Общественная информация

Будучи третьим поколением полупроводников, ган уже широко применялась в таких областях, как электроника, зарядка. Высокочастотные свойства гена могут помочь уменьшить объем энергии и в то же время повысить эффективность преобразования, поэтому во многих областях, в Том числе в автомобилях, фотоэлектрических приложениях и т.д. В частности, микро-инверторы, применяемые фотовольт, добились определенного успеха на рынке в последние годы, поскольку производители «GaN» активно продвигали соответствующие программы и продукцию. В последние годы рынок миниатюрных инверторов, пользующийся преимуществами применения гена в фотоэлектрической системе, резко возрос, и, конечно, благодаря распространению чистых источников энергии, таких как фотоэлектрификация. Миниатюрный инвертор может преобразовать постоянный ток, генерируемый фотоэлектрическими панелями в электросеть или домашний переменный ток, который может иметь прямой доступ к сети или семье. По сравнению с традиционной группой каскадных преобразователей, она обладает преимуществами для повышения эффективности системы, безопасности и гибкости. В дополнение к преобразования постоянного тока в переменный, микроинвертор также может осуществлять индивидуальное отслеживание максимальных точек мощности (MPPT) на каждый блок фотоэлектрической панели, обеспечивая тем самым оптимальное функционирование каждого элемента фотоэлектрической системы, тем самым повышая эффективность производства электроэнергии в целом. Как правило, миниатюрные инверторы устанавливаются вместе с фотоэлектрическими аккумуляторами, которые более гибкие в использовании, поскольку микро-инверторы имеют меньший объем и поддерживают тепловое подключение. И поскольку в большой фотоэлектрической системе имеется несколько миниатюрных инвертеров, проблемы с одним инвертором также не влияют на работу системы в целом. Преимущества миниатюрных инверторов также очевидны в плане безопасности. С меньшим количеством фотоэлектрических панелей, связанных с каждым миниатюрным инвертором, работа уменьшает риск электрошока высокого давления при более низком постоянном напряжении, повышая безопасность системы в целом. Использование высокочастотных трансформаторов привело к дальнейшей изоляции электрической сетки между батареями и электросетями, усилив охрану системы. В таком случае, согласно этим описаниям, Морган является полупроводником с широким запретным полосом, а мощный прибор моргана используется для миниатюрных инверторов. Во-первых, высокочастотная характеристика оборудования «Морган» может значительно повысить плотность мощности целого миниатюрных инверторов, а во-вторых, более низкие проводниковые потери, которые могут повысить эффективность преобразования и снизить потери, одновременно увеличивая надежность и продолжительность жизни системы. Как в одинаков был площад случа, ид у по сопротивлен с-ест метр Ω / объедин, кремн по сопротивлен с — Ωm 117 / объедин. В то время как при плотности мощности, например, в случае с OCB, программа OBC, использующая Морган, может быть уменьшена на 60% по сравнению с программой SiC, одновременно реализуя частоту переключателей, которая на 62% выше, чем SiC, таким образом, может иметь более высокую плотность и эффективность преобразования по сравнению с SiC. Таким образом, в 2022 году немецкая фотоэлектрическая компания SolarnativeEPC использовала ген-инвертор EPC в своем новом миниатюрном инвертере, который, как предполагается, был самым малым инвертором в мире в то время, размером 23,9 мм, 23,2 мм, x 404 мм и имел плотность 1,6 КВТ/л. В августе прошлого года компания Transphorm, производитель энергоресурсов Transphorm, объявила, что первый полностью интегрированный инвертор transphorm был использован на фотоэлектрической системе GaN FET в первой полностью интегрированной инвертер-системе в мире. DaHeng энерг на SolarUnits продукц (DC-DC и DC-AC) использова Transphorm 150m Ω и 70m Ω ид фет прибор. Согласно данным Transphorm, потенциальный рынок меган в применении фотоэлектрических миниатюрных инверторов составляет более 500 миллионов долларов, что также привлекло больше производителей, которые начали расширять рыночное применение гена в фотоэлектрических миниатюрных инвертерах. В 2022 году beni electric продемонстрировал 2800W четырёхканальный инвертор с использованием технологии GaN, с эффективностью преобразования до 97,5%, с возможностью подключения к 4 панели и с помощью мониторинга электроэнергетики каждого модуля для поддержания и управления на уровне модуля. В ид в фотоэлектрическ микр-инвертор, нужн учитыв мощност транзистор встроен функц в и защит, а микр полупроводник решен явля, посредств различн электричеств электрон функц, включ сеточн, защит функц, высокоскоростн контрол, защит ид мощност выключател интегрирова отдельн ид чип, интегральн ид питан IC. По сравнению с разделением гена E-HEMT, динамический IC гена может снизить сложность проектирования системы, а также снизить стоимость и размеры. В настоящее время в линейке nмикрополупроводников, выпущенной на генфаст-чипе, комбинации гена могут применяться в фотоэлектрических микропреобразователях с номинальной мощностью от 350 до 10 КВТ. В то же время предлагается интегрированная компактная динамическая динамика гена, которая помогает повысить эффективность и надежность применения фотовольт и снизить расходы на ватт. В августе прошлого года innoseco выиграла в номинации «однофазовый инвертор» (loyang) лимитированный инвертор, в качестве производителя мощного гена, и innoseco продолжает расширять применение гена в фотоэлектрических миниатюрных инверторах. Inverter project 2kW, разработанный компанией Flyback+H-bridge Inverter, с использованием flyback + h -bridge inverter, с использованием 150V и 650V генов, которые имеют существенное преимущество в проводах и движении потерь, которые также получили хороший тепловой эффект. В отличие от традиционной программы СИ-СИ, 2kW уменьшает объем на 20%, а энергоносители на 35%, значительно повышая производительность системы и плотность мощности, более эффективно применяя модульный дизайн для фотоэлектрических массив на крыше. В настоящее время устройство power GaN реализует масштабное применение на фотоэлектрический миниатюрный инвертор. Поскольку применение технологии «Морган» в фотоэлектрической обратной связи может привести к миниатюризации, эффективности и другим преимуществам, то в будущем будет также больше микро-инверсивных производителей, которые будут использовать оборудование «Морган» в будущем. Согласно данным Mordor Intelligence, мировой рынок микроинверторов в 2024 году оценивается в 3150 миллионов долларов США, и ожидается, что к 2029 году он достигнет 774 миллионов долларов США, а совокупный ежегодный прирост (CAGR) составляет 19,70 %. Высокоскоростной рост в будущем микрообратной рыночной площади также даст больше места для рынка производителям ган.

