Общественная информация

Церемония подписания соглашения об инвестиционном сотрудничестве по проекту ознаменовала падение проекта в восточной части штата Невада. Общая сумма инвестиций в проект составила 11,5 миллиарда долларов, с тем чтобы построить несколько проектов, таких как производство 50 000 тонн натриевых аккумуляторов в год, производство 20 000 тонн отрицательных материалов в год, и все они, как ожидается, будут составлять 7 миллиардов долларов в год после завершения производства. Благодаря быстрому развитию новой энергетической автомобильной промышленности в последние годы, на рынке динамических батарей произошел полномасштабированный взрыв, а натриевые батареи вернулись на рынок. В последнее время внутринатриевая ионная батарея также активно развивается. 4 января в области экономического и технологического развития в сюй-сюй началось строительство проекта по созданию ионных батарей натрия. Общая сумма инвестиций в проект составляет 10 миллиардов юаней, а годовой доход — 30 ГВХ. По данным биади, его 150a-ядер натрия был протестирован в процессе предварительного тестирования, и система накоплений натрия в 20 МВХ испытана в промышленном парке наньнина. 8 января было объявлено, что Бог уданя закончил разработку первой ионной системы натрия, и что он уже достиг стадии мерного производства и выпустил четырехцикл продукции, которая, как мы предполагаем, соответствует ионной системе силовых батарей натрия, что означает, что батарея заряжена или заряжена. 8 февраля warner new energy подписала контракт с народным правительством округа линьянь в городе линья на проект ионных батарей натрия. Общая сумма инвестиций в проект по подписанию контракта составляет 3 миллиарда долларов, в основном на строительство 20 000 тонно-тонных линий производства положительных материалов, а также комплексной линии производства ионных батарей натрия PACK. В настоящее время в стране существуют две сотни компаний, которые конкурируют за производство натриевых батарей, таких как ниндад, биади, литиевая энергетика, миллиардная дилитиевая энергия, улей энергии, хинванда, мид-кохья натрий, содовая энергетика и т.д. Тем не менее, в настоящее время ионные батарейки натрия находятся на ранней стадии производства, и их технические маршруты и рыночная ориентация еще не определены, а комплексное преимущество затрат еще не достигнуто. Вместо этого, в условиях снижения цен на литий стоимость лития резко упала, а цены на него упали, и на рынке натриевых батарей, или же они будут затронуты. Таким образом, ожидается, что к 2026 году начнется период созревания натриевой электропромышленности, который постепенно сформирует производство TWh в 2030 году. В ноябре 2022 года была основана компания «хёнан-сюр-литиевая электромеханическая компания лития», основанная в кунсан-сэн-текнолоджи литиевым литиевым циклом. Синхронизация автоматизированных разъединительных ниток: MES, разработанная автономными разработками, может быть смышленной и безлюдной, что может эффективно повысить эффективность и безопасность производства. Qi: мониторинг состояния старых аккумуляторов в реальном времени в течение всего процесса, безопасное утилизация с помощью 24 — часового робота для обеспечения конвоя завода. Классифицированная классификация для дробления: показатель твёрдых тел составляет 99%, положительно-негативная тёмная пыльца содержит медь, алюминий ниже 0,5%, а выхлопные газы обрабатываются до национальных стандартов по охране окружающей среды. Хунань начал с создания «цифровой, модульной, стандартизированной» системы, которая решает дилеммы в таких отраслях, как «легковоспламеняющаяся, высокая загрязненность и низкий уровень использования».

Тонкопленовая технология — важное звено в процессе производства полупроводников, которое включает в себя отложение различных материалов в тонкопленообразной форме на полупроводниковой матрице EP3C25Q240C8N для производства различных устройств и схем. Развитие тонкопленочной технологии играет решающую роль в повылении производительности и функций полупроводниковых приборов. Ниже мы рассмотрим основные принципы, основные методы и применение тонкопленовой технологии.

