Согласно последним сообщениям южнокорейских сми, уровень доброкачественной продукции samsung Exynos в настоящее время составляет только 20%, что значительно ниже стандартов производства, однако samsung продолжает активно стремиться к решению проблемы, с тем чтобы увеличить до 60% к октябрю этого года. Известно, что причина невысокого уровня Exynos 2500 rb заключается в Том, что SoC базируется на технологии дальности 3nm GAA второго поколения SF3 — технологии SF3, однако в настоящее время коэффициент сложности sf3 второго поколения составляет только 20%. Технологический прогресс второго поколения SF3 был менее ожидаемым, чем ожидалось в начале этого года, когда информированные источники сообщили корейским сми, что samsung начала экспериментировать с производством своего второго поколения технологии SF3, которые рассматривались как важный этап в развитии компании. Samsung начала производство первого поколения технологии SF3 в 2022 году и анонсировала архитектуру 3nm GAA. Впервые в этой архитектуре samsung реализовала GAA «многомостовой полевой транзистор» (MBCFET), нарушив ограничения производительности в технологии FinFET и увеличив коэффициент энергопотребления, понизив уровень напряжения на работе. На рисунке ниже показано, что архитектура samsung 3nm GAA использует широкий канал наночастиц, сравнимый с технологией GAA с узкими каналами, которые могут привести к улучшению производительности и увеличению потребления энергии. Современные технологические маршруты итерации, источник диаграммы: наночастицы с широкими каналами позволяют MBCFET структурам иметь четыре плоскость в качестве каналов, оптимизируя функции On-Off, таким образом снижая напряжение работы и приводя к более высокой эффективности работы. Согласно данным samsung, первое поколение SF3, сравнимое с 5nm технологиями, может снизить энергопотребление на 45%, производительность на 23%, а площадь чипа — на 16%. В отличие от узких канальных нанопластин, источник диаграммы: три звезды по сравнению с первым поколением SF3, а второе поколение технологии SF3 может достичь ширины различных сеточных каналов (GAA) транзисторов (gaa), обеспечивая большую гибкость в проектировании. Кроме того, технология второго поколения SF3 значительно улучшила PPA-функции чипа, с более высокой плотностью транзистора, чтобы достичь лучших производительности чипа. Данные со стороны samsung показывают, что технология второго поколения SF3 может снизить энергопотребление еще на 50%, производительность повысится на 30%, а площадь чипа уменьшится на 35%. Согласно технологической карте, опубликованной samsung, технология SF3 второго поколения может называться SF3P, используя оптимизированную 3GAP+ структуру. Samsung рассчитывает увеличить технологический потенциал второго поколения SF3 до 60% в июне этого года, т.е. на данном этапе, для успешного производства коммерческих микросхем Exynos 2500, однако в настоящее время значительно меньше улучшений, чем ожидалось, и уровень технологического улучшения второго поколения SF3 составляет всего 20%. В то же время samsung сохраняет уверенность в производстве 2 — го поколения технологий SF3 и микрочипов Exynos 2500, с тем чтобы повысить уровень доброкачественной продукции до 60% к октябрь этого года. Samsung стремится создать десятизвёздочный ядерный кайзер внутри samsung, возлагая большие надежды на разработку микросхем Exynos 2500, рассматривая его как важный шаг в продолжении стратегии трёхзвёздного высокотехнологичного сотового чипа с трёхзвёздочным высокотехнологичным чипом, который, если план Exynos 2500 не будет выполняется, samsung может быть вынужден выбрать flagship-чипы в серии Galaxy S25, Это не та стратегия флагманского