07AA61 GJV3074366R0001

В связи с технологической зрелостью и дальнейшим снижением стоимости, рынок электромобилей BLDC продолжает развиваться. В то же время, такие продукты, как промышленные машины, имеют новые требования к энерго-ресурсам, а также постоянно повышающиеся требования пользователей к использованию бытового оборудования, что позволяет электромобилям без кисточки постоянно повторяться в техническом плане, особенно в качестве электродвигателя IC, являющегося ключевым компонентом БДС. В ближайш будущ, па запуст нов высоковольтн интегральн с половин мост (IHB) мотор двигател IC линейк продукт BridgeSwitch ™ — 2, инвертор достижен до 99% преобразован эффективн, максимальн распространя на 1 лошадин сил (746W) однофазн ил трехфазн электрическ мотор привод приложен. Продукт обладает тремя основными характеристиками: уоблегчением теплового дизайна, оптимизацией встроенных функций определения фазового тока, оптимизацией системных характеристик, и, в-третьих, способностью к спящим моделями, с низким потреблением энергии в самолете до 10 мw. Нов мощност инкапсуляц, IHB архитектур, IC понижен температур бол 30 ℃ BLDC выигра структурн прост, высок неэффективн потреблен энерг, долгоживущ когд преимуществ получ широк приложен, особен в промышлен област, преимуществ бол очевидн. В промышленных прикладных сценах также более распространены мощные электромобили без щетки и применяются в более мощных продуктах. Что касается применения в электромеханических двигателях мощных продуктов, то вопрос о Том, как повысить тепловую производительность, должен быть решен. Джейсон ян, старший менеджер по техническому обучению PI, отметил, что традиционные инверсии для BLDC-драйверов обычно используются IPM-модули. Модуль IPM интегрирован в Один из шести переключателей мощности, которые часто приспособлены только к среднему и низкому уровню продукции с низкой мощностью из-за концентрации тепла. Потому что если мощность слишком велика, с проблемой рассеяния будет сложнее справиться, как правило, с помощью IPM модуля с внешней радиацией металла. Но потеря нескольких переключателей мощности в модуле IPM может привести к централизованному нагреванию, и даже после добавления экспансивных пластин следует рассмотреть вопрос о Том, как решить ряд регулирующих мер, таких как изоляция, а также экспериментальные проблемы с вибрацией оборудования. В решении проблемы рассеяния BridgeSwitch-2 использует открытый тепловой сварочный диск, направляющий тепло к PCB пластине, используя его для охлаждения. Для различных моделей bridgeeswitch -2 использовались различные способы печати. Например, модель с малым применением мощных электромобилей имеет компактную конструкцию InSOP-24C, в то время как в приложении с высокой мощностью используется новая инсоп -L38, поскольку она больше по объему и обладает большей теплоизоляционной мощностью, поэтому она также может работать с более высокой экспортной мощностью. BridgeSwitch — 2 инкапсуляц (рисунок источник: па) сто отмет, что BridgeSwitch — 2 интегральн с половин мост (IHB) архитектур, IHB архитектур тепл равномерн распредел ПХБ доск и устран сосредоточ горяч точк, могл бы IC понижен температур бол 30 ℃. Архитектура IHB также может повысить гибкость и надежность дизайна, количество компонентов может быть сокращено на 50%, а платное пространство PCB — на 30%. В условиях уменьшения потребления энергии до 10 мw, точность применения промышленных электромобилей для обнаружения изношения электромобилей в IPH составляет 92,5%, а также новые требования в отношении экономии энергии в промышленных электростанках, например, требования ес к потреблению энергии, начиная с 2025 года, требуют <300mW, а посудомоечная машина должна увеличить эффективность на 30%. Кроме того, Индия применяет к потолочному вентилятору свои целевые показатели экономии энергии на 50%. В настоящее время в индийских семьях используют около 800 миллионов потолочных вентиляторов и используют неэффективные однофазные индукционные электрические машины. Как электромеханические чипы могут быть инновационными в потреблении энергии? По сравнению с первым поколением продукции, PI настраивает приводное напряжение bridgeeswitch -2 на 15V, таким образом, совместимо с электрическим напряжением для существующих программ IPM модулей. Кроме того, программа включает режим сна. Тест принцип — : когд микроконтроллер обнаруж оборудован в ожидан рабоч состоян посл тог, как даст вспомогательн переда снижен выходн напряжен указан источник электроснабжен, котор сниз напряжен заряд инвертор и прям инвертор работа будет использова с электричеств, отдел особ тяжк получ сна даст до инвертор, позвол BridgeSwitch — 2 устройств включа реж сна. Джейсон ян заявил, что потребление энергии на двигателях в режиме сна может быть уменьшено ниже 10 мw, что делает систему более доступной для того, чтобы соответствовать стандартам ERP, которые меньше, чем 300 мw. Это также означает, что использование оборудования BridgeSwitch-2 может быть реализована в режиме ожидания, поскольку он может предоставить больше доступной мощности для загрузки. Что касается определения фазового тока, то традиционный подход состоит в Том, чтобы использовать способ обнаружения сопротивления внешним током, но есть два неблагоприятных условия: во-первых, это может повредить эффективность, а во-вторых, это потребует дополнительных схем, которые в некоторой степени увеличит системные издержки. В отличие от традиционных методов, интегральная функция BridgeSwitch-2 (IPH) предоставляет информацию о фазовом токе в реальном времени, что экономит 90% цепи обратной связи тока и сокращает потери инвертера более чем на 10%. В то же время, метод тестирования должен проводиться внутри, без воздействия внешних шумов и с большей точностью определять информацию о токе света. Обнаружение фазового тока играет решающую роль, и одна из них заключается в Том, что можно судить о продолжительности использования электродвигателя по анализу тока фазы. Традиционные методы обнаружения, основанные на шунтах, составляют всего лишь 55%, а методы обнаружения BridgeSwitch-2 IPH могут быть оценены с точностью до 92,5% из-за более точного определения тока фазы. Кроме того, работа электродвигателя зависит не только от оборудования, но и от поддержки программного обеспечения, который является системой, связанной с программным обеспечением. Пи обнаруживает, что многие клиенты также испытывают растущий спрос на общее решение проблемы, и что они нуждаются не только в поддержке со стороны производителей оборудования, но и в большем количестве доступных инструментов для оптимизации производительности и операций электродвигателя. Жил запуст BridgeSwitch — 2 аппаратн так образ па в то же врем, запуст котор соответств двигател отладк программн обеспечен-MotorXpert ™ программн обеспечен. Bridgeeswitch -2 поддерживается программным пакетом MotorXpert, который позволяет клиенту быстро отладить программное обеспечение, контролируемое алгоритмом, используемым в электромобиле, и сократить время выхода продукции в город. «Даже если клиент не знает программного обеспечения, MotorXpert может помочь клиенту изменить параметры работы электродвигателя, чтобы достичь оптимального эффекта соответствия», — говорит джейсон ян. Суммируя это, программа PI по новому продукту BridgeSwitch-2 предоставляет большую мощность на одну лошадиную силу, которая может охватить более высокое давление на BLDC; Характеристики его эффективных, низкоскоростных машин также делают оборудование в целом более эффективным, более энергоэффективным и доступным для большей функциональности и улучшают опыт использования пользователями. Точное обнаружение фазового тока позволяет конечному клиенту осуществлять «предсказуемое» обслуживание оборудования, таким образом сокращая время отключения цикла использования оборудования. Мы уверены, что новая продукция обеспечит «руку помощи» широкому использованию БДС.