1, основные принципы тонкопленочной технологии

Тонкопленовая технология может накапливать материал в форме атома, молекулы или Иона на поверхности матрицы, формируя необходимые мембраны, основываясь на различных принципах и методах. Часто используемые тонкопленовые технологии имеют физико-газовое отложение (PVD), химическое газовое отложение (CVD), приводнение, отложение атомного слоя (ALD) и т.д.

Физическое газовое отложение состоит из нагревания материала до температуры испарения, преобразования его в газовое или ионное состояние, а затем переноса его на базовую поверхность различными способами. Наиболее распространенным способом испарения является нагревание материала до температуры испарения, превращение его в газовое состояние, а затем размещение его на базовых пластинах через вакуумную систему. Приводнение — способ осаждения материала в виде ионов на поверхности основного элемента, который использует ионную бомбардировку поверхности материала, чтобы преобразовать его в ионное состояние, а затем оседает на матрице через дополнительное электрическое поле.

Химическое газовое отложение представляет собой превращение материала в твердое тело в газообразном или жидком виде с помощью химических реакций, которые затем оседают на поверхности матрицы. Из них химические осадки газа делятся на отложения термохимических газов (CVD) и низкодавлением химических газов (LPCVD). CVD — это материал, необходимый для получения реакции газа при высокой температуре и отложения на базовые пластины в твёрдой форме. LPCVD — химическая реакция под меньшим давлением, которая позволяет реакции газа генерировать необходимые материалы, которые затем откладываются на матрице.

Осаждение атомного слоя — это способ использовать химические реакции для отложения материала на поверхности базового элемента. Он переносил материал слой за слоем через молекулярные слои на поверхность матрицы с очень высокой точностью и способностью к контролю.

Второй — основной метод тонкопленочной технологии

Основными методами тонкопленового процесса являются отложения физических газов, химические осадки газов, приводнения и осадки атомного слоя.

Физическое газовое отложение (ПВД) — преобразование материала в газовое или ионное состояние путем нагревания материала до температуры испарения, а затем переноса его на базовую поверхность различными способами. Основными методами PVD являются испарение, ибад (IBAD) и разбрызгивание магнитным управлением.

Химическое газовое отложение (CVD) — это преобразование материала в твердое тело в виде газа или жидкости в газообразной или газовой форме, а затем отложение на базовой поверхности. Основные методы CVD включают в себя отложения термохимических газовых фаз (CVD), низковольтные химические отложения газов (LPCVD) и металлоорганические химические отложения газов (MOCVD).

Приводнение — способ осаждения материала в ионной форме на поверхности матрицы. Он использует ионную бомбардировку поверхности материала, преобразуя его в ионное состояние, а затем откладывает его на матрицу через дополнительное электрическое поле. Распространённые методы приводнения включают в себя постоянные приводы, радиочастоты и магнитное приводнение.

Отложение атомного слоя (ALD) — метод, использующий химические реакции для отложения материала на поверхности основания. Он переносил материал слой за слоем через молекулярные слои на поверхность матрицы с очень высокой точностью и способностью к контролю.

3, применение тонкопленочной технологии

Тонкопленочная технология широко применяется в производстве полупроводников. Его можно использовать для создания различных устройств и схем, таких как транзисторы, память, сенсоры и т.д.

В производстве транзисторов тонкопленовые технологии используются для создания таких структур, как сетка, источник и утечки. С помощью тонкопленочной технологии можно формировать очень тонкие слои на поверхности матрицы, делая прибор меньшим по размеру и более эффективным.

В производстве памяти тонкопленочная технология используется для создания блоков памяти и схем управления. С помощью тонкопленочной технологии можно получить доступ к хранилищам и чтению информации на очень тонких диэлектрических и металлических слоях на поверхности матрицы.

В производстве сенсоров тонкопленочная технология используется для создания чувствительных слоев и электродов. Используя тонкопленочную технологию, можно получить восприятие и ответ на внешние сигналы, отложенные на поверхности базовых пластин, которые имеют определенные функции.

Кроме того, тонкопленочная технология широко применяется в таких областях, как мониторы, солнечные батареи, оптические приборы. В производстве мониторов тонкопленочная технология используется для создания жидких кристаллов и электродов. В производстве солнечных батарей тонкопленочная технология используется для создания слоев поглощения света и электродов. В производстве оптических приборов тонкопленочная технология используется для создания отражателей, фильтров и противоотражательных мембран.

