Традиционный закон мура означает, что каждые 18-24 месяца количество транзисторов, которые могут быть размещены на интегральной электрической дороге, удвоится, что также означает, что производительность чипа BT169D значительно возрастет. Однако, по мере того, как законы мура постепенно достигают физических пределов, микроскопия чипа сталкивается с возрастающей проблемой. Микроскопические проблемы включают в себя ограничения электропроводов и ограничения интегрированных технологий. В ответ на эти проблемы исследователи предложили множество новых методов и технологий. В этой статье будут представлены новые методы работы с проводами и интеграцией чипов, которые будут бороться с проблемой миниатюризации традиционных законов мура.

Во-первых, в отношении ограничений на электропроводки исследователи предложили множество новых методов электропроводки для повышения производительности и надежности чипа. Одним из общих методов является использование более сложных структур проводки, таких как кривая, древовидная и кольцевая. Эти проводки могут уменьшить длину проводки и увеличить скорость передачи сигнала. Кроме того, можно использовать более плотные слои проволоки, такие как многослойные и вертикальные. Многослойная проводка может увеличить количество слоёв проводки, повысить плотность транзистора и производительность чипа. Вертикальная проводка может складировать слои проводки, тем самым уменьшая площадь чипа.

Кроме того, исследователи предложили несколько новых правил и алгоритмов оптимизации проводки, чтобы улучшить эффект проводки. Например, введение нестандартных правил электропроводки может сделать проводку более гибкой и повысить ее шансы на успех. Алгоритм оптимизации может автоматически оптимизировать путь и длину проводки в соответствии с конкретными требованиями чипа, чтобы повысить производительность и энергопотребление чипа.

Во-вторых, для ограничения интегрированных технологий исследователи разработали множество новых методов интеграции, которые позволят преодолеть микроскопические проблемы чипа. Одним из общих методов является внедрение трехмерных интегрированных технологий, таких как сложение чипов и гетерогенная интеграция. Сложенные чипы могут сгруппировать несколько слоев чипа, увеличивая плотность и производительность транзистора чипа. Гетерогенная интеграция может интегрировать различные типы чипов вместе, интегрировать и оптимизировать функции.

Кроме того, исследователи предложили новые материалы и технологии производства для улучшения производительности и надежности интегральных схем. Например, исследователи изучают новые материалы, такие как углеродные нанотрубки, графен и квантовые точки для замены традиционных кремниевых материалов. Эти новые материалы имеют лучшую проводящую силу и механические свойства, которые могут повысить производительность и надежность чипа. Кроме того, можно было бы использовать новые технологии производства, такие как ультрафиолетовые технологии гравировки и самосборки, чтобы повысить точность и качество чипа.

Вкратце, для решения проблемы миниатюризации традиционных законов мура необходимы новые способы подключения и интеграции чипов. Можно повысить производительность и надежность чипа, используя новые методы электропроводки и оптимизированные алгоритмы. Используя трёхмерные интегрированные технологии и новые технологии производства материалов, можно преодолеть микроскопические ограничения чипа и достичь более высокой плотности транзисторов и производительности. Эти новые методы и технологии предоставляют новые направления и возможности для развития индустрии чипов.