивая современными нанотехнологиями, означала более высокую производительность, более низкий энергопотребление и более интенсивную интеграцию функций. В настоящее время технология 3 производства Intel (Intel 3 Process) снова находится на передовой технологической линии и ведет полупроводниковую промышленность на новый этап развития.

Технологический прорыв в производстве технологии Intel 3

Технология производства Intel 3 — ещё одна значительная модернизация после Intel 7. Эта технологическая технология значительно возросла не только в плотности транзисторов, производительности и энергетических эффективности, но и в более продвинутой производственной мощности полупроводников с помощью ряда инноваций. Intel 3 использует более тонкие технологии фотогравировки и более сложные материалы для обеспечения большей функциональной интеграции на меньших чипах.

Во-первых, технология производства Intel 3 использует более современные технологии EUV (ультрафиолетовая гравировка). Эта технология может точно определить структуру транзистора в минимальных масштабах, что значительно увеличит плотность и производительность транзистора. По сравнению с предыдущим поколением технологий, плотность транзисторов Intel 3 увеличилась примерно на 18%, что означает, что на чипе fdp12n50t такого же размера можно интегрировать больше транзисторов, обеспечивая, таким образом, более мощную вычислительную мощность.

Во-вторых, Intel 3 представила новые материалы и технологии производства, такие как металлическая взаимосвязь с сверхнизким сопротивлением и усовершенствованные высокопроизводительные диэлектрические материалы. Эти инновации не только усилили электроэнергию чипа, но и значительно сократили энергопотребление. В современном полупроводниковом дизайне компромиссы между энергопотреблением и производительностью всегда являются ключевым вопросом. Intel 3 с помощью серии технологических усовершенствований успешно нашла новые точки равновесия между ними, предлагая более эффективные решения.

Влияние рынка на производство технологии Intel 3

По мере развития новых технологий, таких как 5G, искусственный интеллект, сеть вещей, спрос на высокопроизводительные и низкоэнергоемкие полупроводниковые продукты становится все более насущным. Запуск технологии производства Intel 3, которая как раз соответствует этому рыночному спросу. Intel 3 обеспечит сильную поддержку для различных видов прикладных сцен, предлагая решения, которые будут более эффективными и менее энергоемкими.

В области информационного центра высокопроизводительные вычисления и большая обработка данных представляют собой чрезвычайно высокие требования к производительности и эффективности чипа. Процессор, использующий технологию производства Intel 3, может не только обеспечить более высокую вычислительную мощность, но и эффективно снизить энергопотребление в центрах обработки данных, тем самым снижая операционные издержки. В области мобильных устройств продолжительность жизни батареи всегда была в центре внимания пользователей. Благодаря более эффективному использованию энергии Intel 3 позволяет мобильным устройствам продлевать продолжительность полёта, одновременно обеспечивая превосходную производительность.

Кроме того, в новых областях применения, таких как автопилотирование, маргинализация, преимущество Intel 3 в производстве технологий с высокой производимостью и низким энергопотреблением может дать больше возможностей. Например, автопилотируемые автомобили должны обрабатывать огромное количество данных в реальном времени, что требует крайне высокой производительности и эффективности процессора. Процессор, производивший технологию Intel 3, может гарантировать энергетическую эффективность системы, одновременно удовлетворяя ее потребности в производительности, тем самым повышая общее функционирование системы автопилота.

Будущее технологии производства Intel 3

В то время как технология полупроводников продолжает развиваться, повышение технологии производства будет продолжать продвигать развитие всей отрасли. Intel 3, являющаяся одним из наиболее современных методов производства, демонстрирует будущее направление развития технологии полупроводников. Можно ожидать, что в ближайшем будущем будет выпущено больше продуктов, основанных на технологии производства Intel 3, и они будут играть важную роль во всех областях.

Технология производства Intel 3 является не только значительным технологическим прорывом, но и важным проводником для будущего развития полупроводниковой промышленности. Продолжая продвигать технологический прогресс, Intel не только повысила свою конкурентоспособность на рынке, но и вдохнула новую жизнь в промышленность.

В заключение, технология производства Intel 3 привела индустрию полупроводников в новую фазу развития с ее выдающейся плотности транзисторов, производительности и энергетических эффектов. Intel 3 будет играть важную роль как в центре данных, так и в мобильных устройствах, так и в новых областях, таких как автопилотирование и маргинальные вычисления. В будущем технология производства Intel 3 продолжит лидировать в индустриальной тенденции и станет важной вехой в технологическом прогресе полупроводников.

11GM-BS2

В настоящее время носимое оборудование все более функционально и требует все более высокой производительности для носимых чипов управления, включая такие важные технологии, как обновление, задержки, отображение. Exynos W1000 (exynos w1000) — первый в мире технологический чип, доступный для ношения оборудования. Exynos W1000 сообщила о Том, что exynos w1000 содержит 1 крупное ядро Cortex-A78 и 4 небольших (Cortex-A55) с частотами 1,6 ГГЦ и 1,5 ГГЦ соответственно. По сравнению с предыдущим поколением Exynos W930, Exynos W1000 повышается в 3,7 раза, моноядерная производительность в 3,4 раза, а основная скорость запуска приложения — в 2,7 раза. Следует отметить, что Exynos W1000 использует FOPLP (foplp), современный инкапсулятор, за которым сейчас следуют производители, с преимуществом которого является дешевая квадратная пластина, и более крупная квадратная пластина, которая позволяет производить больше инкапсуляций и снижает стоимость упаковки. Оптимизация затрат, в конце концов, является большой выгодой для samsung, которая, в конце концов, поставляет интеллектуальное оборудование samsung в пятерку лучших в мире. В дополнение к FOPLP, Exynos W1000 был интегрирован в SiP (системный уровень инкапсуляции), ePoP, интегрирован в чипы управления энергией, а также в DRAM, NAND-накопитель. Уровень интеграции Exynos W1000 заметно выше. Благодаря улучшению технологии производства и инжинизации Exynos W1000 может также гарантировать миниатюризацию, сохраняя при этом высокую производительность, давая больше места для аккумуляторов, тем самым добавляя новую гибкость в разработку смартчасов. Что касается эксynos W1000, то Exynos W1000 содержит функцию 2,5 D-дисплея с увеличенными дисплеями и дисковыми дисками с деталями. В настоящее время постоянный экран LTPO является отличительной чертой для большинства высококлассных интеллектуальных часов, таких как glory умные часы 4 Pro. У samsung также есть несколько умных часов, которые обладают этой функцией, например, samsung Watch 6 и Watch 6 Classic. Только функция требует более высоких требований к энергопотреблению. Samsung также разработал дизайн с низким энергопотреблением для Exynos W1000. Согласно официальным данным, Exynos W1000 GPU использует технологию интеркадра (IFPO) и ультраприводной (UUD) энергии, чтобы снизить потребление тока, в то же время применяя динамические частотные сокращения напряжения (DVFS) для работы в модемных двигателях с низким энергопотреблением, а также bluetooth с низким энергопотреблением (BLE), Обновление LPDDR4X на lpddddr5 также может обеспечить более высокую энергетическую эффективность. Известно, что samsung организует 10 июля новую презентацию Galaxy, в которой будут представлены новые товары для смартфонов, а также смартфоны с смартфоном и смартфоны, а также смартфоны с смартфоном, которые будут носить новые вещи, Galaxy Watch 7, Galaxy Watch 7 или Ultra, которые будут представлены на этой конференции. Согласно текущим данным, Galaxy Watch 7, как ожидается, будет оснащён 40 — мм кольцевым дисплеем, поддерживающим технологию bioactivesenсор2, продающуюся около 262 долларов США. Как новое поколение носимых чипов samsung, Exynos W1000 предлагает улучшенный опыт использования часов samsung.