Одним словом, тонкопленовая технология является неотъемлемой частью производства полупроводников, которые реализуют производство приборов и схем, размещая материал в виде мембраны на матрице. По мере развития технологии, точность тонкопленочной технологии и способность контролировать ее будут увеличиваться, что даст больше возможностей для развития полупроводниковых устройств.

Avalanche Photodiode (Avalanche Photodiode, APD) — фотоэлектрический прибор, использующий эффект лавины, пробивающего полупроводниковые материалы, чтобы повысить эффективность фототрансформации. Она обладает такими качествами, как высокая усиленность, высокая чувствительность и низкий шум, широко применяемая в таких областях, как оптическая связь, измерение света, спектральный анализ. В этой статье мы расскажем о принципах, структуре и производительности инфракрасных лавиновых фотодиодов и обсудим их развитие.

Во-первых, принцип работы инфракрасных лавин фотодиодов

Инфракрасный лавина-фотодиод () — фотодиод, образованный в результате введения эффекта лавина в структуру стандартного TPS25200DRVR фотодиода. Его принцип работы можно просто описать как несколько следующих шагов:

1, фотоэлектрическое преобразование: фотонная энергия поглощается полупроводниковым материалом и высвобождается электронно-дырочная пара, когда входящий свет попадает в область P-N узлов инфракрасного лавина.

2: в случае прямого смещения электроны и дырочки ускоряются электрическим полем, создавая процесс размножения электронов и дыр. В процессе электроны и дырочки сталкиваются друг с другом с атомами решетки транзистора и возбуждают дополнительные пары электронов-дырок.

Коллекция электронных-дырочных пар: из-за эффекта размножения лавин в электронах и дырах ток увеличивается быстрее, чем стандартный фотодиод. Это делает инфракрасный лавиновый фотодиод характерным для высокой интенсивности и высокой чувствительности.

4, усиление тока: через внешнюю цепь можно увеличить слабый ток, исходящий от инфракрасной лавинки фотодиодов до уровня, который можно измерить и обработать.

Структура инфракрасных лавин фотодиодов

Структура инфракрасных лавин фотодиодов похожа на структуру стандартных фотодиодов, в основном состоит из узлов P-N, усиливающихся уровней и электродов.

1, P-N узлы: P-N узлы инфракрасной лавины фотодиодов состоят из типов P и типов N различных полупроводниковых материалов. Эта структура может произвести фотоэлектрическое преобразование и обеспечить электрическое поле, необходимое для лавины, чтобы преодолеть эффект.

2: усовершенствованные слои являются центрами инфракрасных лавин-фотодиодов, которые используются для реализации процесса размножения лавин в электронах и дырах. В расширенном слое были использованы высокопримешенные материалы для повышения эффективности размножения носителей.

3, электроды: электроды инфракрасных лавин фотодиодов используются для сбора и вывода электрических тока. Часто используемая электродная структура включает в себя металлические тонкопленовые электроды и электроды глубоких узелков.

Свойство фотодиодов инфракрасной лавины

Инфракрасный лавина-фотодиод имеет несколько важных показателей производительности:

1, усиление: усиление инфракрасных лавин фотодиодов означает соотношение между входным светом и исходящим током. Чем выше усиление, тем эффективнее фотоэлектрическое преобразование.

2, чувствительность: чувствительность инфракрасных лавин фотодиодов означает размер выходного тока при данной мощности света. Чем выше чувствительность, тем сильнее реакция инфракрасной лавины на световой сигнал.

3, шум: шум инфракрасной лавины фотодиодов указывает на случайные колебания в исходящих токах. Чем меньше шума, тем лучше инфракрасный лавина фотодиод обнаруживает световые сигналы.

4, время реакции: время реакции на инфракрасный лавина-фотодиод означает задержку во времени от светового сигнала до реакции выходного тока. Чем меньше времени отклика, тем сильнее реакция инфракрасной лавины на быстро изменяющиеся световые сигналы.

