Общественная информация

Фотоэлектронные технологии играют решающую роль в создании маленьких и эффективных RGB лазеров, которые могут не только стимулировать развитие очков в усиленной реальности (AR), но и обеспечить пользователям более погруженные, реалистично реалистичные виртуальные ощущения. Ниже приведен подробный обзор того, как использовать фотоэлектронные технологии для создания маленьких и эффективных RGB лазеров, способствующих инновациям и прогрессам в технологии очков AR.

1. Выбор и рост материалов: во-первых, выбор правильного полупроводникового материала имеет решающее значение для производительности RGB лазера. Часто используемые материалы включают нитрид Галлия (галлий), фосфид индиума Галлия (ингап), которые имеют хорошие фотоэлектрические свойства и стабильность cs953777q4m. С помощью технологий эпитаксиального роста можно добиться точного контроля над структурой транзистора материалов и обеспечить стабильность и надежность работы лазера.

2. Структурная конструкция и оптимизация: для целей RGB-лазеров необходимо разработать сложные многослойные гетерогенные структуры, включая несколько активных зон и волноводов. Оптимизируя структурные параметры, повышение эффективности передачи оптических волноводов и снижение потерь может значительно повысить эффективность и мощность лазера.

3. Оптический дизайн соответствует: для достижения совпадения с трехцветными лазерами RGB необходимо разработать оптические системы, соответствующие требованиям длины волн. С помощью соответствующих компонентов, таких как линза, отражатель, обеспечение эффективного контроля над направлением, концентрацией и эффектами цветной рендеринговой визуализации на различных волнах.

4. Технология обработки промышленных материалов: с помощью технологий микронной обработки можно достичь точной обработки структуры RGB-лазеров на микроуровне. Такие технологии, как ионная кастрация, электронно-лучевая экспозиция, могут использоваться для изготовления высококачественных компонентов лазера, с тем чтобы обеспечить его маленький, гибкий размер и адаптацию к интегрированным потребностям очков AR.

5: лазеру RGB нужен точный привод, чтобы контролировать выход лазера на различных волнах. Разработаны эффективные регуляторы тока и источники радиочастотной частоты, которые гарантируют стабильную выработку лазеров в различных условиях работы, избегая проблем перегрева и продолжительности жизни.

6. Тепловыделение и защита: учитывая, что лазер RGB генерирует больше тепла, когда работает, разработка эффективной системы охлаждения имеет решающее значение. Повышая надежность лазера и его безопасность, увеличивая защитные механизмы, такие как ток, перетемпература и т.д.

Интеграция и оптимизация: наконец, интеграция лазеров RGB с частицами дисплея, систем визуализации и т.д. И постоянно оптимизировать дизайн продукции, чтобы стимулировать инновации и прогресс в технологии лазеров.

В целом, фотоэлектронные технологии производят небольшие и эффективные RGB-лазеры, которые являются важным звеном в развитии очков AR. По мере развития технологий и инноваций мы уверены, что очки AR в будущем покажут более широкое применение и огромный рыночный потенциал во всех областях.

RMP200-8

Центральный процессор (Central Processing Unit), центральный процессор, является ключевым компонентом компьютера, который отвечает за интерпретацию компьютерных команд и обработки данных в программах. Процессор обычно состоит из одного или более ядер, выполняя набор команд (например, x86, ARM и т. Процессор был спроектирован так, чтобы он был универсальным и мог выполнять различные вычислительные задачи, но не предназначался для какого-либо конкретного приложения.

MPU (микропроцессор Microprocessor Unit) — интегральная схема, которая интегрирует все или большую часть функций процессора. MPU обычно означает центральный процессор, но этот термин иногда более подчеркивает особенности его миниатюризации. MPU обычно включает в себя Один или более процессорных ядер, кэш-накопитель, блок управления памятью и т.д., являющийся центральным компонентом персональных компьютеров, серверов и мобильных устройств. MPU широко применяется в таких областях, как персональные компьютеры, серверы, встроенные системы.

MCU (Microcontroller Unit) — монолитный компьютер, интегрированный в процессорное ядро, память, интерфейс ввода/вывода. MCU разработан для конкретных задач управления, таких как домашний электротехнический контроль, встроенные системы, автомобильная электроника и т.д. Обычно они имеют более низкие вычислительные мощности, но поскольку их интеграция является высокой и дешевой, MCU прекрасно подходит для использования в прикладных ситуациях, где затраты и ограниченность пространства ограничены.

System on a Chip (System on a Chip) — технология, которая интегрирует все необходимые электронные схемы в Один чип. SoC может включать в себя Один или несколько процессорных ядер, операторы памяти, адм 3232earuz -REEL7, контроллеры для хранения, контроллеры ввода-вывода, графический процессор (GPU), функции сети и т.д. SoC разработана для обеспечения полной функциональности системы, часто используемой в смартфонах, планшетах и других портативных устройствах, предназначенных для того, чтобы максимально сократить физический размер и энергопотребление, а также интегрировать более многофункционально. SoC широко используется в смартфонах, планшетах, смартфонах и других встроенных системах.

Суммируя различия:

1, функциональная интеграция: процессор обычно содержит только основные процессорные мощности, в то время как MPU подчеркивает миниатюризацию, но функционально схожесть с процессором. MCU содержит множество функций за пределами процессора, таких как память, ввода/вывода и т.д. SoC идет еще дальше, интегрируя функции всей системы в Один чип.

2: процессор и MPU применяются в случаях, когда требуется высокая доступность и мощные вычислительные мощности, такие как персональный компьютер и сервер. MCU обычно используется для управления направляющими, такими как встроенные системы. SoC была разработана для оборудования, которое требует высокой интеграции, малого размера и низкого энергопотребления, таких как сотовые телефоны и планшеты.

