Category: Корпоративные новости 

Закон мура (Moore Law) — эрудитный закон, предложенный в 1965 году одним из основателей Intel гордоном муром, указывающий на то, что количество транзисторов, вмещаемых на интегральных электромагистралях, удваивается примерно каждые 18-24 месяца, а производительность соответственно увеличивается. В последние десятилетия законы мура сыграли важную роль в продвижении технологического прогресса в полупроводниковой промышленности и экономического роста. Однако, по мере того, как процесс производства развивается, закон мура сталкивается с трудностями своих физических пределов, одним из главных узких узлов является сокращение размера транзистора.

В настоящее время индустрия полупроводников приближается к этому физическому пределу. Новейшие технологические узлы 2 нм (нм) считаются ключевым этапом. 2nm чип означает, что решётка транзистора составляет всего 2 нанометра в длину, что близко к физическому пределу кремния. Чтобы понять важность этого шага, мы должны сначала понять текущее положение технологий и задачи, стоящие перед ними.

Во-первых, квантовый эффект становится более заметным по мере уменьшения размера транзистора. Квантовый туннельный эффект позволяет электронам проходить через сеточный слой окисления, который должен был стать изолятором, что приводит к увеличению тока утечки, снижая надежность и эффективность устройства. Кроме того, сокращение размера увеличивает сложность и стоимость производственного процесса, и чрезвычайно высокая технологическая точность требует увеличения дефектов и коэффициентов отказов в производственных процессах.

Несмотря на эти проблемы, индустрия полупроводников не остановилась. Многие компании и исследовательские учреждения активно разрабатывают технологии производства для 2nm и следующих узлов. Например, ведущие производители чипов, такие как TSMC (TSMC) и Samsung, объявили о своей 2nm технологической карте. В 2025 году digital electric планирует производить 2nm чипы в количественном объеме, в то время как samsung хотят достичь аналогичных целей в одно и то же время.

Для достижения количественного производства узлов 2nm требуются различные технологические инновации. Во-первых, выбор материалов и технологические усовершенствования. Высокоподвижные материалы, такие как кремний германий (SiGe) и химические соединения III-V, изучаются для замены традиционных кремниевых материалов, которые повышают уровень миграции электронов и снижают энергопотребление. Во-вторых, дальнейшая зрелость и применение технологии ультрафиолетовой гравировки (EUV) также имеют решающее значение, и фотогравировка EUV может обеспечить более тонкое разрешение узора, таким образом поддерживая меньший размер транзистора.

Кроме того, развитие трехмерной интеграции (3D IC) также предоставляет новые пути для прорыва пределов закона мура. Многослойная слоя чипа в вертикальном направлении может значительно увеличить интенсивность и производительность без уменьшения плоского размера. Кроме того, продвинутые технологии инкапсуляции, такие как изометрическая интеграция и кристаллический уровень инкапсуляции, предоставляют новые возможности для улучшения производительности чипа FW82807A и снижения энергопотребления.

Следует отметить, что погоня за чипами 2nm не ограничивается только техническими аспектами, но также связана с конкуренцией на рынке и национальной стратегией. Полупроводники, являющиеся основой современного технологического и экономического развития, будут обладать важными преимуществами в глобальной технологической конкуренции, как страны, так и компании, обладающие возможностями производства продвинутых чипов. Страны и регионы, представляющие США, Китай, японию и европейский союз, усиливают инвестиции и поддержку в полупроводниковые отрасли, стремящиеся занять первое место в гонке за новым поколением технологий чипа.

Суммируя, постепенно возникают предельные проблемы закона мура, в то время как чип 2nm представляет собой важную фазу процесса. Несмотря на огромные технические проблемы и проблемы производства, мировая полупроводниковая промышленность продолжает инновации и прогресс. Прорывом в области материаловедения, производства технологических технологий и интегрированных технологий, ожидается, что чип 2nm и ниже узлов в течение следующих нескольких лет будут производиться в количественном объеме, обеспечивая новые источники энергии для развития и применения информационных технологий. Как показал закон мура в последние несколько десятилетий, технологический прогресс часто превосходит ожидания, и у нас есть основания полагать, что индустрия полупроводников продолжит преодолевать трудности, чтобы встретить более разумное и эффективное будущее.

PCD3.M5540

Керамическая емкость — это конденсаторная керамическая керамика, бариевая окись титана с высокой диэлектрической константой, которая сжимается в круглую трубу, круглую пластину или диск в качестве среды, а также в виде конденсатора, сделанного из электродов с помощью горящего цемента.

Керамический конденсатор обладает такими качествами, как небольшие, устойчивые к давлению, частотные характеристики, стабильность и т.д.

Керамическая емкость, являющаяся неотъемлемой частью электронных схем, влияет на стабильность и надежность схем и качество и производительность. Тем не менее, некоторые керамические емкости зачастую являются несовершенными и неадекватными из-за проблем в материалах, технологиях или производственных процессам, которые являются некачественными и неадекватными для использования.

Некачественный керамический конденсатор — керамический конденсатор с невысокой массой и неустойчивой производительностью. DF04S-E3 керамический конденсатор (df04s-e3) — обычный электронный элемент, используемый для хранения и освобождения заряда. Обычно они сделаны из керамических материалов с характеристиками высокой диэлектрической константы и низкого сопротивления. Однако, с низкими керамическими конденсаторами могут возникнуть проблемы:

1. Конденсаторный дрейф: при использовании керамических конденсаторов с низким содержанием керамического конденсатора происходит дрейф, т.е. емкость изменяется со временем. Это может привести к нестабильности в электропроводке, что может повлиять на нормальную работу устройства.

2. Температурные характеристики варьируются: емкость керамических конденсаторов с низким содержанием керамики изменяется более резко при различных температурах и не может поддерживать стабильные электрические свойства. Это может привести к различным результатам работы электросхем в различных температурных условиях.

3. Утечка напряжения: керамические конденсаторы с низким содержанием керамики склонны к утечке электричества при высоком давлении, т.е. конденсаторы сами разряжаются без внешнего источника питания. Это может привести к неустойчивой работе электронных схем и, возможно, к повреждению других электронных устройств.

4. Электропроводность плохая: неровная внутренняя структура керамических конденсаторов с низким содержанием керамики, что приводит к повышению их сопротивления. Это приводит к большей потере энергии во время зарядки конденсатора, что влияет на эффективность цепи.

5. Расхождение в размерах: возможно, существует отклонение в размерах некачественных керамических конденсаторов, которые не могут удовлетворить точные требования по проектированию схем. Это может привести к нерациональному планированию схем, влияющему на рабочий эффект всей электроники.