телефона, которую компания хотела бы иметь, полагая, что в дифференциальных инновациях есть недостатки. Известн, что samsung 25 иде дизайн Exynos; — ультрасовремен 3nm технологическ, и явля «куч.» архитектур дизайн, обогна qualcomm за тот же период на производительн и потреблен энерг Xiao Дракон 8 чип. Что касается дизайна продукции, то предполагается, что samsung Exynos 2500 будет и дальше использовать десятиконечную четырехслойную архитектуру процессора «1+2+3+4», которая согласуется с Exynos 2400. На Exynos 2400 samsung использует десятиядерный четырёххкусный процессор, Включает в себя 1 сверхбольшое ядро (Arm cortexx2 — x4ghz), 2 высокочастотных ядер (Arm cortex2 — a720@2,90ghz), 3 низкочастотных ядер (Arm cortex20 — a720@2,60ghz) и 4 небольших ядер (Arm) Кортекс — 520@2,00ghz). Что касается GPU, Exynos 2400 оснащена Xclipse 940 GPU, основанной на новейшей конструкции GPU RDNA3 AMD. Кроме того, для улучшения производительности ии Exynos 2400 также содержит NPU под названием «17K MAC». Однак Exynos; 2400 не смог перв поколен SF3 технологическ, в samsung а выбра 4LPP + технологическ, лучш, чем samsung первородн процесс производств SF4, но производительн поч бы qualcomm Xiao не Дракон 8 Gen3 принят собира электричеств (фабрик) технологическ н4п. На Exynos 2500 samsung сделали почти отчаянный выбор. Не только на основе технологических конструкций второго поколения SF3, но и на основе модернизации ядра в четырех кусках десяти ядер. Известно, что Exynos 2500 будет заменена на Arm Cortex-X925 supernal и Arm Cortex-A725 по сравнению с Arm Cortex-X4 в Exynos 2400 и Arm Cortex-A720, которые могут привести к дальнейшим улучшениям производительности, Максимальная частота может достигать 3,6 ГГЦ. Arm Cortex-X925 является самым большим прорывом в работе Arm за последние годы и является новейшей сверхкрупной ядерной архитектурой в Arm communications архитектуре с кодовым названием Blackhawk (черный ястреб). Arm Cortex-X925 является одним из приоритетных направлений деятельности генерального директора Arm рене хааса, целью которого является как можно меньше разрыв между ядром и ядром, которым является apple. По сравнению с Arm Cortex-X4, Arm Cortex-X925 повышает свою одноядерную производительность на 36%, а операционная мощность — на 25-40%. Первым сверхбольшим ядром Arm Cortex-X925 был не Exynos samsstar Exynos 2500, а gig9400, объединенный сектор, который, как известно, участвовал в разработке и разработке Arm Cortex-X925. Lamborghinout 9400 использует технологический процессор N3E второго поколения электронакопителя (3nm), который, как ожидается, будет одним из самых эффективных процессоров мобильных телефонов в 2025 году. Несмотря на то, что не было выпущено ни одно из объединённых подразделений eg9400, ни samsung Exynos 2500, предыдущие результаты показали, что Arm Cortex-X925 обладает сверхмощными ядами. В опубликованном табель успеваемости, производительность IPC для Arm Cortex-X925 сверхмощных ядерных реакторов на частоте 2GHz приблизилась к производительности apple A17 Pro. По сравнению с тем, что было бы более чем 3ггц на сегменте gmb9400 и samsung Exynos 2500. Как сообщается Arm Cortex-X925, сверхкрупное ядро Arm Cortex- x925 будет вести однопоточный процесс разработки IPC в больших ямах, и samsstar, как ожидается, будет модернизирована с Arm Cortex-A720 Exynos 2400 до Arm cortex -A725. Эт эскалац ожида и qualcomm Xiao Дракон 8 соответств Gen4, в Xiao Дракон 8 Gen3 тож приня Arm Cortex-A720 больш ядерн. Конечн, хот Xiao Дракон 8 Gen3 основн меньш, но жестк частотомер зада выш, больш ядерн, из них у 3 частот частотомер зада 3,2 ГГЦ Cortex-A720 больш ядерн + 2 частот частотомер зада 3.0 ГГЦ Cortex-A720 