На днях, по сообщениям южнокорейских сми, samsung столкнулась с проблемой невысокого качества в производстве своей 1b nm (то есть 12nm-класса) оперативной памяти DRAM. В настоящее время коэффициент добротности системы остается ниже 80-90% от общей цели в промышленности и составляет только 50 %. Чтобы справиться с этой ситуацией, samsung создала специальную рабочую группу в прошлом месяце, направленную на быстрое повышение уровня улучшения. Стоит отметить, что 12 — nm-класс программы samsung обладает значительным преимуществом в области памяти DRAM. В частности, емкость гранулирования 32Gb позволяет samsstar производить высокоплотные DDR5 RDIMM (ddr5 rdimm), которые могут быть выпущены без использования технологии trough Silicon Via. В отличие от 3DS DIMM памяти, использующей технологию TSV, обычная система памяти сократила энергопотребление на 10%, в то время как производственная стоимость значительно снизилась. Таким образом, samsung возлагает большие надежды на 32Gb DDR5 частиц памяти для 12 — nm-класса, рассматривая их в качестве основного продукта в будущем. Чтобы обеспечить реализацию этой стратегии, samsung не только создала целевую группу, но и решила активно расширить производство DRAM на уровне 12nm. Известно, что завод P2 p2 в хуа-Сити в будущем станет главной производственной базой для этого продукта. В настоящее время завод P2 производит в основном 1z nm память, но samsung планирует технологически модернизировать завод, чтобы соответствовать спросу на производство DRAM класса 12nm. По мере того как samsung продолжает работать над повышением и расширением производства, есть основания полагать, что она добьется большего успеха на рынке памяти DDR5 в будущем.

5X00121G01