1756-L72EROMS

По мере быстрого развития новых источников энергии, таких как ветер, солнечная энергия, влияние их прерывистых и волновых источников энергии на безопасность электросетей становится все более заметным. В этом случае необходимы станции с запасами энергии для того, чтобы быть «регулятором» электрической энергии, которые сохраняют избыточную энергию новых источников энергии и разряжают ее в часы пик, обеспечивая таким образом стабильность энергетической безопасности и энергетических систем. Однако традиционные независимые системы хранения энергии требуют более высоких затрат на инвестиции, в то время как совместные электростанции, занимающиеся накоплением энергии, разрушают традиционное «Один на Один» соответствие между станцией хранения и электростанцией «Один на Один», переключаются на «пару N» отношений, чтобы оптимизировать размещение ресурсов и максимизировать эффективность использования ресурсов. Развитие электростанций с общими запасами энергии, являющихся новой моделью управления и использования энергии, также началось только в последние годы, главным образом из-за массивного использования возобновляемых источников энергии и ускорения глобального энергетического перехода. Впервые в стране была предложена модель совместного использования энергии в провинции цинхай. В 2018 году цинхай перенаправил модель зарядки, использующую совместно используемую энергию, с ежедневного «одного заряда за раз» на «много зарядки за раз», чтобы достичь экономических выгод за счет повышения уровня использования электростанций с запасами. К июлю 2021 года национальный комитет по реформе развития и национальное энергетическое управление совместно опубликовали «руководящие рекомендации по ускорению развития новых видов запасов», в которых четко определено положение независимых рынков новых запасов, которые поощряют их участие в рынке вспомогательных услуг в качестве основных субъектов независимых рынков и стимулируют исследование создания общих запасов. Новые энергетические электростанции могут избежать высоких затрат на самостроительство, арендовав услуги по распределению запасов, которые, согласно данным, обычно сокращают расходы на строительство более чем на 10%. Кроме того, использование общих запасов посредством эффекта масштаба повышает общую оперативную эффективность и снижает стоимость единичных запасов. В связи с более крупными размерами, совместно используемая электростанция может более гибко участвовать в регулировании электросети, с тем чтобы обеспечить многоразовое зарядку в день, что значительно повышает эффективность использования запасов, в отличие от автоматической зарядки в день. Это не только поможет сократить пики и заполнить долину, но и принесет экономические выгоды, заработав разницу в ценах на электроэнергию. В этом году китайская ассоциация по производству химических и физических источников энергии опубликовала недавно книгу 2024 года, в которой говорится, что в 2024-2028 годах Китай будет совместно использовать накопленную энергию для развития «белых» источников энергии, которая, по прогнозам, достигнет 60,64 ГВТ к 2024- му году, а к 2030 году новый рынок общих запасов будет составлять 85% от общего числа новых источников энергии, Суммарная загрузочная машина с общей энергией общего пользования будет составлять около 65% от общего объема накоплений нового типа. С точки зрения размера мощности, в 2023 году было добавлено 12,41 GW/ 24,46 WH для совместного проекта по накоплению энергии, в результате чего доля новых проектов по поставке новых запасов в прошлом году увеличилась до 54,91% по сравнению с 44% в 2022 году и 10,91% по сравнению с 44% в 2022 году. Из них 46,46 % всей страны приходится на долю новых транспортных средств с общей энергией, как в китае, так и на юго-западе. В настоящее время в провинции шаньдун, хунань, ляонин, яньхун, чжэцзян, чжэцзян, чжэцзян, чжэцзян, чжэцзян, юньнань, ганьсу, Север реки, синьцзян и др. Например, с 2019 года компания усилила свои научно-технические инновации в области накоплений и разработала 112 научно-технических проектов в области накопления энергии, на разработку которых было выделено более миллиарда долларов. В этом году качественные и высококачественные стандарты должны быть разработаны для экспериментальных демонстрационных проектов по созданию новых источников энергии, активизировать инновационные инвестиции в новые источники энергии и осуществлять исследования и разработки, активно исследовать и продвигать бизнес-модели с общими ресурсами. Станция с общими источниками энергии находится в вентиляционной шахте, поскольку новые источники энергии быстро развиваются, а энергосистемы все больше нуждаются в регулирующих мощностях, совместно используемая станция является эффективным решением проблем нового энергоснабжения и энергосистемы, которые постепенно становятся новой фазой для рынков. Согласно неполной статистике, к концу 2023 года по всей стране были построены комплексные погрузочные машины для новых проектов по накоплению энергии (31,39 GW/ 66,87 ГВХ), новые проекты по поставке новых видов энергии, которые в 2023 году достигли 22,6 ГВТ / 48,7 ГВХ, а мощность и энергия выросли на 150% по сравнению с аналогичным показателем. Доля новых проектов по поставке новых запасов в 2023 году увеличилась до 54,91% в общей сети. С точки зрения региона, на долю новых транспортных агрегатов в китае и юго-западе приходится около 46,46 % всей страны. Из них 24,78% были добавлены к 21,68% к юго-западу, 19,57% к юго-западу, 15,67% к северо-западу, 11,45% к югу от китая и 6,85 % к северу от китая. По техническому маршруту, в настоящее время фосфорнокислые литиевые батареи занимают доминирующее положение на рынке общей энергии, что составляет 98,0 % от всех проектов, которые были завершённых тендерами. И поскольку конкуренция на рынке растет и технологический прогресс растут, цены на общие запасы энергии снижаются. Снижение цен на углекислый литий на аккумуляторном уровне еще больше способствовало снижению затрат на систему хранения энергии, что привело к повышению экономической эффективности проектов с общими запасами. В долгосрочной перспективе, по мере ускорения строительства новых электрических систем, бизнес-модели с общими запасами энергии внутри страны находятся в маргилистическом состоянии, и рентативная модель будет ускоряться и регулироваться. Согласно предварительному анализу, интенсивность конкуренции на внутреннем рынке за общие запасы в этом году заметно возросла, а цены на него также резко упали, снижаясь на 35% в годовом исчислении. В будущем совместная энергия будет продолжать исследовать и интегрировать новые технологии, такие как твёрдые батареи, жидкостные батареи, сжатые запасы воздуха и т.д. В то же время, сочетание технологий, таких как искусственный интеллект, большие данные, сделает систему накопления более разумной и более эффективной. В то же время, использование энергии общего пользования будет играть более важную роль в стимулировании соотношения возобновляемых источников энергии, повышении устойчивости электросетей и сокращении выбросов углекислого газа, и ее экологические и социальные ценности будут более широко признаны. В настоящее время существует четыре основных бизнес-модели, которые функционируют по всей стране с общими запасами: во-первых, плата за аренду за аренду новых энергостанций, во-вторых, прибыль от участия в вспомогательных услугах, в-третьих, прибыль от повышения цен в пиковой долине посредством участия в торгах на рынке электроснабжения, а во-вторых, компенсация по емкость. Вместе с тем нынешнее положение субъектов при участии в обмене информацией является неточным и неполным, что делает важным препятствием для участия всех сторон в обмене информацией, а рациональная научная модель работы с общими ресурсами еще не создавалась; Поощрительные модели обмена ресурсами также не совершенны, поскольку их участие в различных видах, технологических и экономических различиях в разных видах, а также в сложных взаимоотношениях интересов между участниками обмена должны быть определены, а более справедливая и эффективная торговая модель все еще ждет своего создания. Ожидается, что в будущем будет создано больше рыночных механизмов, направленных на накопления, включая, но не ограничивающиеся независимыми рынками запасов, более гибкие правила энергетических сделок, четкие механизмы распределения доходов и т.д. Резюмир обм хранилищ электростанц развит явля быстр эволюц процесс, а сопровожда переход к получен энерг и технологическ новаторск, адаптирова строительств, чтоб лучш к нов потребн, энергетик повыс эффективн энергосистем регулир способн и функционирован, реша одновремен традиц хранилищ электростанц, в эффективн использован распределен ресурс и Станция с общими запасами энергии постепенно становится неотъемлемой частью современной энергетической системы.

1756-L75

Полупроводниковый датчик горючего газа () — датчик, используемый для обнаружения концентрации горючего газа. Он основывается на чувствительности полупроводниковых материалов и оценивает концентрацию целевого газа, измеряя электрические изменения в электрических свойствах сенсорных элементов. Ниже приведена подробная информация о составе, характере, принципах, классификации, распространенных неисправностях и мерах предосторожности для датчиков горючего газа в полупроводниках.

Группа Один.

Полупроводниковые датчики горючего газа обычно включают в себя несколько следующих компонентов:

1. Сенсорные элементы: изготовлены из полупроводниковых материалов, таких как диоксид олова (SnO2) или окись цинка (ZnO). Эти материалы чувствительны и способны химически взаимодействовать с целевым газом и изменять электрические свойства.

2. Нагревательный элемент: температура, необходимая для обеспечения работы сенсоров, обычно используется проволока или кусок, чтобы нагреть сенсорный элемент.

3. Плата: для подключения и управления сенсорными элементами и другими электронными элементами, как правило, включают усилитель, фильтр DS1708SESA и преобразователь AD.

4. Инкапсуляционный материал: используется для защиты сенсорных компонентов и монтажных плат, обычно используется металл или пластик.

Два. Особенности.

1. Высокая чувствительность: датчики легковоспламеняющихся газов в полупроводниках имеют высокую чувствительность к различным горючими газами, которые могут обнаружить целевые газы в низкой концентрации.

2. Быстрая реакция: сенсоры могут реагировать на изменения концентрации газа в течение короткого времени.

3. Небольшой объем и низкая стоимость: из-за использования полупроводниковых материалов и миниатюрных электронных технологий, сенсор имеет небольшой объем, а производственная стоимость низка.

4. Продолжительность жизни: сенсоры имеют более длинную эксплуатацию, обычно достигающую нескольких лет.

5. Не токсичные, не загрязненные: сенсоры не должны использовать токсичные вещества, которые не загрязняют окружающую среду.

Принцип три.