В-четвертых, наблюдается тенденция развития фотодиодов инфракрасной лавины

В то время как инфракрасные технологии продолжают развиваться, инфракрасные лавиновые фотодиоды также непрерывно улучшаются и новаторствуют, чтобы удовлетворить потребности в высокопроизводительных инфракрасных детекторах в различных областях применения. Ниже приведены тенденции развития инфракрасных лавин-фотодиодов:

1, повышенная эффективность и высокая чувствительность: в будущем инфракрасный лавина фотодиод будет продолжать увеличивать усиление и чувствительность для достижения более высокой эффективности фототрансформации.

2, низкий шум: снижение шума является важным направлением развития инфракрасных лавин фотодиодов. С помощью улучшения материалов, структур и технологий можно уменьшить потери рассеяния и гибридные электрические тока в электронах и дырах, тем самым уменьшая шум.

3, широкая спектральная реакция: современные инфракрасные лавинообразные фотодиоды используются в основном для обнаружения инфракрасного света в определенном диапазоне волн. Будущее направление развития — реализация широкоспектрального ответа, чтобы покрыть больше инфракрасных волн.

4, высокоскоростная реакция: по мере увеличения спроса на высокоскоростные передачи данных и быструю обработку сигналов в таких областях, как фотокоммуникация и фотометрия, время реагирования на инфракрасные лавинные фотодиоды также будет увеличиваться.

5, плюрализованное применение: инфракрасный лавина фотодиод широко применялся в таких областях, как оптическая связь, фотометрия, спектральный анализ и т.д. Будущее направление развития заключается в применении его в более широких областях, таких как ночное видение, наблюдение за безопасностью и биомедицина.

В заключение:

Инфракрасный лавина-фотодиод — важный инфракрасный детектор, обладающий такими преимуществами, как высокая мощность, высокая чувствительность и низкий шум. Принцип работы состоит в Том, чтобы использовать эффект лавины для повышения эффективности фотоэлектрического преобразования. Будущие тенденции развития включают в себя повышение эффективности и чувствительности, уменьшение шума, реализацию широкого спектра ответов, повышение времени отклика и расширение приложений. Эти тенденции будут способствовать повышению производительности и применению инфракрасных лавин фотодиодов.

S9s0s088dz60f2mlh — электронный прибор, часто используемый в промышленных автоматизированных системах для преобразования высоковольтных сигналов в низковольтные сигналы для получения изоляции и передачи сигнала. Основной функцией является преобразование входного уровня в выходной уровень, одновременно с электрической изоляцией между входным и выходным, с тем чтобы повысить надежность и безопасность системы.

Цифровые изолирующие чипы обычно имеют следующие характеристики и приложения:

1, электроизоляция: цифровые чипы изолируют электрические соединения между входным и выходным, предотвращая помехи между высоковольтными сигналами в низковольтных сигналах и повышая сопротивляемость системы.

2, переключение сигнала: цифровой изолирующий чип может преобразовывать высоковольтные сигналы в низковольтные, чтобы приспособиться к требованиям различных уровней ввода и вывода.

3, передача сигнала: цифровой изолирующий чип может осуществлять высокоскоростную, стабильную передачу сигнала, обеспечивая точность входного сигнала и стабильность исходящего.

4, защитная функция: цифровые чипы, как правило, имеют такие функции, как защита от давления, защита от потоков, которые защищают входные и выходные порты от внешних факторов.

5, широкий диапазон применения: цифровые чипы могут быть широко применены в промышленных автоматизированных системах, электрических системах, системах связи, в таких приложениях, как изоляция сигнала, преобразование сигнала, усиление сигнала.

Одним словом, цифровые изолирующие чипы имеют важное значение для преобразования уровней, которые могут повысить надежность системы и безопасность, гарантируя точную передачу сигнала. Перспективы применения цифрового изолирующего чипа будут еще более широкими по мере того, как промышленная автоматизация и информатизация будут двигаться вперед.