3, производительность: процессор и MPU обычно имеют более высокую скорость обработки и способность выполнять сложные вычислительные задачи. MCU была разработана с целью снижения затрат и эффективности для выполнения простых задач по контролю. SoC призвана обеспечить сбалансированную производительность, одновременно интегрируя несколько функций для оптимизации производительности и энергопотребления конкретных приложений.

4, затраты и пространственная эффективность: MCU обычно превосбывает процессор и мпu в плане затрат и пространственной эффективности, поскольку интегрирована более многофункционально. SoC работает лучше всех в этом отношении, так как она интегрирует функции всей системы, снижая спрос на внешние компоненты.

5, энергопотребление: MCU и SoC, как правило, разработаны для устройств с низким энергопотреблением, пригодных для использования в аккумуляторах или с низким потреблением энергии. В отличие от этого, процессоры и MPU могут иметь более высокие энергоресурсы, поскольку они обеспечивают более высокую вычислительную мощность.

Хотя процессоры, MPU, MCU и SoC отличаются в технологиях и применении, они все являются неотъемлемой частью современного электронного оборудования. От одного элемента обработки до интеграции на системный уровень, развитие этих технологий отражает неустанные усилия электронных отраслей в достижении меньших, более быстрых и более энергоэффективных целей. При выборе этих компонентов разработчику необходимо сделать выбор в соответствии с конкретными требованиями применения и производительностью для достижения оптимального системного проектирования и производительности.

RMP200-8

Чип Artificial Intelligence, также известный как искусственный интеллект, или чип глубокого обучения, является специальной интегральной схемой, разработанной специально для выполнения алгоритмов машинного обучения и обработки массивных данных. Основными целями таких чипов являются ускорение задач ии, таких как распознавание изображений, распознавание голоса, обработка природных языков и рекомендуемые системы, которые обычно требуют больших вычислительных способностей и параллельных вычислительных способностей.

Чипы ии обычно имеют следующие характеристики:

1. Высокопроизводительные вычисления: они содержат большое количество операционных единиц (например, нейронные процессоры нейронных сетей), которые могут выполнять большое количество матричных операций, лежащих в основе многих алгоритмов Ай, таких как спиральные нейронные сети (CNN) и циклические нейронные сети (RNN).

2. высокая параллель: чипы AI обычно поддерживают многоярусную, многопотоковую и даже распределённую обработку, с тем чтобы быстро производить параллельные вычисления при обработке большого количества данных.

3. Конструкция с низким энергопотреблением: поскольку приложения AI часто работают на облаках или встроенных устройствах AT89C2051-24SU, низкая энергоёмкость имеет решающее значение для продления полета батареи и достижения зелёных вычислений.

4. Программируемость и гибкость: процессоры AI обычно программируемы и позволяют разработчикам изменять архитектуру или конфигурации оборудования в соответствии с реальной задачей, с тем чтобы приспособиться к изменениям в различных прикладных сценах.

5. Настраивание: чип, предназначенный для конкретных алгоритмов ии или оптимизации миссии, как, например, для Google Tensor Processing Unit, было создано для тенсорфло для глубокого обучения на дому.

С помощью специализированной архитектуры и оптимизации технологии, чипы AI могут обеспечить более высокую производительность, позволяя приложению AI выполнять сложные вычислительные задачи в относительно короткий промежуток времени, тем самым стимулируя широкое применение технологии ии в коммерческих, медицинских, автопилотируемых областях.

Перед лицом быстрого развития и спроса на чипы искусственного интеллекта продвинутая технология упаковки как ключевое место в повышении производительности, интенсивности и эффективности энергии сталкивается с несколькими ключевыми проблемами:

Во-первых, минимальный размер упаковки и целостность сигнала:

Закон 1. Мура приближается к пределу: поскольку узлы системы сжимаются, технология инкапсуляции должна быть синхронизирована с сужением, чтобы достичь нано-и даже атомных уровней. Для этого требуется, чтобы технология инкапсуляции преодолела существующие физические ограничения и реализовала меньшие интервалы между проводами и более тонкие слои, гарантируя, что высокоскоростные передачи сигнала не утратили точность.

2. Задержки сигнала и проблемы с рассеиванием: по мере повышения плотности упаковки, расстояние передачи сигнала сокращается, но высокочастотные сигналы могут вызвать проблемы с отражением, помех и накоплением тепла. Решение этих проблем потребует разработки новых взаимосвязанных технологий, таких как двухмерная или трехмерная компоновка герметизации, а также оптимизации систем управления теплом.

3. Выбор инкрустированных материалов: для высокоскоростной, высокотемпературной рабочей среды, инкрустированный материал должен иметь хорошие электрические свойства, теплопроводность и механическую стабильность. Поиск новых материалов для высокоплотной упаковки является большой проблемой.

Во-вторых, надежность и долговечность:

1. Долговечность упаковки: микроскопические конструкции более уязвимы к напряженным повреждениям, таким как трещины или переломы, вызванные различием коэффициентов теплового расширения. Разработка технологии упаковки, которая может выдержать суровые условия окружающей среды, является основной проблемой.

Влияние инкапсуляции на устройство внутри упаковки: передовая упаковка может изменить надежность и продолжительность жизни инкапсулятора и требует комплексной оценки вклада в целостность чипа.

В-третьих, целесообразность производства себестоимости и количества:

1. Экономичность сложных технологий: продвинутая инкапсуляция включает в себя несколько технологических шагов, которые стоят дорого. Снижение потребления материалов, технологических отходов и инвестиций в оборудование в процессе упаковки является ключом к снижению затрат.