Принцип работы полупроводниковых датчиков горючего газа основан на эффекте сопротивления газа. Когда сенсорный элемент подвергся воздействию целевого газа, цельный газ химически взаимодействует с поверхностью сенсорного элемента, изменяя электрические свойства сенсорного элемента, такие как изменение электрической резистентности. Можно определить концентрацию целевого газа, измеряя изменения в электрических тормозах.

Четыре. Классификация.

В зависимости от вида и диапазона измерений целевого газа, полупроводниковые датчики горючего газа могут быть разделены на несколько типов, в Том числе:

1. Датчик угарного газа: используется для обнаружения концентрации угарного газа.

2 сенсор метана: для обнаружения концентрации метана.

3. Сжиженные газовые датчики для обнаружения концентрации сжиженного газа (LPG).

4. Водородный датчик: для обнаружения концентрации водорода.

5. Мультигазовый датчик: способен обнаружить концентрацию нескольких горючих газов одновременно.

В-пятых, обычные сбои и меры предосторожности

1. Чувствительность датчика снижается: после длительного использования, чувствительность датчика может снизиться. Меры предосторожности включают в себя периодическую калибровку сенсоров, избежание контакта с вредными химикатами и т.д.

2. Сенсоры реагируют медленнее: возможно, из-за старения тепловых компонентов датчиков или плохого подключения к плате. Меры предосторожности включают в себя периодические проверки и замена нагревательных элементов, а также обеспечение надежного подключения плат.

3. Дрейф сенсоров: дрейф измерений сенсоров может быть вызван изменениями температуры окружающей среды, влажности или пыли. Меры предосторожности включают контроль окружающей среды, регулярные калибровочные сенсоры.

4. Сенсор не работает: сенсоры могут сломаться из-за повреждений плат, нагревательных элементов и т.д. Меры предосторожности включают периодическую проверку электронных плат датчиков и нагревателей, чтобы вовремя заменить поврежденные компоненты.

В заключение:

Полупроводниковые датчики горючего газа — обычное устройство для обнаружения газа с высокой чувствительностью, быстрой реакцией, малым объёмом и низкой стоимостью. Можно определить концентрацию целевого газа, измеряя колебания электрических резистентов в сенсорных элементах. Сенсоры могут быть классифицированы в зависимости от вида и измерительного диапазона целевого газа, а также распространенными сбоями, включая снижение чувствительности, замедление реакции, дрейф и сбои, а также меры предосторожности включают в себя регулярные калибровки датчиков, замены нагревателей и периодические инспекции датчиков.

MVME2308

Вибрирующий датчик сопротивления () — датчик, использующий вибрационный феномен для измерения изменения сопротивления. Основной принцип работы состоит в Том, чтобы произвести измерения и мониторинг вибраций, измеряя колебания частоты и амплитуды тела, преобразуя их в колебания электрических резистентов. Такие сенсоры широко применяются в таких областях, как промышленность, архитектура и машиностроение, для мониторинга состояния механического оборудования, обнаружения вибрационных функций конструкции и прогнозирования возможных сбоев и повреждений.

Основные компоненты сенсоров вибрационного сопротивления обычно включают чувствительные элементы, конверсионные схемы и выходной интерфейс. Чувствительные элементы, как правило, состоят из пьезоэлектрических материалов, которые генерируют электрический заряд, когда находятся под механическим напряжением или вибрацией, что приводит к изменениям в сопротивлении. Конверсионная цепь отвечает за преобразование изменений сопротивления в измеримые электрические сигналы, обычно от напряжения или тока. Выходной интерфейс передает эти электрические сигналы последующим модулям измерения и анализа.

Сенсорный интерфейс модуля является важным компонентом датчика сопротивления вибрации, ответственного за передачу исходящего сигнала от датчика ADR380ARTZ-REEL7 в систему сбора и обработки данных. Сенсорный интерфейс обычно включает в себя несколько аспектов:

1, electric: это часть электрической связи между сенсорами и измерительными модулями, которая отвечает за передачу электрических сигналов. Обычные типы электрических интерфейсов включают в себя аналоговые и цифровые интерфейсы. Аналоговый интерфейс обычно использует сигналы напряжения или тока, с меньшим расстоянием передачи и менее мощной защитой от помех. В то время как цифровые интерфейсы используют цифровую передачу сигналов, с сильной устойчивой к помещению способностью, применимой к дальней передаче и сложной измерительной среде.

2, механический интерфейс: это часть физической связи между сенсорами и измерительным модулем или объектом. Конструкция механического интерфейса должна учитывать способ установки, расположение и направление сенсоров, чтобы убедиться, что сенсоры могут точно воспринимать вибрационные сигналы. Обычные типы интерфейсов включают в себя соединение резьбы, фланцевое соединение и магнитное адсорбционное соединение.

3, модуляция сигнала: во время передачи сенсорного сигнала модуляция сигнала является очень важным звеном. Схема модуляции сигнала отвечает за усиление, фильтрацию и преобразующий исходный сигнал на выходе сенсоров, чтобы он соответсвал требованиям системы последующего сбора данных. Обычные методики обработки сигналов включают в себя операционные усилители, низкопропускающие фильтры и модульные конвертеры.

4, сбор и обработка данных: это последнее звено сенсорного интерфейса, ответственное за сбор, хранение и обработка сигналов, исходящих от сенсоров. Современные измерительные модули обычно оснащены высокоточными картами сбора данных и мощными программами обработки данных, которые позволяют осуществлять мониторинг и анализ вибрационных сигналов в реальном времени. Система сбора данных обычно включает в себя такие ключевые параметры, как коэффициент отбора, разрешение и емкость хранения данных, которые определяют производительность и точность системы.

5, коммуникационный интерфейс: для обеспечения удаленного управления и передачи данных в системах мониторинга вибраций модули обычно оборудованы несколькими интерфейсами связи, такими как RS-232, RS-485, USB, ethernet и беспроводная связь. Эти интерфейсы позволяют системам общаться с компьютерами, контроллерами или другими внешними устройствами, реализация удаленной передачи и обработки данных.

6, калибровка и самодиагностические функции: современные датчики и измерительные модули, как правило, оснащены калибровкой и самодиагностикой для обеспечения точности и надежности измерения. Функция калибровки может быть откалибрована с помощью стандартного источника сигнала для обеспечения точности и согласованности вывода. Самодиагностические функции позволяют отслеживать состояние работы сенсоров и измерительных модулей в реальном времени, обнаруживать потенциальные неполадки и аномалии, которые гарантируют нормальное функционирование системы.

В целом, сенсор вибрационного сопротивления и сенсорный интерфейс модуля измерения играют ключевую роль в современных промышленных и инженерных применениях. Они не только предоставляют точные данные для измерения вибраций, они также реализуют интеграцию и умную энергетику системы с помощью различных интерфейсов и функций. По мере того, как технологии будут развиваться, динамические сенсоры сопротивления и функции их модуля будут увеличиваться, предоставляя более надежные и эффективные решения для различных вибромониторинга и аналитических приложений.