531X301DCCAGG2

Bluetooth technology пережил несколько важных итераций в развитии более чем за последние 20 лет, каждый из которых привел к повышению производительности и добавлению новых функций. До версии 5.2 апгрейд технологии bluetooth фокусировался на производительности передачи данных, таких как bluetooth 3.0, поддерживавшая высокоскоростную передачу данных и более низкие энергоресурсы, а версия bluetooth 4.0 вводит режим низкого энергопотребления (BLE), а версия bluetooth 5.0 повысила скорость передачи. В версии 5.2 появилась LE Audio, которая усилила аудиоопыт bluetooth. В эпоху непотерь LE Audio приводит к низкой задержке, высокозвуковому опыту в приложении для аудио передачи, беспроводные наушники, радиодинамики, транспортные информационные системы, а также слуховые устройства, которые являются основными областями применения, особенно беспроводных наушников, в дополнение к bluetooth Audio technologies, Беспроводные наушники повышают качество звука, энергопотребление, стабильность связи и т.д. Повышение качества звука позволяет рынку беспроводных наушников расти быстрее. В отличие от SBC, aptX, AAC и LDAC, основанных на новой версии bluetooth Audio technology, LE Audio была основана на новой версии bluetooth audio для поддержки новых низкочастотных аудиокодов LC3 bluetooth, а весь процесс кодирования, передачи и декодирования был всего лишь 20ms, Таким образом, качество аудио-передачи повышается и уменьшается в два раза быстрее, что является причиной низкого энергопотребления в LE Audio. До LE Audio формат аудиокодирования bluetooth состоял из SBC, AAC, aptX и LDAC. Почти все bluetooth устройства совместимы с SBC и способны достичь более высокой аудио-массы при умеренной бите, но относительно низкой эффективности сжатия, что может иметь некоторое влияние на качество звука. По сравнению с данными bluetooth technology alliance, LC3 имеет меньше звуковых повреждений, чем 345 КВПС, но менее чем половина битов SBC составляет всего 160 КВПС. Rb: альянс bluetooth AAC, разработанный совместно компаниями Fraunhofer IIS, dolby laboratory, AT&T, sony и др, в настоящее время широко поддерживает AAC, поддерживает качество звука для 16bits/24bits и может получить более высокий уровень звука при более низких уровнях кодирования. aptX была разработана компанией CSR и приобретена компанией gotton. С непрерывной итерацией чипов bluetooth, в 2021 году компания представила aptX Lossless, декодер аудиопередачи с частотой до 1Mbps, обеспечивающий качество звука CD-класса. В настоя врем qualcomm Snapdragon сер средн за и частичн высококлассн чип обработк ауд набира поддержива aptX Lossless, например qualcomm Xiao Дракон 8 мобильн платформ. LDAC — технология звукового кодирования, разработанная sony, имеющая преимущество в скорости передачи, которая позволяет передавать аудио с высоким разрешением 24bit/ 96kz. Альянс bluetooth technologies также отметил, что качество звука в формате aptX и LDAC лучше, когда он слушает музыку, но синхронизация звуковых изображений и низкий уровень задержки недостаточно хороши для видеоигр или визуализации. И LC3 — это решение этой проблемы. В настоящее время стандарт bluetooth 5.2 действует почти четыре года с момента его выпуска, и после четырех лет разработки цепочки были усовершенствованы, а также продукты нескольких производителей чипов bluetooth 5.2 поддерживают стандарт bluetooth 5.2, в результате чего область звуковой передачи вступила в период неполной целостности с низким энергозатратом и низкой продолжительностью времени. LE Audio ведет развитие сферы слуховых исследований, итерация чипов государственного производства ускоряет процесс производства bluetooth technology alliance, которая, по прогнозам, к 2028 году принесет около миллиона единиц оборудования LE Audio. Стоит упомянуть, что «bluetooth technology league» заявил, что LE Audio будет в состоянии предоставить аудиопомощь более чем 1,5 миллиардам людей, которые в настоящее время страдают от глухоты. Это означает, что область слуховых аппаратов будет важным направлением передачи звука. В настоящее время международные производители занимают позиции на рынке чипов слуховых аппаратов, таких как goughton, anson miami и т.д. Однако, с техническими затратами отечественных производителей, некоторые из них также выпустили чипы слуховых аппаратов для самообучения. Например, нанкинский тенг-яй недавно запустил специальный цифровой акустический чип HA3950, интегрированный в 2 независимых аудио-входных канала, 10 GPIO, с помощью новых алгоритмов снижения шума и динамического сжатия WDRC с четким восстановленным звуком. Чип имеет встроенный модуль управления энергией, высокоточный дифференциальный линейный стабилизатор напряжения, поддерживает цифровое регулирование громкости, переключение Мод и т.д. В настоящее время все больше и больше чипов слухового аппарата реализуют глубокую интеграцию слухового аппарата с bluetooth. Чип для самоисследования + bluetooth, запущенный в нанкинском теневом атласе, позволяет пользователю непосредственно прослушивать, тестировать и подключать к мобильному приложению, обеспечивая диверсифицированный звуковой спрос. Кроме того, когда цифровые сигналы сотового передаются через bluetooth в чипы слухового аппарата, алгоритм усиливается, чтобы получить более четкий звуковой эффект. В дополнение к нанкингу тяньяту, производители, такие как haka care, japan gold medical corporation, разрабатывают чипы слуховых аппаратов. Решение для bluetooth + слухового чипа ускорит признание рынка, так как технология LE Audio будет введена в чипы слухового аппарата.