Чтобы избежать использования низкокачественных керамических конденсаторов, можно принять следующие меры:

1. Выберите надежных поставщиков: выберите известных и хорошо обеспеченных поставщиков для покупки керамических конденсаторов, чтобы гарантировать надежность их продукции.

2. Тестирование качества: после покупки керамических конденсаторов можно провести несколько тестов на качество, таких как измерение емкости, проверка внешнего вида и т.д.

3. Сохраняйте надлежащую рабочую среду: керамические конденсаторы чувствительны к температуре и влажности, а надлежащая рабочая среда помогает продлить их продолжительность жизни.

4. Рациональное проектирование схем: при проектировании электросхемы необходимо рационально выбирать спецификации и количество конденсаторов в соответствии с характеристиками керамических конденсаторов для обеспечения их стабильности и надежности.

В целом, низкокачественные керамические конденсаторы могут иметь отрицательные последствия для нормальной работы электронного оборудования, поэтому при выборе и использовании керамических конденсаторов необходимо уделять особое внимание проблемам качества.

PMC008A 700502

Мощный прибор Галлия — это новый полупроводниковый прибор с превосходными характеристиками производительности, который постепенно становится популярным в высокочастотных, высокопроизводительных электронных устройствах. Далее мы рассмотрим определение, состав и принцип работы оборудования «Морган», а также влияние высокочастотных характеристик устройства «Морган» на повышение плотности микроинвертера.

Определение 1.

Устройство «GaN power» () — прибор, производимый из нитрида Галлия и полупроводниковых материалов, часто использующий транзистор «GaN» (HEMT). По сравнению с традиционными CD14538BPWR мощными устройствами, обладающими более высокой электроникой миграции, меньшим потоком тока, более высоким напряжением пробивания, она обладает большим потенциалом в высокочастотных и высокомощных областях применения.

Состав и принцип работы оборудования 2.

Устройство силы Гана обычно состоит из нитрида Галлия, полупроводникового материала, наиболее распространенным из которых является алген/ген гетероузел, растущий на основании основания гена. В этой структуре слой AlGaN используется для формирования двухмерного электронного газа, который в свою очередь используется как электронный канал для достижения нормальной работы устройства. Характеристики высокой частоты могут быть реализованы с помощью примесей и структурных конструкций HETM (транзистор с высоким уровнем миграции электронов).

Влияние высокочастотных характеристик устройства 3.GaN на повышение плотности мощности микроинвертера:

Устройство с более высокой скоростью переключения и электрическим приводом, которое отлично работает в условиях высоких частот, позволяет использовать более быстрые переключатели и уменьшать их потери в миниатюрных инвертерах. Преимущества высокочастотных характеристик способствуют повышению эффективности и плотности мощности миниатюрных инверторов, что, в свою очередь, повышает производительность системы и уровень энергии. В то же время, поскольку у оборудования с меньшими потерями переключателей, он также может уменьшить нагрев устройства, что будет способствовать проектированию и устойчивости миниатюрных инверторов.

Высокочастотная характеристика устройства «Морган» оказывает значительное положительное влияние на повышение плотности мощности миниатюрных инверторов, помогая стимулировать развитие и применение микроэлектронных систем. Ниже приведены подробные сведения о влиянии высокочастотных характеристик устройства моргана на повышение плотности мощности миниатюрных инверторов:

1. Switching имеет более высокую скорость переключения и меньшую мощность переключателя, чем обычные кремниевые инструменты, которые могут поддерживать более высокие частоты переключения. Повышая частоту переключателей, миниатюрные инверторы могут выполнять больше циклов преобразования мощности в Том же объёме, что и они, тем самым увеличивая плотность мощности.

2. Уменьшенный размер и вес: из-за высокой частоты работы оборудования на газе можно использовать меньшие индуктивные и конденсаторы для достижения фильтров и резонаторов, таким образом уменьшая общий размер миниатюрных инверторов. Таким образом, миниатюрные инверторы могут быть более компактными при одинаковых выходах энергии и эффективно увеличивать плотность мощности.

3. Повышение эффективности: высокочастотная характеристика инструмента «Морган» позволит снизить потери переключателей и улучшить управление теплом устройства, что позволит увеличить эффективность микроинверторов в целом. Высокая эффективность означает меньше потерь энергии и положительное влияние на проблемы управления теплом, ограничивающие плотность микроинвертера.

4. Поддержка более мощных выходов: высокочастотные характеристики позволяют аппарату моргана выдерживать более высокий ток и плотность мощности, что обеспечивает потенциал для более мощного выработки в миниатюрных инвертерах. Это особенно важно для прикладных сцен, которые требуют повышения плотности мощности.

Высокочастотная характеристика устройства «Морган» может обеспечить техническую поддержку для повышения производительности и расширения применения миниатюрных инвертеров посредством повышения частоты переключателей, уменьшения объема и веса, повышения эффективности и поддержки более мощных выходов.

PT-VME330B

Технология радиолокационных микроволновых сенсоров добилась значительного прогресса в последние годы, что привело к технологической революции во многих областях. Эти сенсоры имеют широкий диапазон применения, от автомобильной промышленности до интеллектуальных домов, от здравоохранения до промышленной автоматизации, радиолокационные микроволновые сенсоры постепенно меняют наш образ жизни и модель работы. В этой статье будут изучены принципы работы радиолокационных микроволновых сенсоров, их перспективы применения и их потенциал в продвижении разумного будущего.

Как работают радиолокационные микроволновые сенсоры

Радиолокационные микроволновые сенсоры работают, излучая микроволновые сигналы и получая сигналы, отражающиеся от объектов. Эти сенсоры, как правило, состоят из передатчиков и приёмников, которые передают микроволновые сигналы, отражающие обратно приемник при контакте с объектом. Сенсоры BT151S-500R определяют расстояние, скорость и угол объекта, анализируя задержку во времени и изменения частоты сигнала возвращения. Этот процесс известен как эффект доплера, широко применяемый в радиолокационных технологиях.

Одно из выдающихся преимуществ микроволновых сигналов заключается в Том, что они могут проникать в различные материалы, такие как туман, дым, дождь и другие погодные условия, которые делают радиолокационные микроволновые сенсоры надежными в любой среде. Кроме того, волны микроволнового сигнала короче, что позволяет сенсорам проводить измерения высокой точности. Эти характеристики делают радиолокационные микроволновые сенсоры превосходными во многих применениях.