2. Уровень качества и автоматизация: высокоплотная упаковка требует очень высокой точности и уровня автоматизации производственного оборудования, а повышение качества производства для поддержки массового производства является проблемой.

Интеграция 4. экосистемы: прогресс в области инкапсуляции требует скоординированных инноваций в цепочке поставок в целом, в Том числе тесной связи между производством кристаллических кружков, запечатыванием и системной разработкой.

Одним словом, продвинутые технологии инжинирования чипов искусственного интеллекта сталкиваются с сложными проблемами по многим параметрам: размеру, производительности, надежности, стоимости и т.д. Решение этих проблем требует тесного сотрудничества в междисциплинарных исследованиях, технологических инновациях и цепочке промышленности.

SAC-RL100-M11T

Chip Decapsulation (Chip Decapsulation) — процесс, используемый для разоблачения или разоблачения внутренней структуры интегральной схемы (IC), в основном для анализа неисправностей, обратной инженерии, проверки авторских прав и определения технических средств для производства технологии. Поскольку внутренняя структура интегральной схемы запечатана в пластике, керамике или металлическом материале, невозможно наблюдать или тестировать её непосредственно. Таким образом, необходимо удалять инкапсулированные материалы путем открытия чипа, с тем чтобы можно было изучить и проанализировать внутренние кремниевые чипы ADM803SAKSZ-REEL7.

Функция открывания чипа может быть обобщена следующим образом:

1, анализ дефектов (Failure Analysis) : когда интегральная схема ломается, для того чтобы выяснить причину, необходимо физическое обследование чипа, включая проверку внутренней связи, целостности транзистора и т.д.

2, Reverse Engineering (reverse engineing) : с помощью чипа можно узнать детали дизайна и технологии конкурентов для сравнения, обучения и достижения совместимости.

3, проверка авторских прав (IP Verification) : чип после его создания может использоваться для определения наличия нарушений интеллектуальной собственности, таких как незаконная копия или имитация.

4) технологическая проверка (Process Verification) : после открытия чипа можно проверить, есть ли какие-либо недостатки в производстве чипа, например, планировка транзистора, металлический уровень и т.д.

Процесс открытия чипа состоит в основном из следующих шагов:

1) подготовка: во-первых, необходимо провести внешнее обследование чипа, который должен быть вскрыт, подтвердить отсутствие внешних физических повреждений и выбрать правильный способ открывания, основываясь на типе инкапсуляции чипа.

Во-вторых, выберите метод открывания: обычные методы открывания чипов включают химическую гравюру, механическое шлифование, лазерную гравировку и эжектомию. Каждый метод имеет свой тип инкапсуляции и определенный рабочий процесс.

● химическ травлен: использова кисл ил щелочн раствор растворя инкапсуляц материа, эт способ операцион прост, с бол низк, стоимост но может нанест ущерб внутрен схем.

● механическ скрежет: точ механическ будет инкапсуляц сло точ, способн контролирова, но во врем доводочн может чип вызва поврежден физическ.

● лазерн травлен: высокоточн лазерн устройств местн грифел, точност высок, поврежден чип маленьк, но стоимост оборудован.

● инжекцион гравировк: реактивн как высок давлен, инкапсуляц материал омыва, распространя на некотор специфическ инкапсуляц тип.

В-третьих, выполняйте открывающиеся операции с осторожностью, как и планировалось. Это должно быть сделано в профессиональной лаборатории, чтобы не повредить чип изнутри.

4, очистка и сушка: чипы должны быть очищены надлежащим растворителем после открытия, а затем сухие для последующего обследования или анализа.

5, проверка и анализ: проверка и анализ чипа с использованием таких инструментов, как микроскоп, электронный микроскоп (SEM), рентгеновский тест и т.д.

6, запись и доклад: подробный отчет о процессе открытия и результатах, составленный для анализа.

Внимание:

● чип открыва был необратим процесс, нача не смог восстанов.

● открыва процесс нужн быт очен осторожн, чтоб не поврежден чип внутрен крошечн структур.

● польз химическ, сто рассмотрет безопасн и защит окружа сред. В оператор

Вывод:

Открытие чипа — это тонкая и технологически сложная работа, которая позволяет инженерам проникать глубоко в внутреннюю структуру и функции интегральных схем. Однако эта технология также представляет собой проблему защиты интеллектуальной собственности, поскольку она может быть использована для копирования или реконструирования продукции конкурента. Таким образом, открытие чипа является не только важным инструментом в технической области, но и деликатным процессом, требующим осторожного обращения.

TAU-ACC-24E2A

Инвертор на машине является важным электронным устройством для преобразования энергии постоянного тока в электроэнергию переменного тока, которое используется для электромобилей, которые питают электромобили электромобилей или для питания других автомобилей. С быстрым ростом рынка электромобилей и увеличением требований к производительности автомобилей, спрос на инверторы на транспортных средцах стал резко расти.

В традиционном инвертере CY14B104NA-ZS45XI используются кремниевые материалы для производства мощных полупроводниковых устройств. Тем не менее, поскольку технология карбида кремния продолжает прогрессировать, материалы SiC имеют множество преимуществ в качестве нового полупроводникового материала, в Том числе более высокий уровень теплопроводности, более высокая интенсивность электрического поля, более низкий уровень проводимости и потери переключателей, а также более высокие температурные диапазоны работы. Эти преимущества делают материалы SiC очень популярными в области инверсии-носителя, постепенно заменяя традиционные кремниевые материалы.

У реверсивного устройства, обращающегося к материалу SiC, есть следующие преимущества:

1. Эффективная производительность: материалы SiC имеют более высокую электронную скорость миграции и проводящую электропроводящую силу, что может значительно снизить потери энергии в процессе преобразования мощности и повысить эффективность преобразования мощности.