810-068158-014

На днях, indigital computer computer technologies объявила, что компания закончила считать плотность силы и точность расчета, что соответствует коммерчески стандартному потоку чипа. Матрица этого чипа имеет размер 128 на 128, и пиковая сила вычисления превышает 1000tops, что означает, что плотность его вычислительной силы превысила плотность электрочипа с продвинутой системой. Согласно данным фотонных технологий, размер матрицы (расчетная плотность силы) и одноузкая оптическая идентичность (расчетная точность) являются ключевыми показателями производительности фотонного чипа, признанного в рамках бизнес-стандарта 128×128, а в 2021 году две компании по всему миру завершив производство потоков фоточипов 64×64, Спустя три года это узкое место не было прорыто. В 2022 году компания сосредоточилась на разработке и производстве фотонных чипов и вычислительных платформах оптических вычислительных чипов и вычислительных платформах для сценарий с большим спросом на вычислительную силу ии, таких как большая модель мышления и обучение, автопилотирование, умные города, количественная финансовая система, ии и т.д. GuangBen называ, эт чип pci express интерфейс ил друг универсальн стандартн взаимодейств Дан, совместим с центр обработк Дан, светов чип вычислен будущ сил плотност в сто раз все ещ ест пространств, лучш электричеств чип больш модел, соответств коммерческ стандарт сказа, что кита искусствен интеллект чип ключев шаг в «смен обогна даг». Оптические вычислительные чипы имеют преимущество в вычислительной мощности, передаче данных, но для того, чтобы нормализовать коммерческое использование, необходимо также решить нелинейные задачи вычислений, накопления и целого, а создание фотоэлектрической интегрированной экологии является необходимым путем. Фотоэлектрические технологии, основанные на PCM фазовых материале, полностью интегрировали элементы памяти с вычислительными блоками, в настоящее время итерационно разрабатывают электрические чипы, основанные на фотонных чипах, и разрабатывают глубокие стратегические возможности для разработки передовых фотосинтезированных соединений с компаниями-инкапсуляторами внутренних чипов. В то же время оптометрические технологии отлаживают матричные вычислительные карты размера 128 на 128 световых карт, которые, как ожидается, будут введены в 2025 году с использованием более высокой энергетической эффективности, большей вычислительной силы и других отраслей промышленности, таких как оборудование и вычислительный центр. Кроме того, компания на пороге завершения разработки чипа вычисления света в более крупном масштабе матрицы. Фотонные вычисления начались в начале 20 — го века, когда ученые начали попытки использовать фотоны для передачи и обработки информации, но из-за технических ограничений и теоретических трудностей того времени концепция фотонного вычисления была временно приостановлена. К концу 20 — го века фотонные вычисления вновь привлекли внимание исследователей, так как фотоника, квантовая механика и вычислительная наука продолжали развиваться. В 1970 — х годах американский физик Ричард файнман впервые представил концепцию фотонного вычисления, указывая на то, что узкое место, с которым сталкивается традиционная модель вычислений, можно преодолеть, используя свойства фотонов. В 21 веке технология фотонного чипа быстро развивается. По мере прогресса в материаловесной науке, нанотехнологиях и интегрированной оптике, фотонные вычислительные чипы повышают производительность и уменьшают энергопотребление. Начинает демонстрировать свои уникальные преимущества в некоторых областях, таких как скоростная обработка данных, вычисление низкого энергопотребления и обработка изображений в сложных сценах. Фотонный вычислительный чип в сравнении с электронным чипом работает по принципу фотонной вычислительной чипы, основанной на принципах фотонной вычислительной чипы, а именно на использовании фотонной изменчивости света и элементарности для передачи и обработки информации. Его ядро находится в светопроводе, который позволяет использовать полное отражение света, чтобы направить свет внутрь чипа. Скорость передачи света в волноводе света уменьшается, он ослабляется и обладает сильной сопротивляемости, что позволяет осуществлять высокоскоростную, дальнюю передачу информации. Фотонный вычислительный чип имеет многогранное преимущество по сравнению с традиционными электронными чипами. Что касается скорости, световые сигналы передаются со скоростью света, что позволяет фотонным вычислительным чипам значительно превышать скорость обработки данных. В частности, фотонные чипы рассчитывают примерно в 1000 раз быстрее обычных электронных процессоров, что особенно заметно при работе с крупными данными и сложными вычислительными задачами. Фотонные чипы имеют крайне низкие задержки в передаче и обработке данных, которые имеют решающее значение для прикладной сцены, требующей быстрого ответа. Например, в сантиметровой шкале размера чипа, время задержки фотонного чипа составляет наносекундный уровень, и эта задержка практически не связана с размером матрицы, а в более крупных масштабах преимущество задержки в расчетах фотонной матрицы значительно выше. Что касается энергопотребления, фотонный чип обладает значительным преимуществом в потреблении энергии, значительно меньшим, чем обычный электронный чип. Оптическое вычислительное потребление энергии должно быть низким до 10-18 джоулей на бит (10-18J/bit), при Том же потреблении энергии фотонное устройство должно быть в сотни раз быстрее электронного. Эта низкая энергоемкость делает фотонные чипы эффективными в энергетической эффективности и рассеивании тепла, помогая снизить стоимость работы системы в целом. Кроме того, фотонные чипы имеют чрезвычайно высокую пропускную способность и коммуникационную мощность, способную удовлетворить будущие потребности в высокочастотной и низкой связи. Например, интегральный ниобиевый микропроцессорный чип с частотой 67 гиггц может поддерживать высокоскоростную передачу данных и сложную обработка сигналов. Фотонный чип также обладает мощной защитой от помех, электромагнитные свойства световой волны гораздо слабее электромагнитных свойств тока, так что фотонный чип обладает более мощными антиэлектромагнитными помехами и более высоким коэффициентом шума. Эта функция позволяет фотонным чипам более стабильно передавать и обработку данных в сложных электромагнитных условиях, обеспечивая надежность и безопасность передачи информации. Кроме того, фотонные чипы имеют более высокую вычислительную точность, более мощные параллельные возможности и сравнительно низкие производственные затраты. Что касается производства, фотонные чипы не должны использовать такие устройства, как электронные чипы, с очень высоким содержанием фотогравировки, которые могут быть произведены с использованием уже достаточно созданных в нашей стране сырьевых материалов и оборудования, что помогает снизить производственные издержки. При многих преимуществах фотонный вычислительный чип считается важным направлением развития будущей вычислительной техники. Помимо фотонных технологий, в настоящее время существуют компании, которые продолжают исследования в этой области, такие как Lightelligence, Lightmatter. Lightelligence (» technologies technologies «) — компания, основанная в массачусетском технологическом институте (MIT), специализирующаяся на использовании фотонных чипов. Вскоре после создания Lightelligence было объявлено о успешном разработке первой в мире карты прототипа фотонного чипа, подтверждающей инновационные идеи группы, опубликованные в журнале Nature Photonics в 2017 году. Прототипы чипа были собраны на оптическом устройстве более чем в 12000 электронных схем с частотой 1 ГГЦ, которые могли эффективно работать с кучерявыми нейросетевыми моделями в Google tenсорflow для обработки набора данных MNIST, с точностью почти до уровня электронных чипов и временем, когда матричный мультипликация была завершена, было менее чем в 100 раз меньше. 15 декабря 2021 года Lightelligence выпустила свой последний высокопроизводительный фотонный вычислительный процессор PACE (Photonic Arithmetic Computing Engine, фотонный вычислительный двигатель). PACE содержит оптическую матрицу 64×64, которая интегрирована в Один фотонный чип более чем в 10 000 фотонных устройств и работает на системных часах на 1 ГГЦ. В конкретной циклической нейронной сети она может быть в сотни раз быстрее, чем современный высококачественная GPU. PACE успешно подтвердил превосходство фотонного вычисления, особенно когда речь зашла о сложных математических проблемах, таких как модель Ising, производительность была далеко за пределами традиционной GPU, обеспечивая сильную вычислительную поддержку в новых областях, таких как AI, 5G, сеть объектов. Lightmatter был основан 8 сентября 2017 года в бостоне, штат Массачусетс, США с отделением в силиконовой долине. Позиционирование компании — это фотонная вычислительная компания, работающая над ускорением человеческого прогресса посредством вычислений. В 2020 году на вершине чипа будет Hot Chips, Lightmatter продемонстрировал тестовый чип Mars, который используется для ускорения дедукции ии, который использует кремниевую фотоэлектронику и технологию MEMS, чтобы питать мультипликатор матрицы с использованием света на милливатт-уровнях. В отличие от традиционных электронных чипов, которые вычисляют скорость увеличения на несколько порядов. В заключение, конечно, следует отметить, что фотонный вычислительный чип по-прежнему сталкивается со многими техническими головоломками в процессе разработки, например, как точно управлять движением фотонов, как повысить вычислительную эффективность фотонов, как снизить потери фотонов и т.д. Тем не менее, можно видеть, что стоящие перед ним дилеммы постепенно расширяются. Вера в то, что с развитием технологии фотонный вычислительный чип обещает стать одной из самых перспективных программ в будущем, таких как скоростность, большое количество данных, вычислительная обработка искусственного интеллекта.