Область применения и перспективы

Автомобильная промышленность

Применение радиолокационных микроволновых датчиков особенно заметно в автомобильной промышленности. Современные автомобили оснащены дополнительными системами ADAS (ADAS), в которых радиолокационные сенсоры используются для реализации функций адаптивного крейсерского управления (ACC), обнаружения слепых зон (BSD), автоматического аварийного тормоза (AEB). Эти системы полагались на точность дальности и скорости, предоставляемые радиолокационными микроволновыми сенсорами, повышая безопасность и комфортность вождения.

По мере развития технологии автопилотирования важность радиолокационных микроволновых датчиков увеличилась. Автопилотируемые автомобили должны опираться на множество датчиков (включая радары, лазерные радары, камеры и т.д. Надежность радиолокационных микроволновых датчиков в суровых погодных условиях делает их неотъемлемой частью системы автопилота.

Умный дом

Радиолокационные микроволновые сенсоры также демонстрируют огромный потенциал в области разумного дома. Эти сенсоры могут быть использованы в системах домашней безопасности, умном контроле освещения, охране пожилых людей и т.д. Например, радиолокационные сенсоры могут определить, действует ли кто-то внутри комнаты, что автоматически регулирует освещение и систему контроля за температурой, повышает энергетическую эффективность и комфорт.

Кроме того, радиолокационные микроволновые сенсоры могут использоваться для мониторинга деятельности пожилых людей, своевременно обнаруживать и сообщать о таких чрезвычайных ситуациях, как падение, предоставляя своевременную помощь и уход. Эти приложения помогают повысить уровень интеллекта и безопасность семейной жизни.

Медицинская помощь.

В области здравоохранения радиолокационные микроволновые сенсоры используются для мониторинга неконтактных жизненных показателей. Эти сенсоры могут удаленно обнаружить жизненно важные жизненные показатели, такие как частота дыхания, частота сердцебиения и другие важные жизненные показатели, которые сокращают вмешательство в тело пациента, в частности, применимо к отделению интенсивной терапии (интенсивной терапии) и окружающей среде семьи.

Высокая точность и неконтактные характеристики радиолокационных микроволновых сенсоров позволили привлечь к ним внимание и применять их во время эпидемии. Больницы и общественные места могут использовать радиолокационные сенсоры для быстрого теплового обследования, снижающего риск перекрестной инфекции. Это приложение демонстрирует важную роль радиолокационных микроволновых датчиков в общественной безопасности.

Автоматизация промышленности

В промышленной автоматизации радиолокационные микроволновые сенсоры используются для точного обнаружения и определения объектов, что повышает производительность и безопасность. Например, в автоматизированных производственных линиях радиолокационные сенсоры могут обнаружить присутствие объекта и точно измерить его местоположение, чтобы обеспечить точность и согласованность действий машины.

Кроме того, радиолокационные микроволновые сенсоры используются для управления складами и логистикой, автоматической идентификации и отслеживания движения товаров, повышения эффективности и точности управления складами. Эти приложения значительно повышают интеллектуальный уровень промышленного производства и управления логистикой.

Направление развития разумного будущего

Развитие радиолокационных микроволновых сенсоров не только остается в существующих областях применения, но и в Том, куда они будут двигаться в будущем. Радиолокационные микроволновые сенсоры станут более интеллектуальными и многофункциональными по мере интеграции технологий искусственного интеллекта и сети вещей.

Во-первых, в сочетании с технологиями искусственного интеллекта радиолокационные микроволновые сенсоры могут реализовать более сложную обработку данных и распознавание образов. Например, с помощью машинно-обучающих алгоритмов сенсоры могут более точно идентифицировать различные типы объектов и поведенческих моделей, предоставляя, таким образом, более полную и точную информацию о восприятии окружающей среды.

Во-вторых, по мере развития сети вещей, радиолокационные микроволновые сенсоры будут широко использованы в различных устройствах и системах для достижения всестороннего мониторинга окружающей среды и сбора данных. Это поможет создать различные сценарии использования смарт-городов, разумного транспорта, интеллектуального сельского хозяйства и т.д. для повышения эффективности и управления обществом в целом.

Наконец, миниатюризация и разработка радиолокационных микроволновых датчиков будет способствовать их использованию в портативных устройствах и портативных устройствах. Эти сенсоры могут быть встроены в такие устройства, как умные часы, умные очки, реализуя функции индивидуального мониторинга здоровья, слежения за движением и т.д.

вывод

Прогресс технологии радиолокационных микроволновых сенсоров ведет революцию в области измерения и обнаружения. С высокой точностью, надежностью и широкими перспективами применения радиолокационные микроволновые сенсоры играют ключевую роль в продвижении интеллектуального развития в будущем. По мере того, как технологии будут развиваться и развиваться, радиолокационные микроволновые сенсоры будут работать в более широком диапазоне, принося больше удобств и безопасности в наши жизни и работы. Будущее умственного развития уже наступило, и радиолокационные микроволновые сенсоры напишут в нем новую главу.

RF522 3BSE000743R1

Датчик температуры — это устройство для измерения температуры окружающей среды, основанное на использовании физических изменений свойств материи при изменении температуры для определения значения температуры в реальном времени. В зависимости от принципов работы датчик температуры может быть разделен на два типа: контактные и неконтактные.

Контактные температурные сенсоры: обычные контактные температурные сенсоры включают термоэлемент и терморезистор. Термопара измеряет температуру с помощью термоэлектрических импульсов в двух электропроводах, связанных между различными металлами; Температурный резистор, в свою очередь, использует свойства сопротивления материалов в линейных отношениях с температурой. При выборе параметров, необходимых для измерения окружающей среды, необходимо учитывать скорость, точность, стабильность, диапазон переносимости сенсоров.

Неконтактные температурные сенсоры: такие, как DM3730CUSD100 инфракрасных температур измеряются инфракрасной радиацией, излучаемой объектом. Неконтактные сенсоры не должны вступать в контакт с объектом, применимым к конкретным средам или случаям, требующим обнаружения без потерь. При выборе параметров необходимо учитывать такие факторы, как измерение расстояния, размер цели, фоновые помехи и т.д.

Выбор правильных параметров сенсоров температуры очень важен для правильного измерения температуры окружающей среды. Ниже приведены некоторые ключевые моменты, основанные на параметрах температурных датчиков отбора окружающей среды:

1: определение температурного диапазона, который необходимо измерить, для начала. Различные температурные сенсоры применимы к различным температурам. Термопара, например, применима к температуре окружающей среды, в то время как термосопротивление применимо к диапазону постоянной температуры.