2. Температурная стабильность: производительность материалов SiC, которые остаются стабильными в условиях высоких температур, пригодна для применения в таких высокотемпературных условиях, как машинное отделение.

3. Лёгкая оценка объёма: характеристики материалов SiC позволяют проектировать инверторы с меньшим весом и легкими двигателями для уменьшения веса автомобиля, повышения производительности автомобиля и увеличения дальности полёта.

4. Улучшение управления теплопроводом: хорошая теплопроводность материалов SiC помогает снизить работу электроприборов на теплопроводе, повышая стабильность и надежность систем.

5. Экологическая энергосберегающая энергия: эффективное преобразование мощности в материалы SiC и низкозатратные характеристики могут помочь сократить энергопотребление, что соответствует требованиям современного общества в отношении экономии энергии.

По мере того, как технология SiC становится все более зрелым и растет спрос на высокопроизводительные и эффективные инверторы, будущее применение материалов SiC в инверторах на машине имеет широкие перспективы. Более крупные автопроизводители и производители электронных компонентов также ускоряют разработку и распространение технологии SiC для удовлетворения растущего спроса на рынке и стимулируют развитие всей электромобильной промышленности в более продвинутом и устойчивом направлении.

TB820V2

AIGC, полностью известный как искусственный интеллект и графический расчет, представляет собой новый способ вычисления, связывающий технологии искусственного интеллекта с технологиями графических вычислений. Технологии AIGC объединяют искусственный интеллект с технологиями графических вычислений, которые могут быть более интеллектуальными и эффективными. В будущем будет расти спрос на вычислительную силу технологии AIGC, в то время как маргинализированные вычисления будут играть важную роль, делая вычислительную мощность более разумной и распределенной.

Рост и развитие технологии 1.AIGC:

Быстрое развитие технологии искусственного интеллекта привело к подъему технологии AIGC. Технология искусственного интеллекта DS8923AN включает в себя машинное обучение, глубокое обучение и т.д.

— технология графических вычислений имеет богатый опыт и прикладные сценарии в таких областях, как обработка изображений, виртуальная реальность, разработка игр, а также сочетание технологий искусственного интеллекта может повысить производительность и эффективность вычислений.

2.AIGC технология требует вычислительной силы:

Технология AIGC требует больших вычислительных сил, чтобы поддерживать сложные алгоритмы и модели. В частности, в области глубокого обучения требуется подготовка и обработка массивных данных, с большими требованиями к вычислительной силе.

— поскольку сценарии применения искусственного интеллекта расширяются и углубляются, потребность в вычислительной силе в технологии AIGC также будет расти, и ей будут необходимы более мощные вычислительные платформы для поддержки.

3. Сочетание вычислений по краям с технологией AIGC:

— маргинальные вычисления — это вычислительная модель, которая размещает вычислительные ресурсы и данные на периферийных устройствах ближе к источнику генерации данных. Маргинальные вычисления могут уменьшить задержку передачи данных и повысить эффективность обработки данных.

— сочетание технологии AIGC с краевыми вычислениями может сделать вычисления более интеллектуальными и распределенными. Моделирование и рассуждение части ии на периферийном оборудовании может уменьшить давление на центральный сервер и ускорить реакцию.

— маргиальные вычисления больше не будут ограничиваться «маргией», а будут проникать в большее количество устройств и сцен, сочетая их с технологиями AIGC, что даст более сильную вычислительную мощность для более широкого применения.

В заключение:

Технология AIGC — это новый способ вычисления, объединяющий искусственный интеллект и графические вычисления с чрезвычайно высоким спросом на вычислительную силу. По мере того, как технология AIGC будет развиваться, маргинальные вычисления будут больше не ограничиваться «краями», а проникать в большее оборудование и сценарии, делая вычислительную мощность более разумной и распределенной. Этот союз даст больше возможностей и возможностей для будущих интеллектуальных вычислений.