810-069751-114

Электромобили в постоянном стремлении к устойчивой энергии во всем мире находятся на пороге взрывного роста. В то время как батарея может служить движущейся ячейкой энергии в наиболее важных компонентах электромобиля, она может осуществлять обмен энергией с электросетью через процесс зарядки, обеспечивая накопление и освобождение электрической энергии. Эта технология имеет важное значение для повышения возможностей регулирования энергосистемы, стимулирования соотношения возобновляемых источников энергии, а также укрепления стабильности и гибкости энергосистем. Эт технолог в основ использова больш количеств электромобил батарейк в качеств распределен хранилищ ресурс, через транспортн средств электросет (V2G) технолог электричеств динамическ двухсторон движен, в электроэнерг паден заряжа электромобил, в час пик позвольт электромобил электросет обратн электропередач, эт помога электросет нагрузк менеджмент, частот регулир долин, чист пик, И увеличить способность поглощать возобновляемые источники энергии. Данные показывают, что в настоящее время Китай не только лидирует на мировом рынке электромобильных автомобилей, но и является важным рынком электромобилей в будущем. Существуют институциональные прогнозы о Том, что к 2030 году, если Китай будет иметь 100 миллионов электромобилей, среднее количество электроэнергии в день будет составлять от 16 до 25 гэс, которые, по всей видимости, зайдут важное место в энергетической системе будущего. Существуют различные способы достижения электромобильных резервов, включая последовательный заряд (V1G), взаимосвязанную сеть (V2G), обмен батареями и повторное использование списанных батарей. Технология V2G стала ключевым направлением будущего развития в связи с ее значительными преимуществами в повышении эффективности работы электросетей, снижении затрат на строительство, повышении экономических интересов пользователей и стимулировании интеграции возобновляемых источников энергии. И в настоящее время правительства многих стран признают огромный потенциал электромобильных резервов, вытесняя политическую поддержку и рыночные стимулы. Например, в китае, европе и США были введены ряд политических мер, включая субсидии, налоговые льготы, цены на электроэнергию в долине пикс, механизмы компенсации за услуги в V2G и т.д. Во всем мире несколько проектов V2G и экспериментальных электромобилей функционируют или планируются с целью проверки технологической жизнеспособности, оптимизации стратегии управления, оценки экономических моделей и изучения бизнес-моделей. С помощью этих методов можно накопить ценный опыт и заложить основу для крупномасштабного продвижения. В стране и за рубежом были проведены демонстрационные проекты по накоплению электромобилей, такие как интеллектуальная двухсторонняя зарядная электростанция V2G, построенная национальной электросетью в нинбо северный лунь, а также программа электромобилей Edison. В то время как обычные пользователи, участвующие в проекте V2G, могут в свободное от вождения время продавать электроэнергию из аккумуляторов транспортных средств в электросети, особенно в период пик спроса на электроэнергию, это может помочь пользователям получить дополнительный доход. В то же время упорядоченный заряд с использованием разницы в ценах на электроэнергию в пиковой долине может быть заряжен в более низкие периоды времени, сохраняя расходы на электроэнергию. Вместо того чтобы быть простым потребителем электроэнергии, пользователи могут стать провайдерами электросетей, участвовать в переработке электросетей, вспомогательных услугах и т.д., которые усиливают чувство участия и влияние пользователей в энергетических экосистемах. Конечно, для эффективного взаимодействия с запасами энергии необходима более разумная, более широкая поддержка подзарядной инфраструктуры. Это может способствовать укреплению зарядных станций и бытового зарядного столба, повышая удобство зарядки. В то же время применение методичной зарядки и технологии V2G требует от пользователя адаптации к его привычке к зарядке, что увеличивает гибкость зарядки, но также может потребовать от пользователя адаптации к новому плану подзарядки. Продвижение электромобильных аккумуляторов является ключом к распространению технологии электромобилей, которая требует итерационной модернизации в динамических аккумуляторах для того, чтобы действительно получить доступ к электромобилям. Включая повышение плотности энергии, увеличение продолжительности жизни батареи, сокращение времени зарядки и снижение затрат. Разработка новых аккумуляторных материалов, таких как твёрдые батареи, для повышения безопасности, эффективности энергии и количества циклов, а также уменьшения зависимости от редких материалов. Например, плотность энергии определяет, сколько энергии аккумулятор может хранить, что влияет на время и мощность батареи. В настоящее время литиевые ионные батареи являются наиболее распространенной технологией аккумулирующих батарей, но плотность их энергии достигла предела. Таким образом, исследователи работают над разработкой технологий аккумуляторов с более высокой плотностью энергии, таких как твёрдые батареи, литиевые селитры и металлические воздушные батареи. Эти новые технологии аккумуляторов могут хранить больше энергии в единичных весах и объемах, которые, как ожидается, заменят традиционные ионные батареи лития в качестве основной технологии для будущих аккумулирующих батарей. В то время как твёрдая батарея находится под пристальным вниманием из-за более высокой безопасности и более продолжительной эксплуатации. В отличие от традиционных литий, твёрдые батареи используют твёрдые электролиты, заменяющие жидкие электролиты, что снижает риск взрыва батареи. Литиевые сернистые батареи имеют высокую плотность энергии и легко доступные сырье, но они должны быть решены с короткими продолжительностью цикла и быстрыми сокращением емкости. Другие, такие как металлические воздушные батареи, которые используют металлы для получения электрической энергии из реакции кислорода в воздухе, теоретически имеют высокую плотность энергии, но все еще сталкиваются с технологическими проблемами неэффективности каталита электродов и нестабильности электролитов. Необходимо не только увеличить аккумуляторную технологию, но и увеличить продолжительность жизни батареи, особенно после использования V2G, что может существенно повлиять на продолжительность жизни батареи. Продолжительность жизни батареи зависит в основном от циклической продолжительности жизни и уменьшения емкости. Циклическая продолжительность жизни — это количество раз, когда аккумуляторная батарея может сохранять номинальную мощность во время цикла зарядки батареи, а уменьшение объёма батареи с течением времени. Увеличение продолжительности жизни батареи снижает частоту и стоимость замены батареи, повышая надежность батареи. Использование высокочистых активных веществ и пассивных агентов может уменьшить потери материала, тем самым увеличив продолжительность жизни батареи. Например, использование высокоочищенного графита и определенных добавок может замедлить разложение положительных материалов ионной батареи лития. Разработка технологии аккумуляторов с самовосстанавливающимися функциями также является важным направлением для продления жизни батареи. Такие технологии могут частично восстановить микроскопические повреждения внутри батареи и замедлить снижение производительности батареи. В то же время, необходимо снизить стоимость батареи. В настоящее время стоимость технологий аккумулирующих батарей сосредоточена главным образом на сырье и технологиях производства. Для снижения затрат исследователи ищут альтернативные ресурсы, усовершенствованные технологии производства и повышение эффективности производства. По мере постепенного внедрения технологического прогресса и эффекта масштаба, ожидается, что стоимость аккумулирующих батарей постепенно уменьшится, что будет способствовать их применению и распространению на энергетических рынках. Например, в последние годы цены на ионные батареи лития значительно упали, и в будущем эта тенденция, как ожидается, будет сохраняться. Технология электромобилей узлов демонстрирует широкие перспективы развития, рассматриваемая как ключевой элемент в создании более гибкой, надежной, низкоуглеродной будущей энергетической системы. С продолжающимся прогрессом в области технологий, рынков, политики, запасы электромобилей обещают более широкое применение в течение следующих нескольких лет.