MVME2431

Согласно последним сообщениям южнокорейских сми, уровень доброкачественной продукции samsung Exynos в настоящее время составляет только 20%, что значительно ниже стандартов производства, однако samsung продолжает активно стремиться к решению проблемы, с тем чтобы увеличить до 60% к октябрю этого года. Известно, что причина невысокого уровня Exynos 2500 rb заключается в Том, что SoC базируется на технологии дальности 3nm GAA второго поколения SF3 — технологии SF3, однако в настоящее время коэффициент сложности sf3 второго поколения составляет только 20%. Технологический прогресс второго поколения SF3 был менее ожидаемым, чем ожидалось в начале этого года, когда информированные источники сообщили корейским сми, что samsung начала экспериментировать с производством своего второго поколения технологии SF3, которые рассматривались как важный этап в развитии компании. Samsung начала производство первого поколения технологии SF3 в 2022 году и анонсировала архитектуру 3nm GAA. Впервые в этой архитектуре samsung реализовала GAA «многомостовой полевой транзистор» (MBCFET), нарушив ограничения производительности в технологии FinFET и увеличив коэффициент энергопотребления, понизив уровень напряжения на работе. На рисунке ниже показано, что архитектура samsung 3nm GAA использует широкий канал наночастиц, сравнимый с технологией GAA с узкими каналами, которые могут привести к улучшению производительности и увеличению потребления энергии. Современные технологические маршруты итерации, источник диаграммы: наночастицы с широкими каналами позволяют MBCFET структурам иметь четыре плоскость в качестве каналов, оптимизируя функции On-Off, таким образом снижая напряжение работы и приводя к более высокой эффективности работы. Согласно данным samsung, первое поколение SF3, сравнимое с 5nm технологиями, может снизить энергопотребление на 45%, производительность на 23%, а площадь чипа — на 16%. В отличие от узких канальных нанопластин, источник диаграммы: три звезды по сравнению с первым поколением SF3, а второе поколение технологии SF3 может достичь ширины различных сеточных каналов (GAA) транзисторов (gaa), обеспечивая большую гибкость в проектировании. Кроме того, технология второго поколения SF3 значительно улучшила PPA-функции чипа, с более высокой плотностью транзистора, чтобы достичь лучших производительности чипа. Данные со стороны samsung показывают, что технология второго поколения SF3 может снизить энергопотребление еще на 50%, производительность повысится на 30%, а площадь чипа уменьшится на 35%. Согласно технологической карте, опубликованной samsung, технология SF3 второго поколения может называться SF3P, используя оптимизированную 3GAP+ структуру. Samsung рассчитывает увеличить технологический потенциал второго поколения SF3 до 60% в июне этого года, т.е. на данном этапе, для успешного производства коммерческих микросхем Exynos 2500, однако в настоящее время значительно меньше улучшений, чем ожидалось, и уровень технологического улучшения второго поколения SF3 составляет всего 20%. В то же время samsung сохраняет уверенность в производстве 2 — го поколения технологий SF3 и микрочипов Exynos 2500, с тем чтобы повысить уровень доброкачественной продукции до 60% к октябрь этого года. Samsung стремится создать десятизвёздочный ядерный кайзер внутри samsung, возлагая большие надежды на разработку микросхем Exynos 2500, рассматривая его как важный шаг в продолжении стратегии трёхзвёздного высокотехнологичного сотового чипа с трёхзвёздочным высокотехнологичным чипом, который, если план Exynos 2500 не будет выполняется, samsung может быть вынужден выбрать flagship-чипы в серии Galaxy S25, Это не та стратегия флагманского телефона, которую компания хотела бы иметь, полагая, что в дифференциальных инновациях есть недостатки. Известн, что samsung 25 иде дизайн Exynos; — ультрасовремен 3nm технологическ, и явля «куч.» архитектур дизайн, обогна qualcomm за тот же период на производительн и потреблен энерг Xiao Дракон 8 чип. Что касается дизайна продукции, то предполагается, что samsung Exynos 2500 будет и дальше использовать десятиконечную четырехслойную архитектуру процессора «1+2+3+4», которая согласуется с Exynos 2400. На Exynos 2400 samsung использует десятиядерный четырёххкусный процессор, Включает в себя 1 сверхбольшое ядро (Arm cortexx2 — x4ghz), 2 высокочастотных ядер (Arm cortex2 — a720@2,90ghz), 3 низкочастотных ядер (Arm cortex20 — a720@2,60ghz) и 4 небольших ядер (Arm) Кортекс — 520@2,00ghz). Что касается GPU, Exynos 2400 оснащена Xclipse 940 GPU, основанной на новейшей конструкции GPU RDNA3 AMD. Кроме того, для улучшения производительности ии Exynos 2400 также содержит NPU под названием «17K MAC». Однак Exynos; 2400 не смог перв поколен SF3 технологическ, в samsung а выбра 4LPP + технологическ, лучш, чем samsung первородн процесс производств SF4, но производительн поч бы qualcomm Xiao не Дракон 8 Gen3 принят собира электричеств (фабрик) технологическ н4п. На Exynos 2500 samsung сделали почти отчаянный выбор. Не только на основе технологических конструкций второго поколения SF3, но и на основе модернизации ядра в четырех кусках десяти ядер. Известно, что Exynos 2500 будет заменена на Arm Cortex-X925 supernal и Arm Cortex-A725 по сравнению с Arm Cortex-X4 в Exynos 2400 и Arm Cortex-A720, которые могут привести к дальнейшим улучшениям производительности, Максимальная частота может достигать 3,6 ГГЦ. Arm Cortex-X925 является самым большим прорывом в работе Arm за последние годы и является новейшей сверхкрупной ядерной архитектурой в Arm communications архитектуре с кодовым названием Blackhawk (черный ястреб). Arm Cortex-X925 является одним из приоритетных направлений деятельности генерального директора Arm рене хааса, целью которого является как можно меньше разрыв между ядром и ядром, которым является apple. По сравнению с Arm Cortex-X4, Arm Cortex-X925 повышает свою одноядерную производительность на 36%, а операционная мощность — на 25-40%. Первым сверхбольшим ядром Arm Cortex-X925 был не Exynos samsstar Exynos 2500, а gig9400, объединенный сектор, который, как известно, участвовал в разработке и разработке Arm Cortex-X925. Lamborghinout 9400 использует технологический процессор N3E второго поколения электронакопителя (3nm), который, как ожидается, будет одним из самых эффективных процессоров мобильных телефонов в 2025 году. Несмотря на то, что не было выпущено ни одно из объединённых подразделений eg9400, ни samsung Exynos 2500, предыдущие результаты показали, что Arm Cortex-X925 обладает сверхмощными ядами. В опубликованном табель успеваемости, производительность IPC для Arm Cortex-X925 сверхмощных ядерных реакторов на частоте 2GHz приблизилась к производительности apple A17 Pro. По сравнению с тем, что было бы более чем 3ггц на сегменте gmb9400 и samsung Exynos 2500. Как сообщается Arm Cortex-X925, сверхкрупное ядро Arm Cortex- x925 будет вести однопоточный процесс разработки IPC в больших ямах, и samsstar, как ожидается, будет модернизирована с Arm Cortex-A720 Exynos 2400 до Arm cortex -A725. Эт эскалац ожида и qualcomm Xiao Дракон 8 соответств Gen4, в Xiao Дракон 8 Gen3 тож приня Arm Cortex-A720 больш ядерн. Конечн, хот Xiao Дракон 8 Gen3 основн меньш, но жестк частотомер зада выш, больш ядерн, из них у 3 частот частотомер зада 3,2 ГГЦ Cortex-A720 больш ядерн + 2 частот частотомер зада 3.0 ГГЦ Cortex-A720 больш ядерн, эт дела Xiao Дракон 8 Gen3 производительн очен высок показател. Arm Cortex-A720 является первым высокопроизводительным ядром, основанным на архитектуре Armv9.2, которое увеличило энергетические эффекты на 20% по сравнению с предшественником Cortex-A715, что позволило обеспечить сверхвысокую производительность в условиях ограниченной мощности. Arm Cortex-A725 — ядро архитектуры второго поколения Armv9.2, которое повышает эффективность и производительность на 25% по сравнению с Arm Cortex-A720. Arm Cortex-A725 и Arm Cortex-A520 являются центрами «среднего» и «малого» ядра, выпущенными совместно с Arm Cortex-X925. Samsung Exynos 2500, с точки зрения систем и базовой конфигурации, обладает большими амбициями, с помощью технологии SF3 второго поколения samsung, а также десятилетней архитектуры, которая позволит создать «производительного монстра» для создания серии samsung Galaxy S25, более ценной в области высококлассных смартфонных телефонов. Однако, как отмечалось выше, несмотря на то, что планирование samsung Exynos 2500 прошло успешно, рыночное давление на него оказалось очень сильным. Хот 25 больш ядр, Exynos; qualcomm Xiao Дракон 8 Gen4 даж есл не увелич ядр, в бол высок частотомер зада случа, производительн а может и нет проигра 2500 Exynos; даж лучш Exynos; 25. Примечательно, что сверхмассивное ядро gultra-common было разработано на основе архитектуры ARM и что производительность была бы еще более оптимизирована. Кроме того, unfta rug9400 является амбициозным и, как ожидается, будет состоять из одного сверхмассивного ядра Cortex-X925, трех сверхбольших ядр Cortex-X4, четырех больших ядр серии Cortex-X4, а также четырех больших ядром серии cortex -A7, чья конгруэнция не менее значима в производительности. Судя по сегодняшнему прогрессу, Exynos 2500 уже отстают от первоначального графика, и технология SF3 второго поколения samsung стала фактором, препятствующим производству продукции. Тем не менее, samsung по-прежнему уверен в этом, считая, что с помощью нескольких месяцев технической осады он сможет решить проблему улучшения технологических показателей второго поколения SF3 к октябрь этого года, подняв уровень производства более 60%. На Exynos 2500 samsung продолжает использовать 4 — х кустарную процессорную архитектуру 10 ядер и будет использовать новейшие продукты Arm для сверхбольших ядер и больших ядер. Но даж и так, samsung Exynos; 25 в рыночн конкуренц в давлен, qualcomm Xiao Дракон 8 Gen4 и mediatek TianJi 94 тож мощ сильн. Тем не менее, преимущество samsung заключается в Том, что если план Exynos 2500 пройдет гладко, то план флагманского телефона высшего класса samsung будет более гибким и даст более высокую цену продукции.