2. Точность: определение необходимой температуры для измерения точности. Для разных приложений могут потребоваться различные требования точности. Как правило, чем выше точность, тем дороже датчик температуры. Таким образом, необходимо взвесить затраты и точность на основе реальных потребностей.

3. Время ответа: некоторые приложения требуют быстрых температурных датчиков, в то время как другие могут быть менее требовательными к времени отклика. Например, система температурного контроля обычно требует быстрых сенсоров для обеспечения температурной стабильности.

4. Экологические условия: рассмотрим особые условия для измерения окружающей среды, такие как влажность, давление, едкий газ и т.д. Некоторым сенсорам может потребоваться дополнительная защита или защита, чтобы приспособиться к суровым условиям окружающей среды.

5. Тип выходного типа: выберите соответствующий тип вывода в соответствии с требованиями системы. Обычные типы выходного типа включают аналоговый выход (например, напряжение или ток), цифровой выход (например, I2C, SPI или UART) или переключатель (например, реле).

6. Электроснабжение: определение требований электроснабжения для сенсоров, таких как рабочее напряжение и ток. Убедитесь, что система обеспечивает необходимое питание.

7. Требования физического размера и монтажа: выбрать правильный размер и способ установки в соответствии с ограничением пространства применения и установкой. Для некоторых приложений могут потребоваться сенсоры меньшего размера или специальный монтажной интерфейс.

8. Стоимость и доступность: наконец, рассмотрим стоимость и доступность сенсоров. Некоторые сенсоры могут быть более дорогими или недоступными, в то время как другие более дешевыми и доступными.

В зависимости от вышеуказанных точек можно выбрать подходящие параметры сенсоров температуры. Ниже приведены некоторые общие типы температурных датчиков и их среда:

— термистор (Thermistor) : применяется к диапазону постоянной температуры с более высокой точностью, но с более длинным временем отклика.

— термопара (Thermocouple) : применима к температуре, имеет время быстрого реагирования и более высокую точность.

— инфракрасный датчик температуры (Infrared Temperature Sensor) : применяемый к неконтактным измерениям, широко применяемый в промышленности и на дальнем расстоянии.

— температурный чип (температор IC) : интегрированный датчик температуры и схема обработки сигналов, применимый к цифровым системам и микроконтроллерам.

В заключение следует отметить, что выбор правильных параметров температурных сенсоров, основанных на различных потребностях и факторах окружающей среды, является решающим фактором, который может обеспечить точность и надежность измерения температуры только в Том случае, если соответствующий выбор будет получен после всестороннего рассмотрения всех факторов.

RF522 3BSE000743R1

Intelligent Photonic Computing Chip (Intelligent Photonic Sensing Computing Chip) — новый вычислительный чип, основанный на фотонных технологиях, имеющий преимущество в скорости, эффективности и низкой энергии. В этой статье подробно описаны принципы, применение и перспективы будущего развития интеллектуального фотонного вычислительного чипа.

Во-первых, принцип вычислительного чипа с помощью разумного фотонного передатчика

Чип intel использует фотонную и фотонную электронику в качестве средства передачи информации для выполнения высокоскоростных и параллельных вычислительных задач. Принцип состоит в основном из двух частей: DPA423GN-TL фотонного чипа и сенсорного чипа.

Фотонный чип является центральным компонентом интеллектуального фотонного вычислительного чипа, состоящего из источников света, модуляторов света, переключателей света, детекторов света. Световой сигнал, генерируемый источником света, модулируется через модулятор света, затем проходит через выключатель света, который в конце концов получает и преобразуется в электрический сигнал детектором света. Фотонные чипы имеют преимущество в скорости передачи светового сигнала, большой объем информации и устойчивости к помехе.

Сенсорный чип является вспомогательным компонентом интеллектуального фотонного вычислительного чипа, используемого для сбора световых сигналов в окружающей среде и перевода их в электрические сигналы в фотонный чип для вычисления. Дизайн сенсорных чипов должен сочетать конкретные прикладные сценарии, такие как оптическая сенсорная восприятие, оптическая связь, оптическое изображение и т.д. Преимущество сенсорных чипов заключается в высокой чувствительности, низких шумах, многоканальных характеристиках.

Во-вторых, применение интеллектуального фотонного вычислительного чипа

Интеллектуальные фотонные вычислительные чипы имеют широкие возможности применения во многих областях. Ниже приведены некоторые конкретные сценарии применения:

1. Оптическая проводимость: умные фотонные вычислительные чипы могут использоваться для мониторинга окружающей среды, медицинской диагностики, продовольственной безопасности и т.д. Быстрое обнаружение и анализ параметров окружающей среды, биологических молекул, химических компонентов и т.д.

2. Оптическая связь: умные фотонные вычислительные чипы можно использовать в высокоскоростных оптоволоконных системах связи. Высокая скорость, высокая пропускная способность фотонного чипа может увеличить скорость передачи и емкость связи, удовлетворяя растущий спрос на передачу данных.

3. Оптическое изображение: умные фотонные вычислительные чипы могут использоваться в оптических системах отображения в высоком разрешении и реальном времени. С помощью управления и обработки световых сигналов можно получить более четкую и точную информацию о изображениях, применяемую в таких областях, как медицинское изображение, телеметрическое восприятие и т.д.

4. Искусственный интеллект: интеллектуальные фотонные вычислительные чипы могут использоваться для ускорения вычислений алгоритмов искусственного интеллекта. Преимущество фотонного чипа в параллельной вычислительной мощности и потреблении энергии может повысить скорость и эффективность алгоритмов искусственного интеллекта для достижения более быстрых и умных вычислительных задач.

В-третьих, перспективы развития интеллектуального фотонного вычислительного чипа

Интеллектуальный фотонный вычислительный чип как развивающаяся вычислительная технология с широкими перспективами развития. Вот несколько возможных направлений развития:

1. Повышение интегрированности: по мере развития технологии, интеграция интеллектуальных фотонных вычислительных чипов будет постепенно увеличиваться. Интеграция фотонного и сенсорного чипов в Один и тот же чип может уменьшить путь передачи светового сигнала, повысить стабильность и надежность системы.

2. Снижение энергопотребления: текущее умное фотонное вычислительное потребление чипа также сравнительно высокое, ограничивая его применение в приложении с низким энергопотреблением, например в мобильных устройствах. Одним из будущих направлений развития будет снижение энергопотребления и повышение эффективности использования энергии для удовлетворения более широкого спроса на применение.