876PH-TYAA-7M

В мае этого года бринга опубликовала дорожная карта PSU (блок питания), разработанный специально для дата-центра ии, и в рамках программы PSU 3.3kW, 8kW и 12kW были смещены три силовых переключателя на кремний, нитрид Галлия, карбид кремния, о которой недавно сообщалось электронное агентство. В таких областях, как источник энергии, инвертор и другие полупроводники, в последние годы возросшие в третьем поколении, позволили различным программам, использующим SiC и GaN, появиться на рынке, в Том числе программам, используемым для смешивания различных устройств, так какие преимущества имеют эти гибридные программы? Как гибридная схема питания выбирает устройства? Динамические переключатели, такие как SiC и GaN, Si и другие, имеют различные характеристики, так что можно сказать, что самые дорогие и новейшие не всегда являются лучшими, и необходимо посмотреть, будут ли они пригодны для практических сцен применения. Возьмем, к примеру, программу PSU, о которой мы говорили в начале, в рамках которой AC-DC использует многоступенчатую PFC и SiC MOSFET, что делает эту секцию эффективной до 99,5% и плотностью 100W на кубический дюйм; И на уровне DC-DC был принят ган фет. В схеме PFC на уровне AC-DC необходимо преобразование переменного тока высокого давления в постоянный ток, который должен быть уменьшен для повышения эффективности использования энергии. В то же время, поскольку работа находится в условиях высокого напряжения, сильного тока, она требует более высокой жары и тепловой стабильности для оборудования. SiC MOSFET обладает сравнительно высокой устойчивостью к давлению и более низким сопротивлением проводящего потока, чем кремниевый MOSFET, который может эффективно повысить эффективность системы. На скорости переключения, SiC MOSFET также намного выше кремниевого устройства, более высокая частота переключения может заставить схемы PFC работать на более высоких частотах, уменьшая размеры магнитных компонентов и конденсаторов и уменьшая объем системы в целом. В то же время, в отличие от кремния IGBT, SiC MOSFET не имеет проблем с электричеством волочения хвоста, что может еще больше снизить потери на переключателе. Что касается тепловых характеристик, то SiC MOSFET обладает хорошей тепловой стабильностью и может работать в условиях высоких температур в течение длительного времени, так что, в совокупности, SiC MOSFET имеет преимущество в схеме PFC на уровне AC-DC. В то время как на задних уровнях DC-DC многие источники питания в настоящее время используют топологию LLC, одним из главных преимуществ коммутатора LLC является его мягкое переключение напряжения, т.е. переключатель нулевого напряжения (ZVS) и переключатель нулевого тока (ZCS). Таким образом, выбранный прибор должен быть в состоянии выдержать частые переключатели в условиях ZVS или ZCS, и при этом иметь низкую мощность. Для уменьшения размера и эффективности магнитных компонентов LLC-преобразователи часто работают на более высоких частотах, так что мощные устройства должны иметь возможность поддерживать высокочастотные переключатели без увеличения потерь. В режиме проводящего действия также необходимо, чтобы прибор имел свойства низкопроводящего сопротивления, чтобы повысить эффективность преобразования DC в целом, особенно в случае большей мощности и более высокого тока. Частота переключателей гена может быть выше, чем кремний MOSFET и SiC MOSFET, которые имеют крайне низкие потери в процессе переключения, которые сопоставляются с технологиями мягких переключателей, при которых использование гена FET может быстро переключаться в условиях ZVS с минимальной потерей. Так что относительно лучше использовать переключатели гена на DC-DC, находящийся на уровне позади источника питания. В дополнение к применению различных устройств в электросхемах, некоторые из однотрубчатых устройств могут быть интегрированы в различные материалы, также из соображений спроса на их характеристики. Например, британская продукция с использованием 650V гибрида SiC и кремния IGBT должна была быть представлена в Том же то247 -3/4 инвертера. Как правило, кремниевые игбт-одиночные трубы инкапсулируют IGBT и FRD (быстро восстанавливаются диоды) в отдельные устройства, в то время как смешанные карбиды кремния меняют кремниевые FRD на SiC-диоды. Поскольку в SiC-дисках не наблюдается обратной регенерации с использованием кремниевых диэлектриков с высоким давлением на кремний, потеря переключателя на гибридные карбиды кремния значительно снизилась. Брин назвала продукт гибридным SiCIGBT, в то время как IGBT обладает сверхнизким электрическим преимуществом при восстановлении тока при высоких ценах и SiC-диодах. Согласно данным тестирования, сиc-диоды оказывают большое влияние на открываемость IGBT, снижаясь на 70% при коллекторах тока Ic=25A, а общая потеря на переключатели может быть снижена на 55%. Данные тестирования базовых полупроводников также показывают, что потеря на открытие этого гибридного карбида кремния приблизительно на 32,9 % меньше, чем на открытие кремниевого диссонатора, и что общий расход на переключатель составляет примерно 22,4 % меньше, чем на переключатель кремния. Цены на SiC диоды резко упали в последние годы, и стоимость гибридного карбида кремния в целом не так велика, как фактическая разница между кремниевым IGBT и кремниевым FRD, что дает большие рыночные возможности в будущем. Что касается модуля IGBT+SiC SDB, то существует более распространенный модуль igbb, который включает в себя комбинированную инкапсуляцию SiC MOSFET с кремниевым IGBT, который в настоящее время, вероятно, состоит из двух SiC MOSFET в комплекте из шести кремниевых IGBT, которые, конечно, могут быть гибкими в этом отношении. Преимущество такого подхода заключается в Том, что можно использовать преимущества SiC и IGBT одновременно, используя системный контроль, чтобы заставить SiC работать в режиме переключения, а IGBT в режиме наведения. SiC-устройства имеют низкий расход в режиме выключателя, а IGBT — в режиме проводника, так что есть вероятность того, что такая модель может быть достигнута при постоянной эффективности для уменьшения использования SiC MOSFET и, таким образом, уменьшения общей стоимости модуля мощности. Узлы: можно ли быстро внедрить программу в практическое применение, или необходимо посмотреть, есть ли преимущества в стоимости. В прошлом, когда цены на полупроводниковые продукты в третьем поколении сиc оставались высокими, предложение не соответствовало спросу на такие приложения, как электромобили, и, естественно, завышение стоимости привело к созданию смешанных модульных программ, таких как IGBT+SiC SBD. В то же время в настоящее время стоимость постепенно снижается в SiC, GaN, а также в таких программах, как центры обработки данных ии, связанные с ними источники энергии сосредоточены на повышении эффективности системы в целом и на выборе более совместимых устройств в зависимости от спроса на применение.