MVME2603

Во второй половине дня 22 июня, в китае, во время съезда HDC, OpenHarmony приземляется в промышленности и становится центром внимания разработчиков. «Начиная с объединения и взаимосвязей, группа промышленных партнеров открыла проверку, и после года предварительных результатов в здравоохранении, государственных предприятиях, образовании и финансовых секторах». Хуа представляет интересы главы форума для разработчиков. В связи с тем, что экологическое оборудование хуа составляет более 900 миллионов человек, общее количество разработчиков превысило 2,54 миллиона, а применение приложений Top5000 было начато, экологическое строительство хуань достигло критической отметки. Заместитель генерального директора тан цзэдун по электронике Ява шаньдун поделился с вами делами, в которых компания объединила три основные силы опенхармони в области медицины. Существует две большие болевые точки в области интеллектуальной медицины, в сочетании с преимуществом опенхармони в ходе исследования тонзевана в области применения приложений к полу, в которых пространство состоит из медсестер, палат, дежурных, аптек, туалетов, и связь данных не является главной. В нем множество ролей, в Том числе медсестер, родственников, врачей, санитаров, санитаров, транспортных средств, управленческих, логистических и т.д. Внутри сестринской станции имеется огромное количество вызовов, таких как вызовы о помощи, срочные вызовы, сообщения и т.д. Служба мудрости, включая обслуживание пациентов, логистику, устранение интеллекта и т.д. В настоящее время все основные сервисы направлены на сервер, и это большая боль от того, что лёгкая взаимосвязь между конечным результатом и конечным не проявилась. Тан цзэдун отметил, что в сочетании с тремя тремя преимуществами опенхармони они предприняли попытку приземления на землю в трёхступенчатой сцене. Три преимущества OpenHarmony: 1, объединенный ос, эластичное развертывание; Во-вторых, супероборудование, обмен ресурсами. В-третьих, атомная способность OpenHarmony позволяет разработчику осуществить многополюсное развертывание. Исследование 1, Ява электроны для распределенного доступа к ближнему полю. «Наш бизнес является коротким, многократным и раздробленным, и мы взаимодействуем с легкими объемами оборудования и оборудования, снижающими давление на серверы. Эта попытка была настолько успешной, что маленькое устройство с экранным устройством с простым касанием могло завершить сбор физических признаков, передачу данных на устройство и доступ за кулисы. Сцены просвещения по вопросам здоровья также проявляются, когда Один из патологических районов достигает 1000 — 2000 больничных коек, а видео-воссоздание оказывает огромное давление на сервер, особенно на бизнес вызова, и OpenHarmony очень хорошо поддерживает бизнес. Ценность этой части состоит в Том, чтобы высвобождать ресурсы серверов, а также при одинаковой конпозиции, что наш бизнес мог бы сделать больше, и бизнес был бы более гибким». Поиск второго и единого основания данных. Мудрост палат включ нескольк подсистем, программн обеспечен, аппаратн систем, программн обеспечен сочетан и директор рассматрива в состав надсемейств послан, бол клиент нужн сраз с производител для взаимосвяза общен, есл бы у сред интегрирова был до двух производител интегральн способн слаб, сотруднича градус не высок, вся экологическ не собра замкнут цикл, повлия на оп. Первоначальное положение дел заключается в Том, что производители предоставляют свои собственные SDK, достигаемые технические возможности, а также гарантии того, что после открытия они будут продолжать разработку и стыковочные способности, а также гарантии того, что период тестирования будет соответствовать требованиям больницы, что также является очень болезненным. После объединения основания OpenHarmony можно сделать стыковочные стыковочные системы более быстры, а также обеспечить доставку подъёма в многоконечную систему, значительно повысив эффективность и безопасность многопровайзового оборудования. Исследование экологии опенхармони, палаты 3. Чем больше производителей имеют доступ к экологической картине OpenHarmony, основанной на единых данных, тем более ценными могут быть наложенные наложения. Теперь все соединяют медицинские часы, пда, оборудование для сбора телесных функций, в Том числе электронную карту грудной клетки, тележки в мобильных больницах, и экология становится все более взаимосвязанной, когда к ней подключается больше оборудования. Было установлено, что yahua electronics завершили установку шести устройств с экранами, а xt-сертификация OpenHarmony прошла. В конце своей речи заместитель генерального директора тан цзэдуан по электронике яова резюмировал: «ценность явовской электроники в совместной практике с OpenHarmony заключается в Том, что открытые экологические гарантии могут быть свежи и могут быть достигнуты в быстром симбиозе, отличном симбиозе». Он подчеркнул, OpenHarmony как низкоуровнев присвоен операцион систем мог мудрост палат, типичн ярк, что распоряжен доктор список может сдела эт сейчас автоматическ, медсестр котор HongMeng портативн термина в палат три метр, мог автоматическ идентификац медсестёр личност, подня HongMeng пробива сквоз термина различн Дан, немедлен показыва как, как не, После ухода за ним список показывает, что после выполнения все подключенные устройства автоматически корректируются, четыре шага за шагом, приводя к значительному улучшению опыта взаимодействия в легком объеме оборудования, а также к падению на землю бутафорской медицинской помощи.