3. Расширение применения: область применения интеллектуального фотонного вычислительного чипа будет расширяться. По мере того, как технология развивается, интеллектуальные фотонные вычислительные чипы, как предполагается, будут применяться в развивающихся областях, таких как квантовые вычисления, фотонные вычисления и т.д., предоставляя больше возможностей для научных исследований и инженерных приложений.

4. Процесс индустризации: интеллектуальные фотонные вычислительные чипы в настоящее время находятся в стадии разработки и экспериментальных исследований и находятся на определенном расстоянии от их применения. Одним из направлений будущего развития является продвижение процесса индустризации интеллектуальных фотонных вычислительных чипов, усиление сотрудничества с соответствующими цепочками и реализация коммерческого применения технологий.

В заключение:

Умный фотонный вычислительный чип () — новый вычислительный чип, основанный на фотонных технологиях, имеющий преимущество в скорости, эффективности и низкой энергоемкости. Принцип состоит из двух частей фотонного и сенсорного чипа, которые широко используются в таких областях, как оптическая проводимость, оптическая связь, оптическое изображение, искусственный интеллект. Будущие перспективы развития включают повышение интегрированности, снижение энергопотребления, расширение применения и процесс индустриализации. Интеллектуальные фотонные вычислительные чипы обещают играть важную роль в области информационных технологий, продвигать технологические инновации и социальный прогресс.

RH926KN

Кремниевые фотонные технологии, являющиеся продуктом глубокой интеграции информационных технологий и фотонных технологий, постепенно демонстрируют свой огромный потенциал в повышении скорости передачи данных, снижении энергопотребления и повышении интегрированности систем, особенно в области искусственного интеллекта (ии) и машинного обучения (мл). С ростом количества данных и увеличением сложности вычислительной задачи традиционные технологии взаимосвязанной связи, основанные на электронах, постепенно приближались к ее пределу производительности, в то время как появление кремниевых технологий открыло новые пути решения этих проблем.

Описание технологии кремния

Кремниевая фотоника — технология производства, использующая кремниевые материалы для реализации фотонных устройств, интегрирует оптические элементы, такие как волновод, модулятор FAN3111CSX, детектор и т. д. Основное преимущество этой технологии заключается в возможности использовать созданные технологии производства полупроводников, значительно сократить расходы и повысить эффективность производства, в то время как при помощи высокоскоростных возможностей распространения света можно добиться высокоскоростной передачи данных.

Приложение в Ай/мл

Быстрое перемещение и обработка данных являются ключевыми в реализации эффективных вычислений в приложениях AI и ML. Традиционные технологии электросвязи, столкнувшись с требованиями высокой пропускной способности и низкой задержки, часто ограничены ослаблением сигнала, электромагнитными помехами и потреблением энергии. Технология оптической связи кремния эффективно решает эти проблемы с помощью оптических сигналов:

1, высокопроизводительная передача: световые сигналы могут распространяться почти со скоростью света в кремниевых чипах, которые значительно увеличивают скорость передачи данных и имеют решающее значение для быстрой обработки массивных наборов данных.

2, низкая энергоемкость: оптическая передача обладает меньшим энергопотреблением, чем электронная связь, которая помогает сократить операционные расходы центра данных в целом и облегчить экологическое бремя.

В-третьих, оптимизация теплового управления: световые передачи почти не генерируют тепло, что помогает улучшить управление теплом в системе, что особенно важно для высокоплотного интегрированного ии оборудования, которое предотвращает снижение производительности или системные сбои в результате перегрева.

4, повышение интенсивности: кремниевые технологии позволяют интегрировать сложные фотонные схемы в микроскопическое пространство чипа, стимулируя более компактный и плотный системный дизайн, который имеет важное значение для уменьшения и портативной обработки аппаратного обеспечения AI/ML.

Технология фотосинтеза

Технология оптической связи на пластинках является важной веткой кремниевой технологии, которая интегрирует непосредственно внутри чипа оптические компоненты, реализуя высокоскоростную передачу данных между чипами или внутри чипа. Эта технология не только сократила расстояние от передачи данных, сократила шаги по преобразованию сигнала, но и усилила эффективность обработки данных и скорость реакции, что особенно важно для создания высокопроизводительных ускорителей ии и больших параллельных вычислительных систем.

Решение для короткой оптической связи

Внутри центра данных короткая оптическая связь с использованием кремниевых оптических технологий обеспечивает эффективную программу передачи данных. Высокоскоростное соединение между серверами, хранилищами и сетевыми устройствами может быть достигнуто с помощью модуля света и коммутатора света, что значительно повышает общее производительность и эффективность центров обработки данных.

Потенциальное влияние кремниевой технологии в повседневной жизни

Хотя кремниевые технологии в настоящее время применяются в основном в центрах обработки данных и областях высоких производительности, их влияние на повседневную жизнь в будущем нельзя игнорировать. По мере того, как технологии созревают и снижаются, кремниевые технологии, как ожидается, проникают в более широкие области, такие как:

● потребительск электроник: высокоскоростн, низк потреблен энерг свет interconnect техническ может использова для будущ смартфон, виртуальн реальност/AR устройств опыт пользовател.

● интернет вещ: в интернет вещ оборудован высокоскоростн, отношен на расстоян беспроводн коммуникац, содейств умн дом, мудрост городск глубин концепц развит.

● медицинск здоров: в медицинск, дистанцион операц област, высок пропускн способн, низк задержк коммуникацион технолог поддержа бол операцион и бол быстр анализ Дан, повыша качеств и эффективн медицинск обслуживан.

Кремниевые технологии являются не только революцией в области ии/мл, но и важным двигателем будущего развития информационных технологий, который демонстрирует огромный потенциал в повышении производительности, снижении затрат, оптимизации управления теплом и т.п., предвещая более эффективную и умную цифровую эру.

RMB-10V2-SYNQNET

Транзистор типа изолятор (IGBT), являющийся мощным полупроводником, стал ключевым инструментом в области электроники с 1980 — х годов. Важность IGBT усиливается по мере того, как глобальный спрос на энергоэффективность и преобразование электроэнергии растет. В этой области рост национальной продукции IGBT означал не только технологический прорыв китая в высокотехнологичной промышленности, но и новую динамику в мировом рынке энергоносителей.

Основные принципы и применение IGBT

IGBT — компактный транзистор, состоящий из двух полярных транзисторов (MOSFET) и транзистора биполярного типа (BJT), обладающий свойствами высокого входного сопротивления и низкого давления. Основной принцип работы заключается в Том, чтобы использовать мосфет для управления открытием и выключением BJT, таким образом, для эффективного преобразования энергии и управления. Поскольку IGBT обладает превосходными характеристиками переключателя и высокой способностью к давлению, его широко применяют в таких областях, как преобразователи частоты EP20K600EBC652-1X, инверторы электромобилей, интеллектуальная электросеть, орбитальные транспортные средства и т.д.

