5SHY4045L0001 Интегральная сетка, переключающая кристаллический шлюз IGCT

5SHY4045L0001 Интегральная сетка, переключающая кристаллический шлюз IGCT

5shy40455l0001 3b1816162r0001 — новый электропроводниковый прибор, разработанный в 1996 году для массивных электронных электронных устройств. IGCT — это новый мощный полупроводниковый переключатель, основанный на GTO структурах, использующий интегрированную сетную структуру для жесткого управления сеткой, используя буферную структуру и анодную прозрачную эмиттер-технологию, имеющий свойство общего состояния и транзистора кристаллических затворов.

5shy40455l0001 3b18162r0001 уменьшил динамические потери примерно на 50% в связи с использованием буферной структуры и неглубоководной технологии эмиттера, а также с тем, что такие устройства были добавлены в Один из чипов в качестве поддерживающих диодов с хорошими динамическими характеристиками, Таким образом, благодаря своему уникальному способу реализации органической комбинации переключателей низкого давления в кристаллических тормозах, высокого блокирующего напряжения и стабильного транзистора.

IGCT сделала огромный скачок в мощности, надежности, скорости переключения, эффективности, стоимости, весу и объёму, что привело к новым скачкам в электронных системах электроснабжения. 5shy40455l0001 3b162r0001 — интеграция чипа GTO с антипараллельным диэлектрическим диском на перифериях, в сочетании с преимуществом стабильного выключения транзистора и потери в низкопропускаемом состоянии кристаллических тормозов на этапе наведения, Фаза выключения представляет свойства транзистора.

5shy40455l0001 3b181620001 обладает такими характеристиками, как электрический ток, высокое напряжение, высокая степень надежности, компактная структура, низкая производительность и хорошие перспективы применения.

GTO, использующий технологию кристаллических тормозов 5shy40455l0001 3bb018162r0001, имеет более высокую производительность по сравнению с IGBT, использующей транзисторы, но широко используемая технология, управляемая стандартом GTO, приводит к неоднородному открытию и выключению, Требуются дорогостоящие dv/dt и di/dt поглощающие цепи и более мощные сеточные блоки, что приводит к снижению надежности, более высокой цене и не способствует последовательным ценам. Однако IGCT стала избранной для высоковольтного низкочастотного коммуникатора высокой мощности до тех пор, пока технология MCT не достигла полной мощности.

5SHY4045L0001 Интегральная сетка, переключающая кристаллический шлюз IGCT

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 Intergrated Gate Commutated Thyristors (IGCT) is a new type of power semiconductor device used in large power electronics sets introduced in 1996. IGCT is a new type of high-power semiconductor switching device based on GTO structure, using integrated gate structure to drive the gate hard, using buffer layer structure and transparent anode emitter technology, which has the on-state characteristics of thyristor and the switching characteristics of transistor.

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 reduces the dynamic loss by about 50% due to the buffer structure and shallow emitter technology. In addition, such devices also integrate a continuous current diode with good dynamic characteristics on a chip. Thus, the combination of low on-state voltage drop, high blocking voltage and stable transistor switching characteristics is realized in its unique way.

IGCT has made great progress in power, reliability, switching speed, efficiency, cost, weight and volume, and has brought a new leap to power electronic complete sets. 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 integrates the GTO chip with the anti-parallel diode and gate driver circuit, and then connects it with the gate driver in the peripheral in a low inductance mode, combining the stable turn-off ability of the transistor and the advantages of the low on-state loss of the thyristor to play the performance of the thyristor in the on-stage. The off phase presents the characteristics of the transistor.

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 has the characteristics of large current, high voltage, high switching frequency, high reliability, compact structure, low loss, and resulting in low cost, high yield, and has a good application prospect.

5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 GTO using thyristor technology is a commonly used high-power switching device, which has higher performance in cut-off voltage than IGBT using transistor technology, but the widely used standard GTO drive technology causes uneven turn-on and turn-off process. The need for high cost dv/dt and di/dt absorption circuits and higher power grid drive units, resulting in reduced reliability, higher prices, and is not conducive to series. 5SHY4045L0001 3BHB018162R0001 However, before high-power MCT technology is not mature, IGCT has become the preferred solution for high-power low-frequency communicators.