MVME2700

На WWDC2024, которая недавно закончилась, Apple анонсировала свою программу AI Apple Intelligence и планирует интегрировать её на глубину в iOS 18, iPadOS 18 и macOS Sequoia. Apple Intelligence улучшает опыт использования пользователей, создавая модели. В самом деле, apple является двумя автономными моделями AI, 3 — х миллиардной параметрической моделью, используемой для портативного ии, а также более обширной LLM, с серверами, которые удовлетворяют больше запросов. Программное обеспечение для серверов apple AI состоит из apple, которые называют свои Ай-серверы частным облачным вычислительным узлом (PCC), инфраструктурой, построенной apple, основанной на настроенном сервере, и первым приложением apple в дата-центре. Однако вместо системы потребительского уровня, в которой содержалось яблоко, PCC создала усиленную подсистему, основанную на iOS и macOS, специально разработанную для поддержки теории LLM. Именно из-за единообразия аппаратной архитектуры apple достигла высот согласия в терминах ии и AI серверах устройств. Однако ПСС, используемая для рассуждений, не означает, что apple выбрала для него то же самое тренировочное оборудование. Согласно apple, они все еще находятся на предварительном этапе подготовки, используя ресурсы TPU и GPU облаков. Это также свидетельствует о Том, что apple решила работать с google в качестве учебного ресурса для больших моделей. Это также вполне понятно, что google как разработчик tenсорflow, многие ML-модели, разработанные на основе tenсорflow, имеют чрезвычайно высокую квалификацию на TPU google. Однако для apple их стек программного обеспечения не блокируется на облачном поставщика, а расширяется и работает на других платформах. Безопасность серверов AI может быть более обеспокоена проблемами безопасности частной жизни, чем производительностью серверов AI. В конце концов, мощные ии и большие модели в центрах обработки данных трудно получить точный ответ без незашифрованного доступа к запросам пользователей и связанных с ним личных данных. Для производителя конечного оборудования, а также владельца этих Ай-серверов, то, как правильно зашифровать с конца на конец, становится самой большой проблемой. Apple также отмечает ряд проблем, стоящих перед серверами AI: 1, безопасность облачного ии и обеспечение неприкосновенности частной жизни трудно проверить и выполнить; Во-вторых, трудно быть прозрачным, когда облако обеспечивает работу ии; В-третьих, среда облачного ии едва ли может установить сильные ограничения на доступ к привилегиям. Чтобы решить эти проблемы, apple приложила много усилий для разработки серверов AI, начиная с бесштатных вычислений. Устройство пользователя отправляет данные в PCC с единственной целью удовлетворить требования пользователя, и PCC использует их только для выполнения запросов пользователя, а данные остаются только на узлах PCC, обрабатывающих запрос, и ни apple, ни администратор не имеют доступа к данным пользователя. Apple даже сделала больше, чем несколько основных облачных сервисов, которые могли бы открыть для PCC версию программного зеркала для безопасных исследований. Apple также выпускает и поддерживает официальный набор программного обеспечения для исследователей для анализа программного обеспечения на узлах PCC. Кроме того, программа apple security prize распространяется и на PCC, где важные результаты исследований также могут быть вознаграждены за этот план. Конечно, безопасность, предоставляемая аппаратом, также не должна быть забыта, так как PCC была построена на apple chip, она также включала в себя безопасные зоны в iPhone и безопасные подсистемы безопасности. Это обеспечило ей непозитивную безопасность в Том, что нападавший не мог атаковать данные конкретного пользователя, и что он мог сделать это только с помощью массивных атак, с тем чтобы вероятность обнаружения также увеличилась. Разработка программного обеспечения, написанная на последней модели apple в крупном масштабе AI, началась довольно рано, однако на аппаратном устройстве apple все еще находится в стороне от производителя серверов. Тем не менее, apple просто строит свой собственный Ай-сервер на основе чипа, который является прямым использованием программы третьей стороны, которая, возможно, является лучшим способом обеспечения производительности и безопасности для пользователей терминала.

MVME7100-0161

Во время событий, связанных с финансированием полупроводникового оборудования в январе-мае, рынок полупроводникового оборудования получил внимание рынка капитала, более 70 предприятий полупроводникового оборудования получили финансирование только в течение двух месяцев с апреля по май, что также означает, что рынок все еще имеет потенциал развития. С 2019 по 2023 годы рынок полупроводникового оборудования превысил 100 единиц, что свидетельствует о Том, что в 2022 году было проведено почти 200 операций по финансированию, 197 и 38 миллиардов долларов. Несмотря на снижение размера финансирования в 2023 году, рынок полупроводникового оборудования остается в центре внимания капитала на сегодняшних рынках. Зависим сща приложен звен, полупроводников оборудован раздел на посл бывш технологическ оборудован даг, технологическ оборудован, даг, бывш индекс до-джонс из них вафл, включ литограф, травлен оборудован,, мембра отложен оборудован, [внутричерепн давлен] сем на оборудован отмер, посл технологическ оборудован включ пластыр машин, HuaPian машин/даг мониторинг оборудован, гальваническ оборудован инкапсуляц оборудован, А также испытательные устройства, такие как SoC-тестирование, складские испытательные машины, радиочастотные тесты и т.д. Электрон энтузиаст сет насчита апрел — 5 финансирован полупроводник оборудован предприят, сумм 13, включ детектор полупроводников фотошаблон производител Yu фа полупроводников, вакуумн осажден пленк оборудован производител пун отстойн вакуум, ацетиллизергинов нов полировк ждат полупроводник бывш производител технологическ оборудован даг всех полупроводник оборудован производител сесс. По этой статистике, апрель является самым большим месячным месячным периодом для завершения финансирования, в общей сложности 9 и 4 в мае. Согласно открытой сумме финансирования, шинзон полупроводник получает сумму финансирования в 400 миллионов юаней и является производителем, получившим наибольший объем финансирования. Другие три страны, имеющие более чем миллиардные суммы финансирования, имеют полупроводники ювэ, кремниевые миты, темометр и технологии. Синмацу-полупроводники — это дочерняя компания синмацу-дройдов, являющаяся основным игроком в области мобильных дройдов (AGV) внутри страны, в то время как продукция постоянно перестраивается на зарубежные рынки во франции, великобритании и других странах, и данные показывают, что доля высокотехнологичных клиентов в зарубежных регионах компании достигла 80%. Важность создания полупроводников синмацу очевидна. Известно, что в 2005 году компания начала разрабатывать полупроводниковую промышленность синмацу, которая была основана в феврале 2023 года. Несмотря на то, что до сих пор существует всего Один год, технические преимущества синмацу унаследовали от синмацу-дроидов двадцатилетний опыт работы департамента по производству оборудования синмацу. Продукция для вакуумных механических рук и кассетных устройств, включая атмосферные механические руки, EFEM и другие, может применяться в технологических сегментах, таких как абляция, тонкопленовые осадки, ионные инжекции. В мае этого года, в основном, было привлечено стратегических инвесторов для реализации расширения, в результате чего было получено увеличение в размере девяти стратегических инвесторов, в Том числе в пекинском фонде по слиянию и приобретению инвестиций в промышленный комплекс комплексного оборудования (ограниченное партнерство), в национальном инвестиционном фонде интегральной электросхемы (НПС), в национальном инвестиционном фонде интегральной электросхемы (НПС), в национальном инвестиционном фонде интегральной промышленности (НПС), в национальном инвестиционном фонде второй степени, в микропроводниках и т.д. По данным статистики событий, связанных с финансированием, большинство из вышеуказанных предприятий формируются в течение пяти лет или около того. В то время как sinyong кремний (шанхай), основанный в 1999 году, является производителем и производителем полупроводникового гидрографического оборудования для гальванизации, который включает в себя горизонтальное гальваническое оборудование, химическое покрытие, чистящее/очищающее оборудование и систему подачи жидкости. Sinyyong кремния указывает на то, что нецианистый раствор и позолоченное оборудование национальных чипов являются ключевыми проблемами в сдерживании самостоятельного развития чипов в китайской промышленности. Например, 2021 global показал, что спрос на чипы, управляющие двигателем, составляет 23 миллиарда, в то время как США монополизировали 90% рынка позолоченного раствора в этой области; Позолоченная жидкость, используемая при производстве радиочастотных чипов, была монополизирована японскими компаниями. При накоплении технологий в течение длительного времени вместе с синим морем синьян совместно разрабатывал технологические решения для отечественного производства беглого золота Turn Key и завершивал автономные разработки и разработки золотистого раствора и золотисто-золотистого технологического обоснования на оборудовании для изготовления национальных чипов. Стабильное развитие основных полупроводниковых устройств происходит на сегментированном рынке полупроводниковых устройств, где фотогравирование, гравировка, тонкопленочное оборудование являются тремя основными и тремя самыми крупными рынками. В этой статистике производители высококачественного оборудования для обработки газов с высокой степенью точности создают настоящее оборудование, которое завершает финансирование колеса ангела на тысячи долларов. Mary roygee, производитель клеевой проекции, шлифовальной машины и однодискового чистящего средства, закончил финансирование колеса пре -A за тысячи долларов. За создание в 2021 году оборудования, в основном состоящего из тонкопленочного осадочного оборудования, направленного на разработку и изготовление высококачественного физического оборудования и ключевых компонентов, которое включает в себя научно-исследовательские системы производства тонкопленочных материалов, промышленные тонкопленочные системы производства, платформы для передачи информации в вакуумном пространстве, четыре основных класса компонентов, Его можно применять в таких областях, как производство чипов, магнитные сенсоры, новые отображения, квантовая информация, световод, фотоэлектрическая промышленность и т.д. Core была основана в 2022 году и завершена поставка первого заказа на оборудование, покрытое клеем, и получила несколько заказов на 6/8 дюймов и 12 дюймов на оборудование для замещения клея. Эти средства будут использованы на поставку 12 — ти дюймового клеевого дисплея, сушильного станка, 6-8 — дюймового переднего прохода и 12 — ти дюймового превентивного клея для измерения производства и расширения научно-исследовательской группы. Вакуум в пунозонии был создан в 2021 году для производства в основном функциональных устройств в таких областях, как полупроводники, мониторы и солнечные батареи, на этот раз завершив финансирование ангельского цикла на десятки миллионов долларов. Официально компания стала первой командой в стране, получившей заказ на проведение пробы в отфт. В декабре 2023 года northon вакуум technology завершило серию P-300 с использованием вакуумных испарителей, предназначенных для доставки американских клиентов, имевших обширное пространство для применения в промышленности кальция и титана. На рынке переднего технологического оборудования sridge intelligence завершает финансирование в + колесный цикл, основной продукт компании — оборудование для отложения атомного слоя (ALD) оборудования и ионного инжинирования (IMP) оборудования. Среди них широко распространено мнение о важности ионного ингалятора после фотогравировки, а также о Том, что развитие srive institute также имеет большое значение в промышленности. В настоящее время sridge intelligence выпускает несколько серий продукции. Ионные ингаляционные устройства, ориентированные на интегральные схемы и энергетические соединения, представили продукцию, подходящую для их областей, в Том числе серии SRII-8M, SRII-60. Атомное оборудование для осаждения слоев также ввело различные виды продукции в области применения полупроводников, в Том числе энергетические приборы, радиочастотные технологии, мемы, фотоэлектроны и т.д. Стоит отметить, что технология ALD, разработанная sridge innoseco, также может применяться к нитриду Галлия, и она уже согласована с innoseco. Известно, что компания также запустит два ионных инжектора во второй половине этого года, чтобы удовлетворить спрос на производство SiC. Другой производитель, специализирующийся на третьем поколении полупроводниковых устройств SiC и силовых модулей, чжи хуаэн, также завершил новый раунд финансирования. Компания разрабатывает в основном такие системы, как SiC монокристаллический рост, высокотемпературная ионная инжекционная система, высокотемпературная система окисления, система быстрого отжига, электроннолучевая система парения, гидропозолочивающая система с магнитным управлением. С точки зрения циклов финансирования, этот подсчет производителя полупроводникового оборудования в основном сосредоточен на начальном финансировании, в котором предприятия, завершившие финансирование ангельского колеса, будут состоять из искусственного оборудования, которое будет построено в 2021 году, а также вакуум в пунозонском вакууме, который также был создан в 2021 году, и шесть предприятий, которые будут завершены в комплекте A и Pre-A, Включает в себя полупроводники, тэуэ, меир и яй, куанг чи, джихуань Один, медико-оптический интеллект, включающий в себя ряд сегментов в таких технологических устройствах, как оборудование для обнаружения, инвазивное оборудование, сельхоз-билка и стиральная машина. В целом, внутренние предприятия полупроводникового оборудования расцвели на этом рынке с развитием рынков и технологической зрелостью в период стабильного роста.