TPMC815-50

В последнее время на промышленных рынках программного обеспечения происходят крупные события. 11 март, местн промышлен моделирован программн обеспечен предприят эн жизн азиатск-тихоокеанск технолог акционерн обществ пекинск ZhengJian репетиторств звукозаписыва зарегистрирова, (акц вперв выпущ публичн выстав на продаж, репетиторств учрежден citic цен бумаг, компан будуч в должност моделирован программн обеспечен технолог компан Ansys нич, компан нача автономн разработк, компан эт местн серт программн обеспечен бизнес в голов дел. В январе 2010 года компания Ansys, insistronic technologies, инвестировала 35 миллиардов долларов в промышленную компанию ansys, которая, как ожидается, будет завершена в первой половине 2025 года. Промышленное программное обеспечение, начиная с простых чертежей по замене электронных планшетов и заканчивая трехмерным CAD/CAM, а затем и более поздним инженерным анализом CAE, постепенно расширялось до так называемых «цифровых» заводов — моделей системного моделирования на уровне заводских систем, до тех пор, пока в настоящее время не появились цифровые компании Model-Based Enterprise, основанные на моделях, Постоянно обновляется. Как ядро цифрового завода, в котором промышленно развито программное обеспечение, каковы последние рыночные размеры и тенденции. 16 апреля на саммите ICT по тенденциям в области промышленности (МДК) директор по исследованиям в китайском квартале (МДК), дуэузава, выступил с речью, посвященной «новому индустриальному развитию китая с помощью цифровых технологий в промышленной цифровой области», проанализировать рынок промышленного программного обеспечения и осветил его важные идеи. Промышленное программное обеспечение является центральным компонентом цифрового завода, где ежегодный прирост промышленного программного обеспечения составляет 20% от ВВП, а также менеджер по исследованиям в китайском квартале IDC дуйенсава говорит, что индустриальная оцифровка уже сформировала пять крупных рынков: общее программное обеспечение, промышленное программное обеспечение, промышленное программное обеспечение, промышленные программы, промышленные платформы и информационная инфраструктура. IDC прогнозирует, что с 2022 по 2027 год общий объем рынка ит в китайской промышленности вырастет с 802,9 МЛРД до 17189.9 МЛН юаней, а совокупный рост в пять лет составит 16,5%. При увеличении доли стандартизированной продукции доля программного обеспечения постепенно увеличится с 20,1% до 22%. IDC прогнозирует, что рынок центрального промышленного программного обеспечения китая (включая CAD, CAE, EDA, PLM, MES, без консультаций и услуг) вырастет с 27360 миллионов юаней в 2023 году до 579,6 миллионов юаней в 2027 году и достигнет 20% совокупного роста в год. В течение следующих пяти лет основное промышленное программное обеспечение китая по-прежнему будет увеличиваться на 20% в год, что выше, чем в среднем по всему миру на 12%. Уровень проникновения на промышленный рынок программного обеспечения китая несколько лет назад составлял всего 5% от общего объема исследований и разработок, и, поскольку китайские производители обновляли свои продукты и размещали их на рынке, он достиг 12-15%. Осмос на будущих рынках будет продолжать расти. IDC опубликовала доклад, показывающий, что промышленный интеллектуальный продукт (APS) является одним из самых высоких темпов роста на промышленных рынках программного обеспечения, достигающим 30,70 %, и в настоящее время существующее положение дел заключается в превосходном поставке и дефиците. Общая доля рынка компьютерной поддержки CAE в 2022 году достигла 3760 миллионов юаней, а рынок CAE был рассредоточены, а число производителей намного больше, чем у CAD. В 2022 году общий размер рынка программного обеспечения (MES) достиг 46200 миллионов юаней, ежегодный комплексный рост составил 23%, конкуренция резко возросла, а необходимость замены очевидна; Управление жизненным циклом продукции (PLM) относительно здоровое, а ежегодный комплексный рост составил 18,60 %. Рынки EDA и CAE (компьютерная помощь) аналогичны, ежегодные темпы роста близки, 20,9 %, 18,3 %, технологически сложные, многие стартапы выходят на рынок. Компьютерная поддержка (CAD) является централизованным и более стабильным рынком. Помимо усиления слияний и поглощений, развитие промышленных рынков программного обеспечения также представляет собой четверку основных тенденций, два уровня разделения приоритетов продукции MES и резонанс рынка и промышленности. Производственные предприятия, которые развиваются в легком весе с одной стороны, могут быть доставлены быстро и дешево. С другой стороны, для групп и сложных производственных предприятий постоянно возникают крупные отрасли MOM; В-третьих, автомобильная очистка, новые источники энергии, полупроводниковые отрасли растут быстрее, и в будущем будут сохранять аналогичный резонанс с отраслями промышленности. Во-вторых, промышленное программное обеспечение доменной промышленности поддерживает положительные исследования и разработки, проводимые «стеком самообразования» и «мягкой и твердой». Поскольку инвестиционная среда вернулась в рациональное состояние, фирмы требуют повышения прибыльности, возьмем, к примеру, автомобильную промышленность, в течение последних нескольких лет произошли заметные изменения в области разработки и разработки промышленных программного обеспечения, которые были достигнуты лишь за три года после выпуска первой машины и доставки. Отдел по производству автомобилей увеличил процесс выпуска новой машины с двух до 18 месяцев за