больш ядерн, эт дела Xiao Дракон 8 Gen3 производительн очен высок показател. Arm Cortex-A720 является первым высокопроизводительным ядром, основанным на архитектуре Armv9.2, которое увеличило энергетические эффекты на 20% по сравнению с предшественником Cortex-A715, что позволило обеспечить сверхвысокую производительность в условиях ограниченной мощности. Arm Cortex-A725 — ядро архитектуры второго поколения Armv9.2, которое повышает эффективность и производительность на 25% по сравнению с Arm Cortex-A720. Arm Cortex-A725 и Arm Cortex-A520 являются центрами «среднего» и «малого» ядра, выпущенными совместно с Arm Cortex-X925. Samsung Exynos 2500, с точки зрения систем и базовой конфигурации, обладает большими амбициями, с помощью технологии SF3 второго поколения samsung, а также десятилетней архитектуры, которая позволит создать «производительного монстра» для создания серии samsung Galaxy S25, более ценной в области высококлассных смартфонных телефонов. Однако, как отмечалось выше, несмотря на то, что планирование samsung Exynos 2500 прошло успешно, рыночное давление на него оказалось очень сильным. Хот 25 больш ядр, Exynos; qualcomm Xiao Дракон 8 Gen4 даж есл не увелич ядр, в бол высок частотомер зада случа, производительн а может и нет проигра 2500 Exynos; даж лучш Exynos; 25. Примечательно, что сверхмассивное ядро gultra-common было разработано на основе архитектуры ARM и что производительность была бы еще более оптимизирована. Кроме того, unfta rug9400 является амбициозным и, как ожидается, будет состоять из одного сверхмассивного ядра Cortex-X925, трех сверхбольших ядр Cortex-X4, четырех больших ядр серии Cortex-X4, а также четырех больших ядром серии cortex -A7, чья конгруэнция не менее значима в производительности. Судя по сегодняшнему прогрессу, Exynos 2500 уже отстают от первоначального графика, и технология SF3 второго поколения samsung стала фактором, препятствующим производству продукции. Тем не менее, samsung по-прежнему уверен в этом, считая, что с помощью нескольких месяцев технической осады он сможет решить проблему улучшения технологических показателей второго поколения SF3 к октябрь этого года, подняв уровень производства более 60%. На Exynos 2500 samsung продолжает использовать 4 — х кустарную процессорную архитектуру 10 ядер и будет использовать новейшие продукты Arm для сверхбольших ядер и больших ядер. Но даж и так, samsung Exynos; 25 в рыночн конкуренц в давлен, qualcomm Xiao Дракон 8 Gen4 и mediatek TianJi 94 тож мощ сильн. Тем не менее, преимущество samsung заключается в Том, что если план Exynos 2500 пройдет гладко, то план флагманского телефона высшего класса samsung будет более гибким и даст более высокую цену продукции.
MVME1603, samsung 3nm, всего лишь на 20%, и все еще не отказался от 2500 процессоров Exynos для создания «десятиядерных монстров».
Related posts
IC695ECM850 Модуль связи GE Fanuc
Технические характеристики IC695ECM850 Бренд «GE fanacco» Серия RX3i Pac систем Серийный номер IC695ECM850 Модуль
3HAC4776-1/1 Описание модели
Техническая информация: 1PC = 1 метр заказыва Новое удостоверение (новое) : 3HAC042568-001 Страна происхождения:
3BSE018103R1 Данные по спецификации продукции
Описание среды: В комплекте: -CI853, коммуникационный интерфейс -TP853, нижняя часть Тип продукции: Communication_Module заказыва
HIEE300900R0001 Описание продукции
Название модели BB: — Главный кредит: 0.00 Страна происхождения: Швейцария Таможенный номер: 85371092 Размер
3BSE020510R1 Инструкция к продукту
Описание среды: Изолировать в группе. 0,5 а. защита от замыкания. Тип продукции: I-O_Module заказыва
Leave a comment
Your email address will not be published. Required fields are marked *