Развитие национальной продукции IGBT

Промышленность IGBT в китае стартовала позже, но быстро развивалась. Первоначально внутренние предприятия развивались медленнее в секторе IGBT из-за технических барьеров и патентных ограничений, и рынки были монополизированы в основном иностранными корпорациями. Тем не менее, национальная продукция IGBT постепенно поднимается по мере поддержки национальной политики и неустанных усилий местных предприятий.

В последние годы такие компании, как хуа, Китай, Китай, биади и другие добились значительного прогресса в исследованиях и производстве IGBT. В частности, такие компании, как институт электромобилей китая и сунь цзы, и биади-полупроводниковый лимитед лимитед, уже способны производить продукты IGBT, которые достигаются почти или даже за пределами международного передового уровня благодаря независимым разработкам и технологическим инновациям. Это не только удовлетворяет потребности внутреннего рынка, но и постепенно открывает двери для международных рынков.

Технологические прорывы и инновации

Рост национальной продукции IGBT не может быть возможен без непрерывных технологических прорывов и инноваций. Во-первых, прогресс в технологии материалов. Применение новых полупроводниковых материалов, таких как карбид кремния (SiC) и нитрид Галлия (галлий), позволило значительно повысить производительность IGBT в экстремальных условиях, таких как высокая температура, высокие частоты и высокое давление.

Во-вторых, усовершенствованные технологии производства. По мере того, как технология нанопроизводства созрела, структура IGBT стала более тонкой, а интеграция и надежность приборов возросла. Например, технология чипа IGBT третьего поколения, используемая накачао, была достигнута с помощью оптимизации чипа и усовершенствования технологии производства, с помощью оптимизации чипа и улучшения процесса производства, с помощью более низкого проводящего сопротивления и более высокой плотности тока.

Кроме того, применение технологии управления интеллектуальной энергией значительно улучшило производительность IGBT. Эффективность и надежность работы IGBT значительно возросла, введя умные алгоритмы управления и системы мониторинга реального времени. Например, модуль IGBT в интеллектуальной энергосистеме может адаптироваться к данным в реальном времени, таким образом повышая эффективность использования энергии и системную стабильность.

Перспективы рынка и проблемы

Рост национальной продукции IGBT привлек большое внимание не только на внутреннем рынке, но и на международных рынках. Согласно данным агентства рыночных исследований, спрос на мировом рынке IGBT будет продолжать расти и ожидается, что к 2025 году рынок будет составлять более 10 миллиардов долларов. Перспективы развития национальной продукции IGBT, являющейся одним из крупнейших мировых рынков электроники и электроники, огромны.

Тем не менее, национальная продукция IGBT сталкивается с множеством проблем одновременно с быстрым развитием. Во-первых, устойчивое развитие технологических инноваций. Несмотря на то, что национальная продукция IGBT достигла международного передового уровня в некоторых областях, для того чтобы оставаться впереди, необходимы постоянные инвестиции в фундаментальные исследования и прикладные инновации. Во-вторых, совершенствование цепочки. Производство IGBT включает в себя несколько циклов, таких как материалы, производство, изготовление, упаковка и тестирование, каждая из которых может повлиять на развитие всей промышленности. И наконец, интенсивность рыночной конкуренции. По мере того, как все больше международных предприятий выходят на китайский рынок, отечественным IGBT компаниям необходимо постоянно повышать свою конкурентоспособность в ответ на растущую рыночную конкуренцию.

эпилог

Важность IGBT как основного инструмента современных электронных технологий является очевидной. Рост национальной продукции IGBT ознаменовал не только технологический прорыв китая в высокотехнологичной промышленности, но и вдохнул новую жизнь в мировой рынок энергоносителей. По мере развития технологий и постепенного совершенствования цепочек промышленности, национальная продукция IGBT обещает занять более важное место на будущих мировых рынках и внести больший вклад в достижение более эффективного, более надежного преобразования электроэнергии и контроля.

SDCS-PIN-51

Быстрое развитие технологий автопилотирования, в частности, появление таких автопилотов, как «redic racing», тихо меняет нашу жизнь и образ работы. Эта технология не только значительно повысила эффективность транспорта и безопасность, но и оказала глубокое воздействие на рынки труда на более глубоком уровне, особенно в традиционных автомобилях и связанных с этим отраслях промышленности. В этой статье будет обсуждаться вопрос о Том, как технология автопилота может вызвать феномен замены рабочих мест в технологии ии, а также социально-экономическое значение изменений.

Подъем техники автопилота

Автопилотируемые автомобили, которые могут осуществлять автономную навигацию, принятие решений и управление транспортом посредством интегрированных сенсоров, камер, радаров, GPS и продвинутых алгоритмов, значительно сократили спрос на использование людей. Например, в качестве первой платформы в китае, ориентированной на предоставление услуг автопилотирования общественности, он демонстрирует не только зрелость технологии автопилотирования, но и предвещает начало эры разумного движения.

Влияние технологии ии на рабочие места

1, прямая смена рабочих мест: наиболее интуитивное воздействие проявляется в профессиональной группе водителей. В связи с распространением технологий автопилотирования, традиционные должности водителя такси, водителя фургона и т.д. Этой части рабочей силы, возможно, придется обратиться к другим областям или переобучаться, чтобы приспособиться к новым требованиям на рынке труда.

2, реконструкция цепочки промышленности: продвижение технологии автопилотирования и изменение связанных с ней цепочек. Например, в таких областях, как высокоточные карты, датчики загрузки ADG619BRMZ, разработка алгоритма AI и т.д. В то же время новые рабочие места, такие как техническое обслуживание автомобилей, обработка данных и анализ, кибербезопасность и т.д.

3, косвенные последствия: в дополнение к непосредственно связанным отраслям, технология автопилота может косвенно влиять на такие отрасли, как логистика, страхование, городское планирование и т.д. Например, автоматизация грузовых перевозок в логистической отрасли будет более эффективной, но в то же время может снизить спрос на традиционные логистики; Страховая индустрия, в свою очередь, должна скорректировать модель оценки рисков для адаптации к новым вызовам, возникающим при автопилотировании.

Социально-экономический значение

1, повышение эффективности и безопасности: технологии автопилота эффективно снижают уровень транспортных происшествий, повышают эффективность транспортных потоков и в долгосрочной перспективе благоприятствуют общему социально-экономическому прогресу.

