Крупнейший рынок электромобилей в настоящее время — это электромобиль. В автомобильном приложении основное напряжение электромобилей составляет около 400V, поэтому в таких компонентах, как главный экзотторг, необходимо использовать только 750V-устойчивый SiC MOSFET. В последние годы для повышения дальности полёта и высоких требований к выработке электроэнергии на электростанциях, крупные автопроизводители начали продвигать платформы высокого давления в 800 вт, а для этого на 800 вт потребовались бы 1200V устойчивые к давлению SiC MOSFET. Однако за пределами электромобилей прикладные рынки, такие как промышленный источник энергии, фотоэлектрический инвертор, также не могут быть проигнорированы, и в этих областях системные шины имеют более высокое напряжение, поэтому для повышения эффективности системы требуются товары SiC MOSFET с более высоким номинальным напряжением. Основные направления развития систем хранения света варьируются от 1500V до 2000V фотовольт и инверторов энергии, включая высокую эффективность, высокую плотность мощности и низкую системную стоимость. Чтобы удовлетворить эти требования, SiC является одним из ключевых компонентов. В соответствии с данными о полупроводниках, используемых в cr, например, IGBT+ кремний FRD эффективен на 96% в двухурочных топологических схемах Boost, программы IGBT+ карбид кремния SBD остаются на одной и той же частоте и могут повысить эффективность до 98,6%. Если заменить кремний IGBT на SiC MOSFET и использовать полностью карбид кремния, эффективность будет продолжать увеличиваться на 0,6% — 0,7% и достигнет более чем 99%. В то время как в последние годы в фотоэлектрических секторах, чтобы снизить системные издержки, промышленность исследует пространство снижения уровня осадков в нескольких сегментах, таких как повышение плотности мощности, длиннопоследовательность, повышение системного давления. Длительная последовательность состоит в Том, чтобы увеличить количество последовательных соединений в фотоэлектрических группах и увеличить мощность одной цепи. В фотоэлектрической системе для уменьшения соединения кабельного кабеля между массивами фотовольт и инвертором, как правило, создается массив фотовольт в группах, который параллельно соединяет эти фотоэлектрические массивы, а затем экспортирует инвертеры в электросеть. В то время как повышение электрической мощности, достигнутое с помощью повышения напряжения, приводит к новым требованиям к давлению для компонентов, таких как инверторы в системе. Судя по развитию систем хранения света, напряжение в системе постоянно повышается, начиная с 600V до 1000V и заканчивая современными 1500V системами хранения света, которые в основном реализировали переход от 1000V к 1500V. Эти изменения привели к снижению общих системных издержок, которые могут снизить первоначальные затраты на инвестирование в систему хранения энергии более чем на 10%. Начиная с 2023 года, фотоэлектрический инвертор и система хранения света начали двигаться к 2000V. Начиная с июля прошлого года, инвертор высокого давления в солнечном источнику был введен в программу «шань-СИ-менг-бэй» в качестве первого параллельного интерфейса системы 2000V по всему миру. Представ, благодар систем напряжен повышен, сниз системн потер, инвертор, слиян ящик, устройств плотност энерговыделен, инфраструктур, затратн и поздн поддержива для транспортировк оборудован, поскольк последовательн компонент количеств одновремен, постоя ток кабел количеств, слиян ящик количеств, стент со стальн количеств и т.д, комплексн, Стоимость одного вабо может быть снижена более чем на 2 цента. В марте солнечная энергия выпустила технологию хранения света под давлением 2000V. В отличие от 1500V, количество отдельных батарей в системе 2000V может быть увеличено с 26 до 36, в то время как CAPEX (первоначальные инвестиции) сэкономит 4 пункта /W, OPEX (стоимость транспортных расходов на полный жизненный цикл) сэкономит 12,5 /W, общая системная эффективность повысится на 0,5% — 1%, Таким образом, можно сделать вывод о Том, что инвестиции в проект фотовольт с полным жизненным циклом сэкономили бы 165 миллиардов юаней /100 ГВТ. В фотоэлектрической системе 2000V цепочка вверх-вниз по течению также продолжает толкать вниз части соответствующих компонентов. В марте серия фотоэлектрических продуктов «chiceko energy Tiger Neo» была сертифицирована улом и стала первой компанией в мире, получившей сертификат сертификата на 2000V. В 1500V и 2000V системах хранения фотоэлектрической энергии доступны SiC MOSFET, которые в последнее время применяются в 2000V, и многие производители, ориентированные на фотоэлектрические инверторы, системы хранения и т.д., выпустили 2000V продукции SiC MOSFET. Многие производители выпускали продукцию 2000V SiC MOSFET с технологическим итирующим спросом на фотоэлектрические источники энергии, а производители мощных приборов также видели возможности на рынке, а также реализацию 2000V продукции SiC MOSFET. Представл infineon в эт год январ как модел ath IMYH200R 2000V котор SiC усилител нов, спецификац для 12m Ω, 24m Ω, 50m Ω, 75m Ω, 100m Ω, TO — 247PLUS — 4 — HCC инкапсуляц, на строг высоковольтн и выключател частот услов, Кроме того, можно обеспечить более высокую плотность мощности в системах, гарантирующих надежность системы, с более высокой эффективностью в таких системах, как коллективный инвертор, фотоэлектрический аккумулятор, зарядная свая, применимая к высокопрочным электропроводящим системам с высоким напряжением до 1500 ВDC. Брин заявил, что это был первый на рынке дискретный SiC MOSFET аппарат, блокирующий напряжение до 2000V. По сравнению с 1700V SiC MOSFET, устройство 2000V SiC MOSFET также обеспечивает более высокую нагрузку на 1500 VDC систем. Возьм, к пример, IMYH200R012M1H рабоч температур поддержива — 55 ℃ — 178 ℃, в 25 градус цельс обстановк сам больш потер поддержива для 123A ток, общ мощност 552W. К Том же-говор сопротивлен для 12m Ω, выключател потер чрезвычайн низк. Что касается отечественных производителей, то на шанхайской электронной выставке в мюнхене в прошлом году компания teko tunrun представила на выставке SiC MOSFET одноствольный продукт серии 2000V, применяемый к системе фотовольт в 1500V, но без подробных параметров. Основн полупроводников в октябр прошл год опубликова втор поколен SiC усилител платформ, и выраз представ 2000V 24m Ω спецификац SiC усилител коллекц продукт, и разработа 2000V 40A спецификац в план SiC СБД использова, но не подробн информац опубликова соответств устройств. По мере развития рынка фотоэлектрических запасов, после бринга, мы полагаем, что вскоре на рынок выйдут еще 2000V продукции SiC MOSFET, что ускорит переход SiC-устройств в систему фотоэлектрического давления. Узлы: преимущества себестоимости, которыми обладает IGBT на рынке в целом, остаются предпочтительными для многих применений фотоэлектрической энергии. Но преимущества SiC в производительности могут помочь повысить эффективность использования системной энергии, в то время как вместе с технологической модернизацией промышленности у SiC огромный потенциал для применения в фотоэлектрических и запасных областях. Можно предугадать, что в будущем 2000V SiC MOSFET будет более применена к системе фотоэлектрических резервов в связи с продолжающимся снижением общей стоимости SiC.

VTS0234-47AP025