последние 2-3 года. Три тенденции возникают во всем научно-исследовательском отделе: 1, дизайн, моделирование, интеграция; 2, микроэлектронное проектирование, макрофизическая имитация интеграции; 3, жизненный цикл программного обеспечения, интеграция аппаратного цикла. На днях глава отдела программного обеспечения ассоциации автомобильной промышленности китая ли сяоюнь цзюнь представил, что в настоящее время алгоритм значительно сокращает цикл разработки и разработки новых автомобилей, на разработку которых в прошлом ушло 36 месяцев, а теперь практически каждая из новых машин в возрасте от 18 до 24 месяцев может создать новую модель. Он отметил, что автомобильное программное обеспечение в основном разделено на встроенные программы и промышленные программы, которые играют ключевую роль в новой модернизации китайских автомобилей. В-третьих, усиливается тенденция слияния и приобретения промышленных производителей программного обеспечения по всему миру. 16 января 2024 года было объявлено, что обе стороны достигли окончательного соглашения по приобретению «Ansys» на «newsit», крупнейшей фабрике по производству технологий и промышленного программного обеспечения «emi». Согласно условиям этого соглашения акционеры Ansys получат $1919.00 наличными и 0,3450 акций неолюционистского технологического общего пакета акций, общая стоимость которого составляет около 35 миллиардов долларов США 21 декабря 2023 года, и предполагается, что сделка будет завершена в первой половине 2025 года. IDC считает, что это воплощение является тенденцией интеграции микроэлектронов и макроэмуляций. Сассейн гази, президент и генеральный директор неолюции, заявил: «перед лицом растущей системной сложности, развитие основных тенденций, таких как искусственный интеллект, рост спроса на чипы и программное обеспечение, требует более высокой вычислительной производительности и эффективности. Сочетание решений неолюции EDA с эмуляционной технологией Ansys позволит нам создать новаторскую парадигму, которая позволит всесторонне, мощно и бесшовно интегрировать от чипов к системам, чтобы помочь техническим научно-исследовательской группе в различных секторах общества максимизировать свою способность к разработке». В-четвертых, индустриальные интернет-рынки вернулись к рациональному состоянию, и прибыль была на первом месте. В прошлом году, когда промышленные интернет-компании начали публиковаться, уровень сложности резко возрос, и в этом году производители начали пересматривать и корректировать бизнес-план. IDC прогнозирует, что промышленные интернет-платформы и рынки приложений увеличат ежегодный рост на 18,5%, а производители перейдут от погони за ростом размера к погоне за прибылями. Интегрированная реконструированная экология программного обеспечения в индустриальной промышленности между трендами 5, IT/OT сервисами. Слияние и поглощение всего рынка ускоряется, а высоко оцененные компании ускоряют поглощение рынка вниз. Когда-то большая рыба питалась маленькой, теперь она начинает есть большую и даже пожирает большую. Кроме того, выпуск акций на китайском рынке ужесточился, а возможности приобретения увеличились. Если производители голов ухватятся за возможность, они смогут приобрести быстрый рост концентрации рынка. Интеграция IT/OT на китайском рынке, состоящая из шести основных событий: 1, 2 февраля 2022 года, когда китайская техническая наличка приобрела нефтехимическую рентабельность, составляя 22% акций; 2, вступление в промышленный союз обогащения в качестве первого акционера; 3) участие в инвестициях в открытографическое программное обеспечение HSBC; 4, феникс инвестирует в объединение грибов; 5. Китай и Китай должны купить британское программное обеспечение Phoenics для бизнес-моделирования. IDC считает, что в настоящее время услуги system solutions для пользователей работают от одного конца к другому для решения проблем деловой боли; В настоящее время производственные пользователи больше ценят возможности консультаций и комбинацию промышленных программных продуктов; Качественное предложение для цифровых заводов в целом является недостаточным, и экологическое сотрудничество имеет решающее значение. Он особо подчеркнул, что разрыв между IT/OT остается, включая организационный и технический уровень. Задача нового управления производством заключается в Том, чтобы устранить этот разрыв в технологиях, интегрировать новые технологии, такие как ии, 5G, программное обеспечение, определяющее оборудование, с особенностями «четвертизации». Будущее будет основываться на интеллектуальных алгоритмах и вычислительной силе ит, мультиплексиях от от, полной интеграции высокоскоростных коммуникаций, обеспечивающих промышленную автоматизацию с существующим производственным управлением. Исследование IDC показало, что 37% производительных предприятий по всему миру инвестировали средства в создание искусственного интеллекта, который в течение следующих 18 месяцев окажет большее влияние на производство, дизайн продукции, продажу и цепку поставок. Производственный ии в плане применения в промышленности представляет три тенденции: 1, AI+ промышленность уже приобрела нормализованное применение в ряде сцен, связанных с производственным дизайном, производственным производством и управлением цепочками поставок в промышленности; Добавление двух и больших моделей AI будет развиваться отдельно в направлении, в котором возрастает обобщённость модели и генерирование многомодового контента; В настоящее время остаются такие задачи, как эксгумация, данные, вычислительная сила и т.д.