1326AB-B730E-M2L

Согласно данным исследовательского агентства Canalys, в 2024 году будет произведено 48 миллионов копий по всему миру, что составляет 18% от общего объема продаж персональных компьютеров (ПК). Ожидается, что к 2025 году ии будет поставляться более 100 миллионов экземпляров, что составляет 40% от общего объема ПК. К 2028 году будет поставлено 205 миллионов компьютеров, а комплексный ежегодный прирост (CAGR) в период с 2024 по 2028 годы составит 44%. Хранение является довольно важным компонентом AI, который тренирует Ай, чтобы привести к HBM, и как Ай PC определяет SSD? Приложение AI требует большого количества данных, и процесс подготовки ии и дедукции требует более высокой производительности чтения и записи для хранения данных. В настоящее время производители PC, flash-чипы, контрольные чипы, модули, консоли и т.д. Некоторые рынки потребительского уровня PCIe 5.0 SSD, ориентированные на PC, уже начали выпускать продукцию PCIe 5.0 SSD. Включает Crucial incore T700/T705, пиратский корабль MP700/MP700 PR, лексар РПК 5.0 NM1090 SSD и т.д. Crucial incore T700 — это флагманская версия PCIe5.0 SSD, имеющая мощность 1TB, 2TB и 4TB, с частицами TLC NAND flash-памяти, содержащая независимую кэш-память DRAM, управляемая комбинацией PS5026-E26, которая последовательно считывает до 12400 мб/с, Последовательная запись записывается со скоростью 11800мб/с, случайное чтение 4KiB со скоростью 1500K IOPS в случайном порядке, равно как и скорость записи в 4KiB до 1500K IOPS. В то время как Crucial fields T705 PCIe 5.0 NVMe SSD использует обновленный чип управления ps50226 -E26- E26-52, последовательно считывающий скорость до 14500 мб/с, последовательно записывающий скорость до 12700m /s, обеспечивающий 1TB, 2TB и 4TB объёмом. Лексар рэксар 5.0 NM1090 SSD, управляемая группой E26, грануловая электронная память, спецификация канала PCIe 5.0×4 и NVMe 2.0 technologies, 1TB-версия, обозначающая последовательность чтения и записи до 11500MB/s и 9000MB/s, Последовательность чтения и записи выше 2TB составляет 12000мб/с и 11000мб/с. Предлагается альтернативная версия для 1TB, 2TB и 4TB. В прошлом году пиратский корабль продал первый PCIe 5.0 SSD /s, последовательно читая и записывая каждый из 10000MB/s, а затем выпустил новый MP700 PRO PRO PCIe 5.0 SSD, последовательно читая со скоростью 12400 мб/с в порядке записи в 11800мб/с. На днях SK heallex объявила, что компания разработала «высочайшую производительность» на жёстком жёстком диске «PCB01» для портативных компьютеров. SK heallex утверждает, что компания первой применила PCB01 к технологии интерфейса PCIe 5.0 x 8, с тем чтобы значительно повысить производительность обработки данных. В твёрдых жестких дисках, ориентированных на ПК, SK heallex последовательно читает и пишет в порядке PCB01 до 14 гб/с и 12 гб/с соответственно. Энергетическая эффективность PCB01 увеличилась более чем на 30% по сравнению с предыдущим поколением продукции, способная повысить стабильность крупномасштабных вычислений Ай. В то же время SK heallex применил технологию SLC кэш (SLC Caching) для продукта. Технология позволяет частичному NAND-накопителю работать в режиме SLC на высокой скорости. SK hellex PCB01 предлагает 512GB, 1TB, 2TB, три емкости. SK heallex реализирует новую продукцию с потребителями ПК по всему миру, планируя начать производство в течение этого года после завершения проверки, одновременно с выпуском продукции, ориентированной на крупных клиентов и обычных потребителей. PCIe 5.0 SSD (PCIe 5.0 x 4), в основном интерфейс PCIe, NVMe 2.0, некоторые PCIe 5.0 SSD читают со скоростью 12GB/s, в то время как incore T705 и SK PCB01 SSD читают со скоростью 14GB/s, PCB01 SSD поддерживает интерфейс PCIe 5.0 x8, который, по словам SK, сосредоточен на рынке высокопроизводительных компьютеров. Если по теоретическим данным PCIe 5.0 x 8 пропускная способность может достигать 31,5 гб/с, то PCIe 5.0 SSD будет продолжать модернизироваться, чтобы применить боковой интеллект в терминах ии. Технология производства чипов управления и производительность повышались в настоящее время в основном на рынке потребительского уровня PCIe 5.0 — E26 (PS5026-E26), за исключением этого управления, в дополнение к нему были введены еще два пакета PCIe 5.0, включая E26 Max14um и E31T. PCIe 5.0 SSD PS5026-E26 Max14um, Максимальная скорость может достигать 14,7 гб/с (Sequential Read