Носимое оборудование стало частью современной жизни, и рынок постоянно расширяется. Носимое устройство является вычислительным устройством, которое может быть установлено на людях, животных и предметах, которое может чувствовать, передавать и обрабатывать информацию, сенсоры являются центральным устройством для носимого устройства, а сенсоры в носимых устройствах являются расширением человеческих чувств и усиливают функции «шестого чувства» человека. Сенсоры являются одной из основных технологий в носимых устройствах, которые обеспечивают оборудование различными функциями и функциями. Классификация датчиков AD620AR основана главным образом на их применении и функциях.

Согласно отчету IDC о ежеквартальном отслеживаемом состоянии китая на рынке оборудования, за второй квартал 2023 года в китае было произведено 33,5 миллиона товаров, которые можно было бы продать на рынке оборудования для ношенных товаров, за тот же период выросли на 17,3% по сравнению с предыдущим периодом, что является самым большим ежеквартальным грузом с 2022 года. Несмотря на то, что уровень поставок до 2021 года еще не восстановился, спрос на носимые рынки начал ослабевать в широком контексте, свободном от движения на открытом воздухе и на выезде, что, вероятно, также окажет влияние на рынок носимых датчиков оборудования.

Ниже приведены некоторые из самых распространённых классификаций сенсоров устройства:

1, датчики движения: датчики движения используются для мониторинга движения и активности человеческого тела. Акселерометр является одним из самых распространённых датчиков движения, который может измерить ускорение устройства на трёх разных осях. Гироскоп может измерить вращение и направление устройства. Эти сенсоры широко используются в таких устройствах, как фитнес-следящие устройства, умные часы и спортивные наушники.

2: датчики сердечного ритма используются для мониторинга сердцебиения человека. Он может измерить сердечный ритм с помощью различных методов, таких как кровоток, кожный провод или оптические сенсоры. Эти сенсоры широко применяются в таких устройствах, как умные браслеты, умные часы и фитнепроницаемые датчики, которые помогают пользователю в реальном времени понять его сердечный ритм.

3, датчик кислорода в крови: датчик кислорода в крови может измерить содержание кислорода в крови. Сенсоры используют инфракрасный свет и фотодиод для обнаружения концентрации кислорода в крови. Датчики кислорода в крови используются в основном для мониторинга здоровья, например, браслеты в смартфонах и мониторы сна.

4, датчик температуры: датчик температуры используется для измерения температуры тела или окружающей среды. Эти сенсоры могут измерять температуру контактными или неконтактными способами. Температурные сенсоры широко используются в таких устройствах, как умные часы, умные наушники и термометр.

5, датчик положения: датчик положения используется для определения положения устройства и траектории движения. Глобальная спутниковая система позиционирования (GPS) является одним из наиболее часто используемых датчиков местоположения, которые могут точно измерить местоположение устройства. Датчики местоположения широко используются в таких устройствах, как умные часы, навигационное оборудование и обувь.

6, датчик света: датчик света используется для измерения интенсивности света в окружающей среде. Эти сенсоры могут помочь оборудованию автоматически регулировать яркость и обеспечить лучший опыт пользователя. Световые сенсоры широко используются в таких устройствах, как умные часы, умные очки и умные лампы.

Непрерывное развитие и инновации сенсорных технологий открывает возможности для рынка носимого оборудования. С увеличением функций, таких как миниатюризация датчиков, низкий энергопотребление и высокая точность, носимое оборудование может быть более удобным, удобным и разумным. В то же время анализ и раскопки данных сенсоров стали основной конкурентоспособностью носимого оборудования. При более глубоком анализе данных сенсоров можно предоставить услуги, такие как персонализированное управление здоровьем, спортивная подготовка и советы по жизни, с тем чтобы дать пользователям лучший опыт и ценность.

Однако сенсоры в носимых устройствах также столкнулись с трудностями. Во-первых, энергопотребление и стабильность сенсоров остаются проблемой. Поскольку ношение устройства обычно занимает много времени, сенсоры должны работать в режиме низкого энергопотребления и сохранять стабильную производительность в различных экологических условиях. Во-вторых, вопросы конфиденциальности и безопасности данных также должны рассматриваться. Личная информация, полученная сенсорами, может включать в себя вопросы конфиденциальности и безопасности, которые требуют соответствующих мер по защите и управлению.