VE6041F01C1

Крупнейший рынок электромобилей в настоящее время — это электромобиль. В автомобильном приложении основное напряжение электромобилей составляет около 400V, поэтому в таких компонентах, как главный экзотторг, необходимо использовать только 750V-устойчивый SiC MOSFET. В последние годы для повышения дальности полёта и высоких требований к выработке электроэнергии на электростанциях, крупные автопроизводители начали продвигать платформы высокого давления в 800 вт, а для этого на 800 вт потребовались бы 1200V устойчивые к давлению SiC MOSFET. Однако за пределами электромобилей прикладные рынки, такие как промышленный источник энергии, фотоэлектрический инвертор, также не могут быть проигнорированы, и в этих областях системные шины имеют более высокое напряжение, поэтому для повышения эффективности системы требуются товары SiC MOSFET с более высоким номинальным напряжением. Основные направления развития систем хранения света варьируются от 1500V до 2000V фотовольт и инверторов энергии, включая высокую эффективность, высокую плотность мощности и низкую системную стоимость. Чтобы удовлетворить эти требования, SiC является одним из ключевых компонентов. В соответствии с данными о полупроводниках, используемых в cr, например, IGBT+ кремний FRD эффективен на 96% в двухурочных топологических схемах Boost, программы IGBT+ карбид кремния SBD остаются на одной и той же частоте и могут повысить эффективность до 98,6%. Если заменить кремний IGBT на SiC MOSFET и использовать полностью карбид кремния, эффективность будет продолжать увеличиваться на 0,6% — 0,7% и достигнет более чем 99%. В то время как в последние годы в фотоэлектрических секторах, чтобы снизить системные издержки, промышленность исследует пространство снижения уровня осадков в нескольких сегментах, таких как повышение плотности мощности, длиннопоследовательность, повышение системного давления. Длительная последовательность состоит в Том, чтобы увеличить количество последовательных соединений в фотоэлектрических группах и увеличить мощность одной цепи. В фотоэлектрической системе для уменьшения соединения кабельного кабеля между массивами фотовольт и инвертором, как правило, создается массив фотовольт в группах, который параллельно соединяет эти фотоэлектрические массивы, а затем экспортирует инвертеры в электросеть. В то время как повышение электрической мощности, достигнутое с помощью повышения напряжения, приводит к новым требованиям к давлению для компонентов, таких как инверторы в системе. Судя по развитию систем хранения света, напряжение в системе постоянно повышается, начиная с 600V до 1000V и заканчивая современными 1500V системами хранения света, которые в основном реализировали переход от 1000V к 1500V. Эти изменения привели к снижению общих системных издержок, которые могут снизить первоначальные затраты на инвестирование в систему хранения энергии более чем на 10%. Начиная с 2023 года, фотоэлектрический инвертор и система хранения света начали двигаться к 2000V. Начиная с июля прошлого года, инвертор высокого давления в солнечном источнику был введен в программу «шань-СИ-менг-бэй» в качестве первого параллельного интерфейса системы 2000V по всему миру. Представ, благодар систем напряжен повышен, сниз системн потер, инвертор, слиян ящик, устройств плотност энерговыделен, инфраструктур, затратн и поздн поддержива для транспортировк оборудован, поскольк последовательн компонент количеств одновремен, постоя ток кабел количеств, слиян ящик количеств, стент со стальн количеств и т.д, комплексн, Стоимость одного вабо может быть снижена более чем на 2 цента. В марте солнечная энергия выпустила технологию хранения света под давлением 2000V. В отличие от 1500V, количество отдельных батарей в системе 2000V может быть увеличено с 26 до 36, в то время как CAPEX (первоначальные инвестиции) сэкономит 4 пункта /W, OPEX (стоимость транспортных расходов на полный жизненный цикл) сэкономит 12,5 /W, общая системная эффективность повысится на 0,5% — 1%, Таким образом, можно сделать вывод о Том, что инвестиции в проект фотовольт с полным жизненным циклом сэкономили бы 165 миллиардов юаней /100 ГВТ. В фотоэлектрической системе 2000V цепочка вверх-вниз по течению также продолжает толкать вниз части соответствующих компонентов. В марте серия фотоэлектрических продуктов «chiceko energy Tiger Neo» была сертифицирована улом и стала первой компанией в мире, получившей сертификат сертификата на 2000V. В 1500V и 2000V системах хранения фотоэлектрической энергии доступны SiC MOSFET, которые в последнее время применяются в 2000V, и многие производители, ориентированные на фотоэлектрические инверторы, системы хранения и т.д., выпустили 2000V продукции SiC MOSFET. Многие производители выпускали продукцию 2000V SiC MOSFET с технологическим итирующим спросом на фотоэлектрические источники энергии, а производители мощных приборов также видели возможности на рынке, а также реализацию 2000V продукции SiC MOSFET. Представл infineon в эт год январ как модел ath IMYH200R 2000V котор SiC усилител нов, спецификац для 12m Ω, 24m Ω, 50m Ω, 75m Ω, 100m Ω, TO — 247PLUS — 4 — HCC инкапсуляц, на строг высоковольтн и выключател частот услов, Кроме того, можно обеспечить более высокую плотность мощности в системах, гарантирующих надежность системы, с более высокой эффективностью в таких системах, как коллективный инвертор, фотоэлектрический аккумулятор, зарядная свая, применимая к высокопрочным электропроводящим системам с высоким напряжением до 1500 ВDC. Брин заявил, что это был первый на рынке дискретный SiC MOSFET аппарат, блокирующий напряжение до 2000V. По сравнению с 1700V SiC MOSFET, устройство 2000V SiC MOSFET также обеспечивает более высокую нагрузку на 1500 VDC систем. Возьм, к пример, IMYH200R012M1H рабоч температур поддержива — 55 ℃ — 178 ℃, в 25 градус цельс обстановк сам больш потер поддержива для 123A ток, общ мощност 552W. К Том же-говор сопротивлен для 12m Ω, выключател потер чрезвычайн низк. Что касается отечественных производителей, то на шанхайской электронной выставке в мюнхене в прошлом году компания teko tunrun представила на выставке SiC MOSFET одноствольный продукт серии 2000V, применяемый к системе фотовольт в 1500V, но без подробных параметров. Основн полупроводников в октябр прошл год опубликова втор поколен SiC усилител платформ, и выраз представ 2000V 24m Ω спецификац SiC усилител коллекц продукт, и разработа 2000V 40A спецификац в план SiC СБД использова, но не подробн информац опубликова соответств устройств. По мере развития рынка фотоэлектрических запасов, после бринга, мы полагаем, что вскоре на рынок выйдут еще 2000V продукции SiC MOSFET, что ускорит переход SiC-устройств в систему фотоэлектрического давления. Узлы: преимущества себестоимости, которыми обладает IGBT на рынке в целом, остаются предпочтительными для многих применений фотоэлектрической энергии. Но преимущества SiC в производительности могут помочь повысить эффективность использования системной энергии, в то время как вместе с технологической модернизацией промышленности у SiC огромный потенциал для применения в фотоэлектрических и запасных областях. Можно предугадать, что в будущем 2000V SiC MOSFET будет более применена к системе фотоэлектрических резервов в связи с продолжающимся снижением общей стоимости SiC.

VTS0234-47AP025

Запуск Wi-Fi — 7 r&p-систем является значительным технологическим прогресом, особенно в области беспроводной связи. Запуск системы стал возможным благодаря инструментам автоматизации электронного дизайна (EDA) компании Sirius Wireless, которые ускоряют разработку чипа.

Во-первых, давайте кратко рассмотрим основные характеристики Wi-Fi 7, а также роль в rtellectual Property. Wi-Fi 7, также известный как 802.11be, является неофициальным названием для следующего поколения технологий Wi-Fi, которые, как ожидается, будут обеспечивать более высокую скорость передачи данных, более низкие задержки и более эффективное использование спектра частот, чем существующие технологии Wi-Fi. Rчастотный IP, в свою очередь, относится к аппарату и программам, которые обрабатывают радиочастотные сигналы в беспроводной связи, являясь центральным компонентом любого беспроводного чипа связи.