Performance), а также флагманского чипа управления, который впервые в мире достиг 100 мб/с в PCMark 10 и 3DMark Storage Tests. Совместная реализация программы хранения DRAM-Less E31T SSD, которая продолжится с помощью технологии PCIe 5.0 E26, будет первой в мире крупной SSD, которая достигнет скорости 10 гб/с, революционной для рынков хранения и PC OEM. E31T использует электроэнергию 7nm для создания интерфейса PCle5x4, разработанного специально для обеспечения максимальной ширины и эффективности соединения твердого диска. Эффективность E31T SSD в настоящее время может достигать 10,8 гб/с при нынешнем поколении NAND /s; максимальная мощность будет 8TB; В то время как в будущем ожидается выпуск нового поколения NAND, E31T SSD будет работать быстрее, чем в 14GB/s, повышая эффективность PCIe 5.0 DRAM-Less SSD до нового уровня. Управление SM2508 PCIe 5.0 использует TSMC 6nm EUV, поддерживаемое на флеш-памяти гранулирование может достигать скорости 3600MT/s, в порядке последовательного чтения и записи может достигать 14GB/s, в случайном порядке — 2,5 мiops и 2,4 мiops. Enterprisity technologies выпустила программу управления потребительским уровнем PCIe 5.20, основанную на RISC-V (архитектура open source command command), поддерживающую 4 — канальный интерфейс PCIe 5.0, оснащенный 8 каналами NAND-flash, поддерживающий протокол NVMe 2.0, с коэффициентом передачи интерфейсов до 26677mt /s, В дополнение к 3D TLC/QLC NAND флеш-накопителям, максимальная мощность 8TB. Он предоставляет скорость последовательного чтения в порядке 14GB/s, а также скорость записи в порядке 12GB/s, случайное чтение и случайное запись достигающие 2000K IOPs и 1500K IOPs соответственно. YRS820 ориентирована в основном на высокоурожайные потребительские рынки, включая AI PC. Можно заметить, что в ходе итерации исследований и разрешений, проводимых производителями чипов хранения PCIe 5.0, последовательное считывание SSD в течение предшествующих периодов SSD будет меньше, чем 14GB/s, и в будущем скорость чтения PCIe 5.0 SSD будет повышена до 14GB/s. Кроме того, внедрение продвинутого технологического процесса может также снизить энергопотребление и дать PCIe 5.0 SSD лучший опыт использования. Применение PCIe 5.0 для PCIe 5.0 поддерживается основными производителями процессоров, начиная с 12 — го поколения процессоров intel core и AMD Ryzen 7000, которые предоставляют 16 каналов PCIe 5.0 для прямой связи между процессором и устройством PCIe 5.0. Например, 12 — е поколение узких узлов процессора PCIe содержит 20 каналов, обеспечивающих PCIe 5.0 x 16 для прямых независимых видеокарт, а также PCIe 4.0 x4 для жёстких дисков M.2. Например, AMD X670E предоставляет до 24 каналов PCIe 5.0, а также до 44 общих каналов PCIe, а новая материнская плата X870 X870E поддерживает больше каналов PCIe 5.0. Недавно стало известно, что intel Arrow Lake-S имеет 32 канала PCIe в новом поколении платформ, из которых 20 каналов PCIe 5.0 и 12 каналов PCIe 4.0, Включает в себя 16 каналов PCIe 5.0 для подключения к независимым видеокартам, 4 канала PCIe 5.0 для подключения к M.2 SSD и 4 канала PCH для подключения к M.2 SSD, а также 4 канала PCH для подключения к m.2 SSD и 8 каналов DMI 4.0. Можно сказать, что в отношении количества каналов PCIe, предоставляемых процессорами, несмотря на то, что в настоящее время nvidia и AMD-дисплеи не поддерживают PCIe 5.0, даже nvidia RTX4090 не поддерживает PCIe 5.0. Но учитывая, что в будущем применение PCIe 5.0 будет все более популярным, производители процессоров также предоставятся более широкий доступ к PCIe. Узлы: генерируемый искусственный искусственный интеллект не только приводит к буму подготовки ии, но и, что более важно, к реальному пажению применения метода дедукции на периферической стороне. У AI есть спрос на оборудование с высокой пропускной способностью и высокой производительностью, что ускоряет развитие и распространение стандартов PCIe. Стандарт PCIe эволюционировал с 4.0 до 5.0 или даже 6.0, а затем был импортирован в приложении. В настоящее время PCIe4.0 является ключевым периодом импорта PCIe5.0. Начиная с первых серверов AI, они расширяются до все большего числа терминальных устройств, включая и компьютер AI. Предполагается, что в 2024 году PCIe5.0 увеличится по мере того, как традиционный PC будет модернизирован в AI PC, а уровень осмоза будет увеличиваться в 2024 году и в 2025 году.

