После второй половины 2024 года стало ясно, что эффект снижения стоимости электромобилей на платформе 800V был очевиден в течение почти полугода, и что как минимум 800 — литровый альфа T5, так и сяо пэн G6 упали до менее чем 180 000. Распространённая платформа 800V, основанная на повышении мощности карбида кремния и ускоренном темпе понижения, обычно требует 1200V-прочных устройств SiC MOSFET, в системах напряжения 800V. Ранее эта область была монополизирована такими заграничными промышленными заводами, как ST, british, рома, ансонми, и в последнее время в стране произошло новое развитие в производстве 1200V SiC MOSFET. На местном заводе IDM в качестве технологической платформы SiC MOSFET в третьем поколении было объявлено о Том, что технологическая платформа третьего поколения SiC MOSFET будет официально производиться на технологической платформе третьего поколения SiC MOSFET, которая приземлится на автомобильном заводе SiC electric sic mosfet, расположившемся в чжэцзяне, и будет производить больше продукции sic mosfet в третьем поколении. Сто сосредоточ на, что скажет. Ядр разработчик компьютерн основа на трет поколен технологическ платформ, применя бортов электричеств изгна систем 1200V 13,5 m Ω SiC усилител продукц (IV3Q12013T4Z) прошел машин прав надежн (AEC — Q101) тест сертифицирова. В настоя врем скажет. Ядр электрон трет поколен 1200V 13,5 м Ω хвата за усилител три продукт, включ IV3Q12013T4Z, IV3Q12013BA и IV3Q12013BD, ориентирова на бортов электричеств изгна систем, предположительн в настоя врем уж бол получ бортов электричеств изгна клиент проект фиксирова точк. Что касается структуры, то в третьем поколении, 1200V SiC MOSFET, продолжает использовать более чем одно поколение верхних, но в сравнении со вторым поколением технологий, Pitch в метакластерной системе уменьшился более чем на 20%. Ключев показател, трет поколен в гарантирова устройств износостойк и коротк замыкан способн, с чем-понятн сопротивлен РСП сниз по 2,5 м Ω * см ², одновремен выключател по сравнен потер тож предыдущ поколен сниз бол чем на 30%. В дополнение к этому, коэффициент температурного сопротивления Rds(on) в третьем поколении продукции значительно понизился, и при высоких температурах сопротивление проводника увеличилось меньше. В качестве приложения для электроэкзорцизма автомобиля, для сертификации автомобиля необходим процесс. Iv3q11313t4z, первый продукт третьего поколения платформы, был сертифицирован не только в соответствии с стандартом AEC-Q101, но и в более строгом испытании на надежность автомобиля, включая динамическую надежность (D-HTRB, D-H3TRB, AC-BTI), HTRB под отрицательным сеточным смещением и т.д. Это только вопрос времени, когда национальные производители SiC сядут в машину в течение почти двух лет, и мы увидим, что уже несколько производителей внутри страны представили продукцию стандартного класса SiC MOSFET, но от MOSFET до модуля до вагона, от OBC до электрического экзотцизма, потребуется некоторое время. Когда внутренние производители стандартных моделей SiC MOSFET начнут крупномасштабную поставку, которая будет соответствовать соответствующим спецификациям, производители модулей электроэкзотторжения, естественно, попытаются использовать отечественные приборы. Но действительно, для того чтобы перейти от производителя модуля к электропроводящей интеграции, а затем к автомобильной промышленности, требуется более длительный цикл проверки, даже если SiC MOSFET прошел проверку по компаниям автомобилей, прошел проверку автомобильной промышленности и т.п., к окончательному запуску интегрированной электроэкзотермической продукции, а также к модели, выпускаемой в серийном производстве, потребуется по меньшей мере два года. В настоящее время производимые в стране автомобили SiC MOSFET реализуют свои масштабы и поставляют их нескольким производителям модулей, электроизгоняющим интегральные изделия, а также имеют определенную степень завершённой работы соответствующей продукции. На самом деле, первый автомобиль в стране, который использовал модуль мощности карбида кремния на электромобилях, в биади, был полностью покрыт и частично использован в MOSFET. В то время как все больше и больше автозаправочных модулей, таких как сяо пэн, сяо лай лай, идеалы и другие производители новых мощных сил, были внедрены в систему саморазработки, в качестве замены третьей стороны. В то же время, инвестиции в местные производители оборудования SiC в последние несколько лет были более распространенным явление, а это означает, что у этих инвестированных производителей оборудования также больше возможностей для того, чтобы в первую очередь поставлять товары SiC MOSFET. Таким образом, по мере постепенного созревания продукции SiC MOSFET, а также постепенного распространения ее продукции в больших масштабах, вопрос времени, прежде чем она окажется в машине, в Том числе биади в последнее время сообщил, что ее новое производство карбида кремния будет первым в мире и будет производиться во второй половине года. Мы считаем, что в конце этого года, как можно быстрее, мы сможем увидеть некоторые электромобили, использующие SiC MOSFET, изготовленные в верхней части страны, которые, как ожидается, смогут охватить больше моделей к 2025 году.

VMIVME-7740