В целом, сенсоры на рынке носимого оборудования находятся в процессе открытия возможностей. По мере развития и инноваций сенсорных технологий, носимое оборудование может предоставить больше и более точных данных и предоставить персональные услуги пользователям посредством глубокого анализа. Тем не менее, технология сенсоров по-прежнему сталкивается с трудностями, которые требуют постоянных усилий для решения. Рациональный выбор и прикладная сенсорная технология станут ключом к успеху для производителей и разработчиков носимых устройств.

Тепловые и температурные сенсоры — два инструмента, часто используемых для обнаружения термодинамических изменений в научных исследованиях жизни. Они могут измерять и записывать изменения температуры и тепловых потоков внутри и снаружи организма, предоставляя исследователям важные данные и информацию. В этой статье представлены принципы работы датчиков теплового потока и температур AD603AR, область применения и конкретные случаи применения в научных исследованиях жизни.

Датчик теплового потока-это прибор, который измеряет скорость передачи тепловой энергии. Он работает по принципу теплопроводности, рассчитывая размер потока, измеряя скорость передачи тепла. Датчик теплового тока обычно состоит из термических резисторов, термоэлемент или термоэлемент. Когда тепловой поток проходит через термочувствительный элемент, сопротивление или напряжение термического элемента изменяется, таким образом измеряя размер теплового потока. Тепловые сенсоры широко применяются во многих областях научных исследований в области жизни, таких как клеточная биология, нейронаука и биомедицинская инженерия.

Датчик температуры-это прибор, который может измерить изменение температуры. Он может получить информацию о температуре, измеряя тепловое излучение, термоэлектрический потенциал, сопротивление или другие физические свойства объекта. Обычные температурные сенсоры включают в себя термопары, термосопротивление и инфракрасные сенсоры. Температурные сенсоры широко применяются в таких областях, как температурный мониторинг, контроль температуры и регистрация температур в научных исследованиях жизни.

В научных исследованиях жизни тепловые и температурные сенсоры широко применяются в таких областях, как термобиологические исследования, биотермодинамические исследования и биомедицинские инженерные исследования.

В термобиологических исследованиях тепловые и температурные сенсоры могут использоваться для измерения температур и изменений тепловых потоков внутри и снаружи организма. Например, исследователи могут использовать датчики теплового потока для измерения изменений тепловых потоков на поверхности животного тела для изучения механизмов регулирования температуры животного. Исследователи также могут использовать датчики температуры для измерения изменений температуры в культурах клеток для оценки чувствительности и адаптации клеток к температуре.

В биотермодинамических исследованиях тепловые и температурные сенсоры могут использоваться для измерения тепловых потоков и температурных изменений внутри организма. Например, в исследованиях теплового метаболизма тела исследователи могут использовать тепловые датчики для измерения выработки тепла в теле и потери тепла для оценки скорости обмена энергии в организме. Исследователи также могут использовать датчики температуры для измерения изменений температуры в различных частях тела, чтобы изучить тепловой баланс и механизмы терморегуляции тела.

В биомедицинских инженерных исследованиях тепловые и температурные сенсоры могут использоваться для измерения температуры и изменения потока в медицинском оборудовании и биоматериалах. Например, в оценке тепловых эффектов медицинского оборудования исследователи могут использовать тепловые датчики, чтобы измерить эффективность передачи тепла в процессе использования медицинского оборудования для оценки его воздействия на биологические ткани. Исследователи также могут использовать датчики температуры для измерения изменений температуры в биоматериалах для оценки их тепловой стабильности и безопасности в применении биомедицинских методов.

В заключение, тепловые и температурные сенсоры имеют широкие возможности применения в научных исследованиях жизни. Они могут предоставить важные данные и информацию о термодинамических изменениях, которые предоставляют исследователям мощные инструменты и средства для углубленного изучения термических биологических и термодинамических характеристик организма. По мере того, как технологии будут развиваться и развиваться, применение тепловых и температурных датчиков в научных исследованиях жизни будет расширяться.