Sirius Wireless — компания, специализирующаяся на высокопроизводительных чипах беспроводной связи, которые требуют эффективных инструментов и процессов для разработки, проверки и тестирования своих продуктов. Вот где работают инструменты «силка», эда. Электронные инструменты автоматизации могут помочь во многих аспектах автоматизации чипа, начиная с логического дизайна и имитации, до размещения и гравюры, а затем до проверки и тестирования на обратной стороне.

В процессе разработки системы IP-аутсорсинга Wi-Fi 7 rf-частотной сети, инструменты EDA, предоставленные cull center, позволили сириусу уирелсу быстрее итировать дизайн, найти и решить проблему раньше и в конечном счете сократить время выпуска продукции на рынок. Эти инструменты включают в себя высококачественную эмуляционную среду, позволяющую моделировать поведение в различных условиях работы в электронных схемах, а также автоматизированные компоновки и приспособления для проводки, которые используются в физическом дизайне, которые могут справиться со сложностями и требованиями производительности в чипе fdmcmc86102l.

Rчастотная IP-система аутентификации — сложная интеграция, которая требует тестирования и проверки на нескольких уровнях для обеспечения надежности и производительности. Это включает в себя блочные тесты, модульные тесты, системные тесты и окончательный силиконовый тест. Инструменты thell-ядра EDA предоставляют необходимые возможности для моделирования и анализа, а также для разработки процессов управления процессом, которые имеют решающее значение для успешного разработки IP-ip в Wi-Fi — 7.

Используя инструменты EDA в сердце тира, Сириус виресс может:

— повысить эффективность проектирования: автоматические инструменты уменьшают потребность в ручном дизайне и ускоряют цикл разработки.

— улучшение качества дизайна: инструменты эмуляции могут обнаружить потенциальные проблемы в процессе разработки на ранних стадиях.

— сократить цикл верификаций: продвинутые инструменты и методы проверки сократили время от разработки до тестирования.

Объединив эти инструменты и методы, Сириус виресс смог бы не только создать высокопроизводительный Wi-Fi 7 rf-частотный IP, но и обеспечить лидерство на все более конкурентных рынках.

Несмотря на то, что эта тема включает в себя многочисленные технические детали и сложные инженерные работы, здесь представлен лишь краткий обзор. Будут углублены технические детали каждого шага, начиная с первоначальных концепций дизайна и до реализации конечного продукта, и как инструменты zult EDA поддерживают каждый шаг работы. Такие обсуждения будут касаться конкретных задач проектирования, проверки и методов тестирования, а также того, как эти инструменты позволят инженерам лучше проектировать и оптимизировать IP-частоты для выполнения требований Wi-Fi 7.

4PW035

Линейный стабилизатор напряжения LDO (Low Dropout) — интегральная схема, используемая для стабилизации выходного напряжения в электронных цепях. Преимущество цепи LDO относительно традиционных линейных стабилизаторов заключается в Том, что она меньше (dropout voltage) между входным и выходным напряжением (dropout voltage), что позволяет ей продолжать функционировать при более низком входном напряжении, тем самым обеспечивая более стабильное выходное напряжение.

LDO линейный стабилизатор напряжения обычно состоит из одного мощного транзистора и одного ложного усилителя, транзистор мощности CD74HCT11M96, который регулирует выходное напряжение, в то время как ложный усилитель используется для управления транзисторами мощности, чтобы стабилизировать выходное напряжение. LDO поддерживает постоянство выходного напряжения, регулируя состояние проводящего транзистора мощности и используя механизм отрицательной обратной связи, что позволяет обеспечить стабильное выходное напряжение при изменении входного напряжения.

При выборе правильного линейного стабилизатора LDO необходимо учитывать следующие факторы:

1. Требования выходного напряжения и зарядного тока: сначала определить необходимое выходное напряжение и максимальный ток, выбрать LDO с рациональным диапазоном выходного напряжения и способностью выходного тока.

2. Диапазон входного напряжения: рассмотрим область входного напряжения в дизайне, выберите LDO, подходящую для работы, для обеспечения нормальной работы.

3. Стабильность и производительность уплотнённых волн: оценка стабильности LDO и состояние узоров (ripple) выходного напряжения, выбор продуктов с более низкой и стабильной волной.

4. Тепловыделение и энергопотребление: рассмотрим расход энергии и потребности лдо в их собственных потребностях и потребностях в их рассеивании, выберите LDO, которые могут удовлетворить эти требования для обеспечения стабильного функционирования в течение длительного времени.

5. Ослабление давления: необходимо учитывать минимальное разность напряжения между входным и выходным напряжением LDO, чтобы выбрать предел снижения давления, который подходит для проектирования.

6. Защита от перегрузки: выберите LDO с функцией защиты от перегрузки и перегрузки, чтобы защитить электросхемы от повреждений.

7. Температурный диапазон: рассмотрим стабильность и надежность LDO в пределах рабочей температуры, выберите LDO, который соответствует фактической температуре труда.

8. Компоновка и компоновка: выбрать подходящий тип инкапсуляции в соответствии с планируемым пространством. и спросом на установку, обеспечить рациональное размещение и избежать помех и тепловых эффектов.

В целом, выбор правильного линейного стабилизатора LDO требует всестороннего рассмотрения ряда факторов, включая спрос на выходное напряжение и ток, диапазон входного напряжения, стабильность, дистилляцию и энергопотребление, характеристики понижения давления, защитные функции, температурный диапазон и компоновку. Тщательно оценивая эти факторы, выбирая LDO, которые подходят для конкретных сцен применения, можно повысить стабильность и производительность системы и обеспечить надежное функционирование схем.

20F11NC104JA0NNNNN