Во-вторых, переход рабочей силы: в то время как технологический прогресс может привести к потере части рабочих мест в краткосрочной перспективе, в долгосрочной перспективе, технический прогресс побуждает рабочую силу перейти на рабочие места с более высокой квалификацией и более высокой добавленной значением, способствуя повышению производительности труда в целом.

3, инновации и экономический рост: развитие технологии автопилотирования способствовало росту индустрий высоких и новых технологий, обеспечивая новый стимул для экономического роста. В то же время, это дало широкую сцену для инновационных предпринимательских проектов, которые вдохновили экономику.

Технология автопилотирования и применение технологии ии, которую она представляет, несомненно, способствуют глубокому изменению структуры занятости. Столкнувшись с этой тенденцией, фирмы и социальные сообщества должны активно реагировать на нее, помогая трудовым ресурсам адаптироваться к новым технологическим условиям и способствовать плавному переходу на рынок труда посредством реформ системы образования и обучения. В то же время следует поощрять технологические новшества, использовать эту историческую возможность и содействовать всестороннему обновлению экономического общества. В волне технологий автопилотирования проблемы сосуществуют с возможностями, и ключ к этому лежит в Том, как мы умело используем и реагируем на них.

SK827005-SK827100-AS-480V-60HZ

Хорошие новости из индустрии смартфонов от 11 июля. В 2024 году apple планирует увеличить поставки новых iPhone на 10%, и ожидается, что выпуск iPhone16 во второй половине этого года достигнет 90 миллионов. Предполагается, что модель apple iPhone 16 Pro будет оснащена обновлённым главным объективом с новыми датчиками, способными улучшить низкие световые свойства, которые будут иметь совершенно новые сложные программы. Ранее apple заказывала только у Sony только информационные информаторы, которые были необходимы для заказа, поскольку apple добавляла новые технологии и опасалась, что у них будет дефицит, samsung может быть включен в сферу закупок СНГ. За пределами apple мы видим, что в этом году на флагманском смартфоне хуа-хуа, глори-лау, сяо-ми, все больше и больше изображений производится на отечественных высококлассных датчиках изображения. Технологическая эволюция CMOS-сенсоров с момента появления смартфонов достигла быстрых полос. Эта статья иллюстрирует рыночные и технологические тенденции сенсоров изображений на смартфонах 5G в последнее время. 50 миллионов пикселей для высококлассных смартфонов. Размер рынка в этом году, как известно, превысило 21,4 миллиарда, поскольку сенсорные изображения являются важными компонентами светочувствительного света, а уровень участия в информационно-оптической связи выше, чем в CCD (компоненты светочувствительной связи) из-за малого размера и низкой стоимости, а также широкого применения мобильных телефонов, автомобилей, контроля над транспортом, медицинского обслуживания и, в частности, самого ценного компонента модуля линз. В последнем аналитическом докладе TechInsights отмечается, что рынок смартфонов восстал, а доходы выросли более чем на 10% в четвертом квартале 2023 года. Корректировка рынка способствовала снижению запасов, а также сезонному увеличению заказов на высококачественные смартфоны, что привело к увеличению рыночных доходов в этом квартале. Sony semiconductor resolutions достигла рекордного уровня по количеству изображений на смартфонах, заняв первое место в списке, за ним последовали samsung и howway technology. Данные группы консультаций показывают, что в 2023 году рынок смартфонов немного увеличился, а в 2023 году мировой рынок информационных сенсоров в размере 19 миллиардов долларов вырос на 2% в годовом исчислении. В связи с повышением технологического уровня СНГ и ростом различных приводных сцен, спрос на СНГ высокой производительности также продолжал расти. Групповая консультация по вопросам интеллекта прогнозирует, что мировые рынки СНГ в 2024 году будут составлять 21,4 миллиарда долларов, а совокупный рост составит более 13% в год. Исследование Yole Group показало, что количество камер, размещенных в среднем на одном смартфонах, также растет с каждым годом, предполагая, что 3,9 с 2022 года до 4,6 с 2028 года. Камеры смартфонов включают в себя увеличение количества видео-сенсоров CMOS, что приводит к увеличению спроса на рынке cmos и вливает мощную кинетическую энергию в рынок мобильных информаторов. В сфере мобильной информационной информации появились три тенденции: одна, 50MP, наличие постепенной замены 64MP продукции, рост спроса на 57,8 % в 2025 году. На высококлассных смартфонах 50 миллионов пикселей сенсорных изображений становятся стандартными; 2, 50MP продукция, произведенная на территории страны, добилась успеха и ускорила родовое производство высококачественных моделей. 3. В последние годы, когда количество камер в мобильных телефонах было зафиксировано, сенсоры не преследовали высокие пиксели, и производители сенсоров работали над более высокой скоростью и динамикой, чтобы удовлетворить потребности производителей смартфонов. Следуйте за более динамичным диапазоном! Sony IMX989, IMX858, совместимые с внутренними флагманскими производителями, принадлежат главному аналитику Strategy Analytics в TechInsights: «Производители смартфонов работают над оснащением телефонов высокопроизводительными камерами, обеспечивая превосходную качество изображения, быстрое автоматическое фокусирование и превосходную функцию HDR. Сегодня спрос на 50 миллионов пикселей СНГ в больших размерах пикселей и более широких оптических форматах растет с каждым днем. Наше исследование показало, что в 2023 году объем продукции СНГ с разрешением более 50 миллионов пикселей будет превышен 800 миллионов.» Sony выпустила датчик изображений IMX989, первый однодюймовый датчик изображений. Здесь достаточно места, чтобы впустить больше света, чтобы снять невероятные детали и четкие изображения. Он также обладает высокой динамической диапазоной, достигающей лучшей низкой световой производительности и более точной репродукции цвета. После того, как маргинализированные эффекты, вызванные высоким пикселем, становятся все более очевидными, многие производители СНГ уже поняли, что более высокая динамическая сфера является новой тенденцией, и что ее значимость может сравниться даже с вычислительной фотографией. Существует множество технических маршрутов для реализации высокодинамического изображения, таких как традиционный мультиплановый синтез и т.