1336S-MCB-SP1B

Новые производительные мощности каждой эры нуждаются в новых двигателях для высвобождения новой кинетической энергии. Например, паровой двигатель, применяемый к животноводству, топливный двигатель к паровому двигателю, каждая эволюция двигателя закладывает более мощные производственные базы для развивающихся промышленных систем. Сегодня ии, являющийся ключевым двигателем новой качественной производительности, приводит к беспрецедентному спросу на вычислительную силу, и индустриализация начинает называть двигатель «новой интеллектуальной производительностью», т.е. «интеллектуальной инфраструктурой». Но, в отличие от традиционных двигателей, интеллектуальная инфраструктура должна быть полностью высвобождена с помощью вычислительной энергии, которая будет способствовать падением ии на землю и продвижению интеллектуальной инновации в промышленности, что является длинным, многоцепочечным и сложным элементом цепочки. Вычислительные карты, программные платформы, инструменты разработки, модельные данные и даже экологическая поддержка могут влиять на эффективность и эффективность доступа промышленных пользователей к ии. Таким образом, двигатель «новой интеллектуальной производительности» будет компактным устройством с точными стыками всех ключевых структур цепочки. Как можно считать эти высвобождения элементами кинетической энергии, точными и точными, гармонично интегрированными друг с другом, чтобы заставить двигатели «новой интеллектуальной производительности» двигаться? Как раз в то время, когда в WAIC 2024 заре среднего класса появилась полностью открытая интеллектуальная инфраструктура, «интеллектуальная» база, «интеллектуальная» платформа, «интеллектуальная» сфера услуг, «интеллектуальная» экология, «интеллектуальная» экология и «интеллектуальная» технология применяют пять различных измерений, демонстрирующих способность зари как нового «интеллектуального» двигателя производительности. Эти пять измерений представляют собой структурный распад и комбинированные инновации умственного «двигателя» в заре центральной науки. На генеральной ассамблее, в ходе глубокого диалога между мозговыми гидами и генеральным директором департамента по информационно-вычислительной продукции «рассвет», дюшавеем, который подробно раскрыл нам идеи и инновации стратегии сумрачного интеллекта. Суммируя, суммирующий суммируемый интеллект вращается вокруг логики развития снизу вверх, непрерывно развивается и развивается, обеспечивая всестороннюю поддержку для больших моделей и AIGC. Пользуясь этой возможностью, мы рассмотрим глубину, почему двигатель новой интеллектуальной производительности должен быть построен из этих пяти измерений? Как они соединяются и сотрудничают друг с другом? Как этот «двигатель», который является компактным и взаимодействующим друг с другом, может сыграть роль в освобождении новых интеллектуальных производительных сил. Более детальное решение Ай «силовой цепи» : прежде чем решать вопросы о разрывах, пробках и слепых зонах новой интеллектуальной продуктивности, мы должны выяснить, какие именно компоненты влияют на вычисление как на освобождение новой кинетической энергии. Если мы рассмотрим всю цепочку вычислительной силы, от производства до применения, как кольцевую, тесно связанную «энергетическую цепь», то мы увидим, что в этой цепочке до сих пор существует множество препятствий: разрыв. Известно, что ни одно ключевое звено интеллектуальной промышленной цепи, как и программное обеспечение, не может полагаться на цепочки поставок из-за рубежа, чтобы избежать риска «разорванной цепи», возникающей из-за технических трений. Таким образом, необходимо полностью автономное обеспечение от вычислительной техники до ии. Там пробка. Многочисленные прорывы в таких областях, как диверсификация сил, архитектурная диверсификация, многократная структура ии/модель/операционная библиотека, что ставит перед пользователями внутренних политических предприятий задачу выбора, когда они вносят Ай, фактические проблемы выбора, стоимость проб и ошибок, неэффективное развитие, и каждый этап, который стоит на месте, может замедлить ход развития. Есть слепое пятно. В китае существует огромное количество спроса на малые и малые микропредприятия и длиннохвостовое обеспечение, а некоторые нецифровые компании имеют когнитивные слепые зоны и слепые зоны для того, чтобы сделать или трансформировать умственную энергию, и интеллектуальные услуги нуждаются в поддержке со стороны интеллектуальных работников, которые обеспечивают полный цикл, оптимизацию и экологизацию. Нетрудно заметить, что от вычислительной силы на нижнем уровне до применения на самом высоком уровне, от инструментов разработки до экологических услуг, высвобождение новых интеллектуальных производительных сил требует тесного сближения и согласованного управления всеми звенями. Для того, чтобы преодолеть эту «силовую цепь ии» и сделать так, чтобы расчетная сила действительно была использована для промышленности, требуется тщательно разработанный, структурный и логически рациональный «двигатель». В то время как заря среднего и среднего класса, в первую очередь из пяти измерений, были построены «новые двигатели интеллектуальной производительности». Эволюция двигателей: мы знаем, что двигатель является одним из наиболее централизованных энергоблоков автомобиля, самолета или даже ракеты, а также компактным инструментом, тесно интегрированным в несколько компонентов, представляющим очень высокий уровень промышленного производства. В секторе ии для полного освобождения вычислительной кинетической энергии необходимо также тесное и эффективное взаимодействие в экологии программного обеспечения. Не так-то просто найти наиболее подходящие программы для каждого сегмента в сложной и продолжительной интеллектуальной цепочке и объединить их в оптимальной форме. Как построить этот новый движок интеллектуальной производительности, дюшави поделился с нами «идеей проектирования» : «во-первых, вычисления — это прочная основа и поддержка в самом низу большой модели и нижней части AIGC, где суммарный свет окружает вычислительную силу и устойчивость, в то время как энергичные предложения/эффективная экономия энергии сил и комплексная поддержка данных создали основу. На основе этого необходимо полностью использовать вычислительную силу и ценность данных, и таким образом имеется схема уровней программного обеспечения (интеллектуальная платформа/интеллектуальная экология). Выше слоя программного обеспечения для дальнейшего повышения эффективности и удобства службы вычислительной силы существует интеллектуальная служба, основанная на сети вычислительной силы. Следующий шаг заключается в Том, чтобы промышленность ии упала на землю, используя умственные приложения, которые позволяют конечному пользователю буквально воспринимать силу и модель. Эта планировка снизу вверх, в конечном счете интегрированная и замкнутая, гарантирует, что технологии ии действительно упадут и будут служить промышленности». WAIC convention также демонстрирует представительные продукты, такие как серверы, рабочие станции, жидкий холод, хранение, терминалы и т.д. С тем же успехом можно было бы просто прийти на «облачную облачность» и посмотреть, какие именно товары и возможности использует Аврора цк, «накопить» на этот «интеллектуально-производительный» двигатель: «интеллектуальную» основу. На генеральной ассамблее аранжировка продемонстрировала основу вычислительной силы искусственного интеллекта, программу зелёных вычислительных сил ии, продвинутую экономию ии и интеллектуальную вычислительную силу. В одной из них использование искусственного интеллектуального жидкого холодного рабочего места, полностью погруженного в технологию алый свет, обеспечивая стабильную и эффективную вычислительную поддержку пользователей, может удовлетворить насущные потребности многих крупных и средних городов и предприятий в сокращении выбросов углекислого газа; Полностью обновленная память ParaStor позволяет в 20 раз увеличить производительность на платформе ии; Новое поколение интегрированных вычислительных платформ, представляющих опыт развертывания вычислительной инфраструктуры «home custom», привлекло большое внимание аудитории.

2711P-B15C4D8