SNAT7640 3BSE003195R

После второй половины 2024 года стало ясно, что эффект снижения стоимости электромобилей на платформе 800V был очевиден в течение почти полугода, и что как минимум 800 — литровый альфа T5, так и сяо пэн G6 упали до менее чем 180 000. Распространённая платформа 800V, основанная на повышении мощности карбида кремния и ускоренном темпе понижения, обычно требует 1200V-прочных устройств SiC MOSFET, в системах напряжения 800V. Ранее эта область была монополизирована такими заграничными промышленными заводами, как ST, british, рома, ансонми, и в последнее время в стране произошло новое развитие в производстве 1200V SiC MOSFET. На местном заводе IDM в качестве технологической платформы SiC MOSFET в третьем поколении было объявлено о Том, что технологическая платформа третьего поколения SiC MOSFET будет официально производиться на технологической платформе третьего поколения SiC MOSFET, которая приземлится на автомобильном заводе SiC electric sic mosfet, расположившемся в чжэцзяне, и будет производить больше продукции sic mosfet в третьем поколении. Сто сосредоточ на, что скажет. Ядр разработчик компьютерн основа на трет поколен технологическ платформ, применя бортов электричеств изгна систем 1200V 13,5 m Ω SiC усилител продукц (IV3Q12013T4Z) прошел машин прав надежн (AEC — Q101) тест сертифицирова. В настоя врем скажет. Ядр электрон трет поколен 1200V 13,5 м Ω хвата за усилител три продукт, включ IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA и IV3Q12013BD, ориентирова на бортов электричеств изгна систем, предположительн в настоя врем уж бол получ бортов электричеств изгна клиент проект фиксирова точк. Что касается структуры, то в третьем поколении, 1200V SiC MOSFET, продолжает использовать более чем одно поколение верхних, но в сравнении со вторым поколением технологий, Pitch в метакластерной системе уменьшился более чем на 20%. Ключев показател, трет поколен в гарантирова устройств износостойк и коротк замыкан способн, с чем-понятн сопротивлен РСП сниз по 2,5 м Ω * см ², одновремен выключател по сравнен потер тож предыдущ поколен сниз бол чем на 30%. В дополнение к этому, коэффициент температурного сопротивления Rds(on) в третьем поколении продукции значительно понизился, и при высоких температурах сопротивление проводника увеличилось меньше. В качестве приложения для электроэкзорцизма автомобиля, для сертификации автомобиля необходим процесс. Iv3q11313t4z, первый продукт третьего поколения платформы, был сертифицирован не только в соответствии с стандартом AEC-Q101, но и в более строгом испытании на надежность автомобиля, включая динамическую надежность (D-HTRB, D-H3TRB, AC-BTI), HTRB под отрицательным сеточным смещением и т.д. Это только вопрос времени, когда национальные производители SiC сядут в машину в течение почти двух лет, и мы увидим, что уже несколько производителей внутри страны представили продукцию стандартного класса SiC MOSFET, но от MOSFET до модуля до вагона, от OBC до электрического экзотцизма, потребуется некоторое время. Когда внутренние производители стандартных моделей SiC MOSFET начнут крупномасштабную поставку, которая будет соответствовать соответствующим спецификациям, производители модулей электроэкзотторжения, естественно, попытаются использовать отечественные приборы. Но действительно, для того чтобы перейти от производителя модуля к электропроводящей интеграции, а затем к автомобильной промышленности, требуется более длительный цикл проверки, даже если SiC MOSFET прошел проверку по компаниям автомобилей, прошел проверку автомобильной промышленности и т.п., к окончательному запуску интегрированной электроэкзотермической продукции, а также к модели, выпускаемой в серийном производстве, потребуется по меньшей мере два года. В настоящее время производимые в стране автомобили SiC MOSFET реализуют свои масштабы и поставляют их нескольким производителям модулей, электроизгоняющим интегральные изделия, а также имеют определенную степень завершённой работы соответствующей продукции. На самом деле, первый автомобиль в стране, который использовал модуль мощности карбида кремния на электромобилях, в биади, был полностью покрыт и частично использован в MOSFET. В то время как все больше и больше автозаправочных модулей, таких как сяо пэн, сяо лай лай, идеалы и другие производители новых мощных сил, были внедрены в систему саморазработки, в качестве замены третьей стороны. В то же время, инвестиции в местные производители оборудования SiC в последние несколько лет были более распространенным явление, а это означает, что у этих инвестированных производителей оборудования также больше возможностей для того, чтобы в первую очередь поставлять товары SiC MOSFET. Таким образом, по мере постепенного созревания продукции SiC MOSFET, а также постепенного распространения ее продукции в больших масштабах, вопрос времени, прежде чем она окажется в машине, в Том числе биади в последнее время сообщил, что ее новое производство карбида кремния будет первым в мире и будет производиться во второй половине года. Мы считаем, что в конце этого года, как можно быстрее, мы сможем увидеть некоторые электромобили, использующие SiC MOSFET, изготовленные в верхней части страны, которые, как ожидается, смогут охватить больше моделей к 2025 году.

VMIVME-7740