д. В отличие от многих синтов, технология DCG, одновременно читаемая, предоставляет доступ к изображениям HDR. Sony IMX989 — мощный и широко используемый датчик изображений, обеспечивающий широкий спектр функций для высококачественных смартфонов и камер. Он поддерживает DCG-модель, за исключением того, что он использует технологию 40nm, которая значительно повышает энергопотребление после открытия DCG. Другой отличительной особенностью IMX989 является его быстродействующая автоматическая фокусировка. Он сочетает фазовое и контраст-тестирование, которое позволяет быстро и точно фокусироваться. IMX989 также применяется к сверхтонкому оборудованию с микроскопической формой 1/1,7 дюйма. Некоторые крупные технологические компании, такие как сяоми, Vivo и шарп, уже оснащены процессором в своих флагман-товарах. Однодюймовый сенсор, используемый на xiam 12S Ultra, является сенсором sony IMX989, который обладает способностью снимать 12MP изображения. В то время как LYT-900, выпущенная OPPO Find X7, является продуктом, выпущенным sony после обновления технологии и выпуска 22nm версии. Согласно последним данным, xiaomi 15 Pro будет оснащена телеобъективом с погружением и датчиками sony IMX858. Сенсор поддерживает пятикратный оптический зум, позволяющий пользователю ясно улавливать объекты на расстоянии. Диафрагма объектива f/ 2,5 помогает улавливать больше света, получая более яркие и четкие изображения даже в слабых условиях. Сенсор sony IMX858 имеет размер 1/251 дюйма и пиксель 50 миллионов пикселей. Sony IMX858 может обеспечить хороший ночной фотоэффект. Это первый подвидеодатчик, поддерживающий взаимодействие сверхнизких и многодиапазонных камер, который позволяет сенсорам осуществлять многомерные и цветные изменения. Мобильные информаторы добились прорыва в продуктах с большим нижним уровнем! В январе 2023 года компания «howway technologies» выпустила первый в мире микропиксельный датчик изображений с высоким разрешением 1,2 микропикселя для задней камеры смартфона. Этот высококачественный датчик изображения использует технологию двойного преобразования (DCG), 1,2 микропикселя и 1/ 1,3 дюйма оптики, поддерживает несколько моделей HDR и высокую частоту кадров, разработанных специально для высококачественных смартфонов. Фотография позволяет гордиться тем, что CMOS-сенсорная оптическая сеть web-technology (см. Комбинирование 4 — х совместных пикселей может обеспечить 12 с половиной миллионов пикселей видео и превью, с эквивалентной чувствительностью к 2,4 микрона, что позволяет достичь блестящих слабых световых свойств; Поддерживает скорость кадра до 120 кадров в секунду, имеет чувствительность к слабым лучам света. Продукт был представлен в апреле 2023 года, в апреле этого года он был выпущен на рынок для серии Pura70, а также успешно заменил чип sony, который стал главным датчиком фотосъемки стандартной версии Pura70, в то время как уровень производства хуа в качестве жизненно важных компонентов мобильного телефона еще выше. На P70 вава загрузил 50 миллионов пикселей первичных сенсоров, что привело к демонстрационному эффекцию, с помощью которого компания вэйр в этом году распространяет 50 — мг пикселей на национальный телефон. Этот продукт используется для ежегодных смартфонов с первичным фотооптическим модулятором (СНГ), которые используются для замены предыдущей модели sony и samsung. Известн, что в 50MP телефон информатор чип област, планировк OV50A, OV50D, вейр OV50E подожда пят продукт, успешн колон местн телефон, ждал … получ huawei, прос, слав местн термина флагманск модел дол, прикладн в эт высококлассн флагманск телефон баб и камер посл баб, в бортов изображен сенсор област, OX08D10 хауи представил свою новейшую технологию teiacel, объединяющую DCG и LOFIC в двух основных решениях. OX08D10 использует архитектуру LOFIC однофотодиодов, объединяющую большую ёмкость, чтобы улавливать электрический заряд, который выходит из фотодиодов и достигающий большей емкости колодца. В связи с этим теясель может увеличить еще две короткие экспозиции за пределами DCG, тем самым достигая динамического диапазона до 140dB. Недавний полугодовой отчет о результатах работы вейр за 2024 года показал, что ожидается, что чистая прибыль, принадлежащая материнской компании в первой половине 2024 года, составит от 1,8 МЛРД до 1,4 МЛРД юаней, что увеличило соотношение между 754,11 % и 819,42 % в годовом исчислении. Компания заявила, что с импортом продукции на рынок высококачественных смартфонов и непрерывным внедрением приложений автопилота на автомобильном рынке, доходы от корпоративных батальонов увеличились. В январе 2024 года stwey представила первый 50M-спецификационный продукт SS580XS, разработанный специально для главных камер высококлассных смартфонов, с несколькими инновационными технологиями, включая новое поколение пиксельных технологий SFCPixel-2, Также как и PixGain HDR и AllPix ADAF. Эти технологии позволяют SC580XS достигать низких шумов, полной пиксельной фокусировки и сверхнизкой мощности, одновременно поддерживая высокий динамический диапазон. SC580XS был построен на технологических процессах 22nm HKMG и, таким образом, обладает превосходным низким энергопотреблением. По сравнению с аналогичным продуктом, его потребление на съёмках в различных целевых режимах снизилось на 34% и 56% соответственно. На днях, согласно недавнему объявлению, в первой половине 2024 года ожидается, что в первой половине 2024 года в батальонах будет собрано от 2,4 до 2,5 миллиардов долларов США, которые будут использованы для значительного увеличения объема поставок 50 миллионов пиксельных товаров высшего порядка по главной камере, широкоугольной и широкоугольной объективов флагманского телефона, что привело к значительным улучшениям в области сбора смартфонов. По последним данным, выпущенных производителями sony, howway и stitwey, более 100 миллионов изображений выше пикселей больше не являются необходимостью, в отличие от СНГ с высокодинамическими технологиями, такими как DCG. Узлы: в 2024 году спрос на смартфоны в терминале оживает и повышает спрос на информационные информационные сети. Последний доклад IDC показывает, что объем поставок смартфонов во всем мире за второй квартал 2024 года вырос на 65% в годовом исчислении и достиг 2854 миллионов единиц. Более высокие функциональные возможности, такие как ускорение производства продукции 50 мп в стране, гиперширокоугольный и телеобъектив высшего класса, а также дальнейшее расширение спроса на смартфоны СНГ. Sony, samsung расширяют свою долю на рынке, постоянно задействуя новые товары, китайские производители хоуи и стьюи добились прорыва в 50 миллионов первичных сенсорных изображений, и мы полагаем, что соотношения цен на 50 миллионов пиксельных сенсоров в стране также приведут к возрослению рынка смартфонов. Посмотрим, какие новые прорывы будут достигнуты в технологии сенсоров изображений в будущем, когда они будут обращены в сторону спроса на консоли сотового телефона.

SK-H1-ASICBD-D1030